四川專業CeYAG晶體報價

來源: 發布時間:2022-01-24

關于新型閃爍晶體及其應用的國際學術交流極其頻繁和活躍。例如,關于新閃爍晶體及其應用的第1次國際會議“水晶2000”于1992年在法國夏蒙尼舉行,由“水晶透明協作”小組主辦。隨后,研究合作小組分別于1994年、1995年、1997年、1999年和2001年在美國,荷蘭,中國和俄羅斯舉行了兩年一次的新型閃爍材料學術研討會[39]。這些研討會極大地促進了具有高光輸出和快速衰減的無機閃爍晶體的研究和發展。特別是鈰離子摻雜的無機閃爍晶體,如Ce:YAP、Ce:LSO和Ce:LuAP,受到了極大的關注,被認為是新一代高光輸出、快衰減的無機閃爍晶體材料。提拉法生長Ce:YAG晶體?閃爍晶體是典型的光電轉換材料。四川專業CeYAG晶體報價

CeYAG單晶與陶瓷的發光性能,制備了不同Ce~(3+)摻雜濃度(摩爾分數)的釔鋁石榴石(YAG)單晶和陶瓷,并對激光激發CeYAG單晶和陶瓷的光通量、光電轉換效率、顯色指數及色溫進行了研究。在電流為2.6A的激光激發下,Ce~(3+)摻雜濃度為0.3%的陶瓷的光通量較高,為617.2lm;Ce~(3+)摻雜濃度為0.5%的單晶的顯色指數較高,為62,色溫為5841K。在功率為2.61W、材料中心功率密度達10.8W·mm-2的激光激發下,CeYAG單晶和陶瓷的光轉換均未達到飽和,對應的光-光轉換效率均約為240lm·W-1。實驗結果表明,在高功率密度激光激發下,陶瓷和單晶均適用于產生高亮度白光。四川專業CeYAG晶體報價CeYAG閃爍晶體還可以應用于電子探測成像(SEM)、高分辨率顯微成像熒光屏等領域。

Ce:YAG高溫閃爍晶體不但具有閃爍性能,而且具有良好的光脈沖分辨射線和粒子的能力,能與硅光二極管有效耦合,耐高溫不潮解,可在極端條件下應用。因此,用Ce:YAG與硅光二極管耦合制成的閃爍探測器可普遍應用于低能射線、粒子等輕帶電粒子的探測等核物理實驗。此外,Ce:YAG單片機還可以作為掃描電子顯微鏡的顯示元件,在大規模集成電路的檢測中有著重要而普遍的應用。另外,與CsI:Tl閃爍晶體相比,Ce:YAG閃爍晶體響應小,光衰減快,在小于500Kev的能量范圍內不潮解,有望部分替代CsI:Tl閃爍晶體。表1-11比較了Ce3360 YAG和CsI:Tl閃爍晶體的主要閃爍特性。

光衰減常數是表征閃爍晶體光衰減的物理量,是表征無機閃爍晶體的重要物理量。幾乎所有的閃爍計數應用都要求無機閃爍晶體具有快速的光衰減常數。根據熒光理論,電偶極子躍遷幾率(Wr)的倒數為光衰減時間,其中c是光速,me是電子的質量,e是電子的電荷,f是振子強度,n是材料的折射率,是躍遷的光波長。從上面的公式可以推斷出發射短波長閃爍光的晶體具有很小的光衰減常數。此外,雜質或熱猝滅可以縮短晶體的光衰減,但這也會降低晶體的光輸出。無機閃爍體是一種能將高能射線(X/射線,入射到其上的)或粒子轉化為紫外光或可見光的晶體能量轉換器。

鈰離子摻雜氧化物和硫化物閃爍晶體與鹵素化合物晶體相比,氧化物晶體具有優良的熱力學性能以及穩定的化學性質等優點。因此,鈰離子摻雜的無機氧化物閃爍晶體包括鋁酸鹽、硅酸鹽、硼酸鹽以及磷酸鹽等晶體受到人們的極大重視并被普遍研究[9]。表1-8總結了鈰離子摻雜氧化物閃爍晶體的基本閃爍性能[9]。從表中可以知道,多數鈰離子摻雜的氧化物閃爍晶體具有高光輸出和快衰減等特征,尤其是鈰離子摻雜的鋁酸鹽和硅酸鹽閃爍晶體具有誘人的閃爍性能,如Ce:YAP,Ce:YAG,Ce:LSO和Ce:LuAP等無機閃爍晶體,被譽為新一代高性能無機閃爍晶體山東專業加工CeYAG晶體用溫梯法成功生長了直徑為 110mm 的大尺寸 Ce: YAG 閃爍晶體,晶體具有良好的外形和光學性質。無機閃爍晶體晶體應用很廣,可用在核醫學成像(XCT和正電子發射斷層掃描)。四川專業CeYAG晶體報價

Ce:YAG閃爍晶體具有比較大光輸出。四川專業CeYAG晶體報價

CeYAG晶體最大直徑多少?閃爍過程的三個步驟(a . 電子空穴對產生;電子空穴被傳送到發光中心;c .從發光中心輻射的熒光)到閃爍的總效率。在以上三個參數中,很難建立能量傳遞的理論模型,因此很難計算出S [51][56]。可以肯定的是,無機閃爍晶體中的各種缺陷會俘獲電子空穴對,使S值 大降低。與參數s相比,參數和q可以從理論上計算出來。根據羅賓斯[19]和阿雷米普奇[51]提出的模型。公式中,Ei為電離能;是產生實際產生一個電子空穴對所需的能量;k為能量損失分數,與高頻介電常數(),靜電常數()和光學縱模聲子能量()有關。Lf是電子(或空穴)損失的能量分數。四川專業CeYAG晶體報價

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