YbYAG激光晶體，Yb3 + 離子摻雜YAG 晶體( YbYAG) 作為一種性能優良的激光晶體已廣泛應用于高效、高功率激光領域。作為特殊的激光工作物質，不只具有YAG基質材料所具有的優良的物理性質和穩定的化學性能，而且具有很好的激光工作性能。這使YbYAG晶體成為一種很有潛力的激光晶體。在相同的半導體泵浦功率下，YbYAG泵浦生熱為NdYAG的三分之一，就夠很容易的被InGaAs半導體激光器所泵浦，是一種適合LD泵浦的高平均功率和高光束質量的發射1um左右波長的激光材料。YbYAG晶體良好的性能滿足大型高功率激光裝置對大尺寸YbYAG晶體的需求。江西高摻雜濃度YbYAG晶體元件
二極管泵浦YbYAG準三能級1024nm薄盤激光器，采用二極管泵浦YbYAG晶體實現準三能級連續1024 nm薄盤激光器，1024 nm譜線是由YbYAG晶體內的2F5/2-2F7/2能級躍遷實現的，實驗中采用折疊腔結構。泵浦光16次通過YbYAG晶體，當注入泵浦功率為17.9 W時，1024 nm激光輸出功率為370 mW，通過采用Ⅰ類臨界位相匹配LiB3O5 (LBO)晶體進行腔內二次諧波倍頻，獲得較大輸出功率為45 mW的512 nm藍-綠激光穩定輸出，藍-綠色激光30 min功率穩定度優于4.3％。以上就是關于YbYAG的相關介紹，希望能幫到大家。廣東國產YbYAG晶體元件YbYAG晶體發光有三種衰減成分。
脈沖LD端面抽運變熱導率方片YbYAG晶體溫度場，對脈沖激光二極管(LD)端面抽運變熱導率方片YbYAG晶體的溫度場進行了分析和研究，建立了端面絕熱，周邊恒溫的熱傳導模型，采用半解析理論，結合牛頓法得到了晶體的溫度場分布，分析了不同的抽運功率，超高斯階次，光斑半徑和晶體尺寸因素對晶體溫度場的影響。計算結果表明，當采用抽運功率為80w，超高斯半徑為400μm，超高斯階次為3的脈沖激光二極管對晶體進行抽運時，在將YbYAG晶體的熱導率分別視為常量和非常量的情況下，該晶體在抽運端面處獲得的較大溫升分別為31.69，35.66℃.研究結果為激光器的設計提供了一定的理論指導。
使用鈦寶石放大器輸出的重復頻率為50kHz、中心波長為775nm、脈沖寬度為160fs的超快激光在摻鐿釔鋁石榴石(YbYAG)中刻寫雙線型光波導的過程。發現了波導具有偏振導光現象，偏振態平行于雙線方向的激光可以導通，偏振態垂直于雙線方向的激光不能導通。詳細分析了雙線間距、刻寫速度和激光脈沖能量對波導形成的影響，在雙線間距為30 μm、刻寫速度為400 μm/s、脈沖能量為5.0 μJ的條件下寫入的光波導導光特性良好。本發明的優點采用兩步充氣法避開了貴重的銥坩堝在1500℃以下的高溫段與氧氣起強烈的反應，減少了直接引入氧氣所導致的銥坩堝強烈氧化問題；同時也避免了在晶體退火過程中由于晶體呈塊狀，從而使其中的Yb2+難以完全轉變成Yb3+的問題。YbYAG晶體應用領域：先進制造。
YbYAG激光晶體的高溫退火和高濃度摻雜效應，測定了提拉法生長的不同摻雜濃度的YbYAG晶體從紫外到近紅外區的吸收光譜，發現高溫氧化氣氛退火后原先可見光區色心寬帶吸收消失的同時，在紫外區出現新的吸收帶，并通過色心的轉化對這一現象進行了解釋。在紫外區和近紅外區吸收光譜中，發現隨摻雜濃度的升高220 nm和940 nm附近的吸收帶的位置略有移動，提出是由于Yb3+離子摻雜引起的晶格結構畸變導致了YbYAG晶體光譜性質的改變。YbYAG與傳統的晶體相比具有更大的吸收帶寬,更長的上能級壽命。YbYAG晶體的生長裝置：坩堝和籽晶夾、氣氛控制系統等。江西高摻雜濃度YbYAG晶體元件
當用940nm的近紅外光激發時，YbYAG晶體有明顯的上轉換藍色發光。江西高摻雜濃度YbYAG晶體元件
采用無膠鍵合(AFB)技術制備的晶體波導具有良好的模式限制作用。在考慮模式競爭的情況下，對晶體波導的單橫模條件進行計算，得出在芯層材料為原子數分數為1%的YbYAG，內包層材料為原子數分數為0.5%的ErYAG中，芯層和內包層的單橫模厚度范圍。計算結果表明芯層厚度上限可以增大為傳統計算結果的1.79倍，為同時實現大模場面積和單橫模輸出提供了理論支持。通過實驗制備出芯層尺寸為320μm×400μm的大芯層尺寸YbYAG晶體波導，并將該晶體波導作為增益介質搭建了晶體波導激光器，得到了1030 nm激光輸出，其較高輸出功率為26W，斜率效率為31.5%，此時光束質量因子為 Mx2=1。江西高摻雜濃度YbYAG晶體元件
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