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光二極管?紅外發光二極管?紅外接收二極管?激光二極管6主要應用?電子電路應用?工業產品應用二極管結構組成編輯二極管就是由一個PN結加上相應的電極引線及管殼封裝而成的。[4]采用不同的摻雜工藝，通過擴散作用，將P型半導體與N型半導體制作在同一塊半導體（通常是硅或鍺）基片上，在它們的交界面就形成空間電荷區稱為PN結。[4]由P區引出的電極稱為陽極，N區引出的電極稱為陰極。因為PN結的單向導電性，二極管導通時電流方向是由陽極通過管子內部流向陰極。[4]各種二極管的符號二極管的電路符號如圖所示。二極管有兩個電極，由P區引出的電極是正極，又叫陽極；由N區引出的電極是負極，又叫陰極。三角箭頭方向表示正向電流的方向，二極管的文字符號用VD表示。[4]二極管工作原理編輯二極管的主要原理就是利用PN結的單向導電性，在PN結上加上引線和封裝就成了一個二極管。晶體二極管為一個由P型半導體和N型半導體形成的PN結，在其界面處兩側形成空間電荷層，并建有自建電場。當不存在外加電壓時，由于PN結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態。[5]當外界有正向電壓偏置時。二極管在正向電壓作用下電阻很小，處于導通狀態，相當于一只接通的開關。山東優勢二極管模塊品牌

導通電壓UD約為。在二極管加有反向電壓，當電壓值較小時，電流極小，其電流值為反向飽和電流IS。當反向電壓超過某個值時，電流開始急劇增大，稱之為反向擊穿，稱此電壓為二極管的反向擊穿電壓，用符號UBR表示。不同型號的二極管的擊穿電壓UBR值差別很大，從幾十伏到幾千伏[4]。二極管正向特性外加正向電壓時，在正向特性的起始部分，正向電壓很小，不足以克服PN結內電場的阻擋作用，正向電流幾乎為零，這一段稱為死區。這個不能使二極管導通的正向電壓稱為死區電壓。[4]當正向電壓大于死區電壓以后，PN結內電場被克服，二極管正向導通，電流隨電壓增大而迅速上升。在正常使用的電流范圍內，導通時二極管的端電壓幾乎維持不變，這個電壓稱為二極管的正向電壓。[4]當二極管兩端的正向電壓超過一定數值，內電場很快被削弱，特性電流迅速增長，二極管正向導通。叫做門坎電壓或閾值電壓，硅管約為，鍺管約為。硅二極管的正向導通壓降約為，鍺二極管的正向導通壓降約為。[4]二極管反向特性外加反向電壓不超過一定范圍時，通過二極管的電流是少數載流子漂移運動所形成反向電流。由于反向電流很小，二極管處于截止狀態。這個反向電流又稱為反向飽和電流或漏電流。寧夏二極管模塊聯系人發光二極管是一種將電能直接轉換成光能的半導體固體顯示器件，簡稱LED(LightEmittingDiode)。

1N5399硅整流二極管1000V,,1N5400硅整流二極管50V,3A,(Ir=5uA,Vf=1V,Ifs=150A)1N5401硅整流二極管100V,3A,1N5402硅整流二極管200V,3A,1N5403硅整流二極管300V,3A,1N5404硅整流二極管400V,3A,1N5405硅整流二極管500V,3A,1N5406硅整流二極管600V,3A,1N5407硅整流二極管800V,3A,1N5408硅整流二極管1000V,3A,1S1553硅開關二極管70V,100mA,300mW,,1S1554硅開關二極管55V,100mA,300mW,,1S1555硅開關二極管35V,100mA,300mW,,1S2076硅開關二極管35V,150mA,250mW,8nS,3PF,450ma,Ir≤1uA,Vf≤,≤,1S2076A硅開關二極管70V,150mA,250mW,8nS,3PF,450ma,60V,Ir≤1uA,Vf≤,≤,1S2471硅開關二極管80V,Ir≤≤,≤2PF,1S2471B硅開關二極管90V,150mA,250mW,3nS,3PF,450ma,1S2471V硅開關二極管90V,130mA,300mW,4nS,2PF,400ma,1S2472硅開關二極管50V,Ir≤≤,≤2PF,1S2473硅開關二極管35V,Ir≤≤,≤3PF,1S2473H硅開關二極管40V,150mA,300mW,4nS,3PF,450ma,2AN1二極管5A,f=100KHz2CK100硅開關二極管40V,150mA,300mW,4nS,3PF,450ma,2CK101硅開關二極管70V,150mA,250mW,8nS,3PF,450ma,2CK102硅開關二極管35V,150mA,250mW,8nS,3PF,450ma,2CK103硅開關二極管20V,100mA,2PF,100ma,2CK104硅開關二極管35V。

外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。當外界有反向電壓偏置時，外界電場和自建電場進一步加強，形成在一定反向電壓范圍內與反向偏置電壓值無關的反向飽和電流。[5]當外加的反向電壓高到一定程度時，PN結空間電荷層中的電場強度達到臨界值產生載流子的倍增過程，產生大量電子空穴對，產生了數值很大的反向擊穿電流，稱為二極管的擊穿現象。PN結的反向擊穿有齊納擊穿和雪崩擊穿之分。[5]二極管PN結形成原理P型半導體是在本征半導體（一種完全純凈的、結構完整的半導體晶體）摻入少量三價元素雜質，如硼等。P型和N型半導體因硼原子只有三個價電子，它與周圍的硅原子形成共價鍵，因缺少一個電子，在晶體中便產生一個空位，當相鄰共價鍵上的電子獲得能量時就有可能填補這個空位，使硼原子成了不能移動的負離子，而原來的硅原子的共價鍵則因缺少一個電子，形成了空穴，但整個半導體仍呈中性。這種P型半導體中以空穴導電為主，空穴為多數載流子，自由電子為少數載流子。[6]N型半導體形成的原理和P型原理相似。在本征半導體中摻入五價原子，如磷等。摻入后，它與硅原子形成共價鍵，產生了自由電子。在N型半導體中，電子為多數載流子。肖特基二極管A為正極，以N型半導體B為負極利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性制成的金屬半導體器件。

從這種電路結構可以得出一個判斷結果：C2和VD1這個支路的作用是通過該支路來改變與電容C1并聯后的總容量大小，這樣判斷的理由是：C2和VD1支路與C1上并聯后總電容量改變了，與L1構成的LC并聯諧振電路其振蕩頻率改變了。所以，這是一個改變LC并聯諧振電路頻率的電路。關于二極管電子開關電路分析思路說明如下幾點：1）電路中，C2和VD1串聯，根據串聯電路特性可知，C2和VD1要么同時接入電路，要么同時斷開。如果只是需要C2并聯在C1上，可以直接將C2并聯在C1上，可是串入二極管VD1，說明VD1控制著C2的接入與斷開。2）根據二極管的導通與截止特性可知，當需要C2接入電路時讓VD1導通，當不需要C2接入電路時讓VD1截止，二極管的這種工作方式稱為開關方式，這樣的電路稱為二極管開關電路。3）二極管的導通與截止要有電壓控制，電路中VD1正極通過電阻R1、開關S1與直流電壓+V端相連，這一電壓就是二極管的控制電壓。4）電路中的開關S1用來控制工作電壓+V是否接入電路。根據S1開關電路更容易確認二極管VD1工作在開關狀態下，因為S1的開、關控制了二極管的導通與截止。如表9-42所示是二極管電子開關電路工作原理說明。表9-42二極管電子開關電路工作原理說明在上述兩種狀態下。二極管就是由一個PN結加上相應的電極引線及管殼封裝而成的。安徽哪里有二極管模塊供應商家

二極管是早誕生的半導體器件之一。山東優勢二極管模塊品牌

二極管的反向飽和電流受溫度影響很大。[4]一般硅管的反向電流比鍺管小得多，小功率硅管的反向飽和電流在nA數量級，小功率鍺管在μA數量級。溫度升高時，半導體受熱激發，少數載流子數目增加，反向飽和電流也隨之增加。[4]二極管擊穿特性外加反向電壓超過某一數值時，反向電流會突然增大，這種現象稱為電擊穿。引起電擊穿的臨界電壓稱為二極管反向擊穿電壓。電擊穿時二極管失去單向導電性。如果二極管沒有因電擊穿而引起過熱，則單向導電性不一定會被長久破壞，在撤除外加電壓后，其性能仍可恢復，否則二極管就損壞了。因而使用時應避免二極管外加的反向電壓過高。[5]反向擊穿按機理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下，因勢壘區寬度很小，反向電壓較大時，破壞了勢壘區內共價鍵結構，使價電子脫離共價鍵束縛，產生電子-空穴對，致使電流急劇增大，這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低，勢壘區寬度較寬，不容易產生齊納擊穿。[5]另一種擊穿為雪崩擊穿。當反向電壓增加到較大數值時，外加電場使電子漂移速度加快，從而與共價鍵中的價電子相碰撞，把價電子撞出共價鍵，產生新的電子-空穴對。新產生的電子-空穴被電場加速后又撞出其它價電子。山東優勢二極管模塊品牌