激光二極管抽運10at-%YbYAG晶體獲得高效連續激光輸出，用激光二極管作為抽運源，在室溫下獲得了YbYAG晶體的連續激光輸出，抽運的閾值功率較低為2.2W，當入射到晶體上的抽運功率為18W時，YbYAG晶體微片獲得了較大連續激光輸出功率為5.2 W，斜率效率為33％。同時在激光實驗過程中，沒有發現飽和現象，因此采用更高功率的激光二極管作為抽運源，晶體的激光輸出 功率將會得到進一步的提高。這一研究對于實現YbYAG晶體的高功率激光輸出具有重要意義。在相同的半導體泵浦功率下，Yb:YAG泵浦生熱為Nd:YAG的三分之一。上海溫梯法生長YbYAG晶體供應
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本發明的技術解決方案如下一種YbYAG激光晶體的生長方法，所用的裝置為感應加熱提拉式單晶爐，其步驟包括按照YbYAG比例稱量原料并混合均勻，置于銥坩堝中，裝爐.下文是和YbYAG晶體相關的一些知識的介紹，如果感興趣的就一起來看看吧，YbYAG激光晶體開裂的理論分析，采用提拉法，生長了Yb3+摻雜濃度為5at.%的YbYAG晶體，對晶體生長工藝進行了研究。較佳工藝參數：放肩和等徑生長速率分別為0.Smm/h和1mm/h。轉速為15rad/min，軸向溫度梯度為0.01-0.05℃/mm。從理論上分析了生長速率、轉速、熱應力、晶體尺寸對晶體開裂的影響規律。
YbYAG晶體中的色心，在用引上法生長的YbYAG晶體中，存在一個獨特的色心，其吸收帶位于375nm和625nm，隨著Yb2O3摻雜濃度的增加，色心濃度增加。探討了晶體生長過程中色心形成機理。良好C射線輻照YbYAG晶體，誘導大量色心的形成。晶體中的色心對激發態Yb3+離子的熒光壽命具有淬滅效應，因此，YbYAG激光晶體需要經高溫退火，消除色心的影響。一般用提拉法生長YbYAG晶體，得到的晶體呈藍色。此外該晶體不適合傳統的摻釹激光系統的泵浦結構。Yb:YAG晶體不適合傳統的摻釹激光系統的泵浦結構。希望看了介紹后，能幫助到你。YbYAG晶體主要應用：材料加工，微加工，焊接，切割。
YbYAG晶體的優勢：1、高斜率效率。2、高光學質量。3、熱導率高，機械強度高。4、無激發態吸收和上轉換。5、單位泵浦功率產生的熱負荷比NdYAG晶體低。6、二極管泵浦吸收帶寬約8nm@940nm，適合常用的高功率InGaAs激光二極管（波長940nm或970nm)泵浦。在YbYAG晶體中發現濃度猝滅現象，對猝滅機制進行了分析研究。指出退火前晶體的熒光濃度猝滅現象主要由Yb2＋、色心和由此產生的晶格畸變所致。高摻雜濃度時痕量稀土雜質離子的存在也將導致濃度猝滅．確定了YbYAG晶體中Yb3+的理想摻雜濃度。YbYAG作為一種性能優良的激光晶體。上海溫梯法生長YbYAG晶體供應
YbYAG晶體提拉法的裝置由加熱系統：加熱系統由加熱、保溫、控溫三部分構成。上海溫梯法生長YbYAG晶體供應
一種YbYAG激光晶體的生長方法，所用的裝置為感應加熱提拉式單晶爐，其步驟包括按照YbYAG比例稱量原料并混合均勻，置于銥坩堝中，裝爐。單晶爐緩慢抽真空、充氣和升溫。下籽晶生長晶體。晶體生長完畢緩慢降溫至室溫，出爐。其特征在于所述單晶爐緩慢抽真空、充氣和升溫的具體過程包括單晶爐緩慢抽真空至8×10-3MP，充入純氮氣，至0.12MP壓力后開始升溫，至1500℃時觀察爐內的壓力，根據爐內的壓力再充入1～5％的氧氣，然后再升溫熔料。這里的關鍵是采用兩步充氣的方法，是基于銥坩堝在1500℃以下的高溫段會與氧氣起強烈的反應，而超過這一溫度反應則會在一定程度上。這樣充氣過程生長的晶體出爐后無色。上海溫梯法生長YbYAG晶體供應
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