Ce:YAG晶體的光學吸收譜多少？鈰離子摻雜的鋁酸釔（Ce:YAlO3或Ce:YAP）和釔鋁石榴石（Ce:Y3Al5O12或Ce:YAG）高溫閃爍晶體不僅具有高光輸出和快衰減的閃爍特性（見表1－9），而且YAP和YAG基質晶體還具有優良的物理化學特性（基本物理化學特性見表1-10）。它們的缺點是密度低有效原子序數小，但是它們可以廣泛應用在中低能量射線和粒子探測領域中[45][49]。Ce:YAP和Ce:YAG是較為典型的兩種高光輸出快衰減高溫無機閃爍晶體，對它們的生長特征、晶體缺陷以及光學閃爍性能等的研究，對研究和探索其它鈰離子摻雜的高溫閃爍晶體具有重要借鑒意義。如今無機閃爍晶體的閃爍機制不斷得到改進和發展。甘肅大尺寸CeYAG晶體直銷
以CeYAG單晶取代傳統CeYAG熒光粉用于制備白光發光二極管(LED)，研究了CeYAG單晶厚度及驅動電壓的變化對其發射光譜、色坐標、亮度、光視效能和色溫的影響。研究結果表明，在基于CeYAG單晶的白光LED中，發射光的色坐標以及藍光與黃綠光之間的相對強度可通過對CeYAG單晶片厚度的改變進行調整。在恒定電壓驅動下，白光LED樣品的亮度、光視效能和色溫均隨單晶片厚度的減小而增加。當CeYAG單晶厚度為0.6 mm時，可獲得較純的白發射光，并且其色坐標具有較高的可靠性和穩定性，基本不受驅動電壓變化的影響。研究結果表明CeYAG單晶是一種可用于新型白光LED的理想熒光材料。四川雙折射CeYAG晶體供應Ce:YAG高溫閃爍晶體不但具有閃爍性能，而且具有良好的光脈沖分辨射線和粒子的能力。
當光線與閃爍晶體相互作用時，晶體中電子空穴對Neh的數量直接影響晶體的光輸出。假設電子空穴對轉化為閃爍光子的效率為(與從電子空穴對到發光中心的能量轉移效率和發光中心的量子效率有關)，可以得出：無機閃爍晶體的光輸出主要與晶體成分(，Eg)、電子空穴向發光中心的能量轉移效率和發光中心的量子效率()有關。NaI:Tl閃爍晶體具有比較大光輸出(約48，000 ph/mev)。將其他無機閃爍晶體的光輸出與NaI:Tl晶體的光輸出進行比較得到的相對值(%NaI(Tl))稱為“相對光輸出”。相對光輸出通常用于表征無機閃爍晶體的光輸出。
物質的有效原子序數可由公式計算：式中，Wi為構成晶體的原子I的重量百分比，Zi為構成晶體的原子I的有效原子數。從公式中可以看出，大的有效原子序數往往與重密度不一致。此外，在許多場合下，經常使用吸收系數()、輻射長度(X0)和摩爾半徑(RM)來代替晶體的有效原子序數或密度來表征無機閃爍晶體的性能。這些性能參數與晶體的密度()和有效原子序數(z)之間的關系如下[14][24]。，RMX0 (Z 1.2)/37.74(1.12)(ne是晶體中的電子密度和吸收截面，a是原子量)當I (t)=i0/e時，t=就是所謂的光衰減常數。CeYAG高溫閃爍晶體主要應用在輕粒子探測、α粒子探測、gamma射線探測等領域。
在Ce:YAG晶體中，Ce3離子以D2對稱性取代Y3位。在晶體場的作用下，4f1電子構型的Ce3離子基態分裂為2F5/2和2F7/2雙態，其5d能級分裂為5個子能級，比較低5d子能級離基態約22 000波。在Ce:YAG閃爍晶體中，其吸收熒光光譜也屬于F-D躍遷，具有寬帶、衰減快的特點。在可見光范圍內可以觀察到4個特征吸收峰，峰值波長分別為223nm、340nm、372nm和460nm，對應于Ce3離子從4f到5d的亞能級躍遷。在室溫下，其熒光光譜為500納米至700納米的寬帶光譜，峰值約為525納米，對應比較低5d子能級至2F5/2基態能級。如果高能射線入射，其熒光光譜向紅色移動，發射波長為550納米，可以很好地與硅光二極管耦合。Ce:YAG閃爍晶體具有比較大光輸出。江蘇國產CeYAG晶體公司
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