發光材料的X射線激發發射光譜指的是X射線經過發光材料時，發光材料從X射線那里獲得能量產生二次電子，二次電子激發發光材料的發光中心，然后發光中心退激發光，樣品所發出的光經分光儀器(單色儀)分成不同顏色(或波長)的光，通過光電倍增管測出不同波長的發光強度，得到樣品的發光按照波長或頻率的一個分布Ce:YAP晶體生長過程詳細介紹有嗎？因此激發譜中幾個發光成分其實還可以再分解為不同子能級的發光，而且疊加后的峰形會比單峰明顯展寬，普通的擬和只能作近似表達。結果發現兩價離子對Ce:YAP晶體閃爍性能有很強的負面影響，四價離子則有于助提高晶體的部分閃爍性能。專業CeYAP晶體元件
在康普頓閃光過程中，電子與X射線或其他高能射線發生彈性散射，使得高能射線的波長變長，這是吸收輻射能的主要途徑之一。在康普頓效應中，單個光子與單個自由電子或束縛電子碰撞。在碰撞中，光子將部分能量和動量傳遞給電子，導致電子反沖。電子-正電子對是指輻射能直接轉化為物質的過程，也是高能粒子通過物質時無機閃爍晶體吸收高能射線的主要途徑之一。要產生正負電子對，光子的總能量必須大于1.02MeV。當物體受到高能電磁輻射時，其作用主要取決于入射光子的能量和閃爍體上離子吸收的原子數量。一般0.1MeV以下的光子能量主要是光電效應，0.1 ~ 10mv主要是康普頓閃光，10mv以上主要是正負電子對效應。專業CeYAP晶體元件獲得大尺寸(直徑為2英寸至3英寸)晶體的生長工藝，使CeYAP晶體可應用于更多的領域。
在弱還原氣氛下生長的Ce:YAP晶體，發現自吸收得到有效緩解，2mm厚度晶體透過邊藍移近30nm，熒光激發的發光強度提高了50%以上。同時研究了還原氣氛生長對Ce:YAP晶體其他閃爍性能的影響。1．生長了不同價態離子摻雜的Ce:YAP晶體，以研究電荷補償效應對Ce4+離子的作用。結果發現兩價離子對Ce:YAP晶體閃爍性能有很強的負面影響，四價離子則有于助提高晶體的部分閃爍性能。2．研究了Mn離子摻雜對Ce:YAP晶體性能的影響。發現YAP基質中Ce，Mn之間存在明顯的能量轉移過程。由于存在Ce3+離子的非輻射躍遷，Ce,Mn:YAP的衰減時間的快慢成分均變為原來的一半，其中快成分為10ns左右，其小尺寸樣品可作為超快閃爍體應用。Ce:YAP晶體的吸收光譜和熒光光譜受不同的生長方法和不同的后熱處理工藝的影響很大。
同濃度Ce: YAP的熒光光譜。在可見光(300納米)激發下，不同濃度Ce: YAP的熒光強度隨著濃度的增加而增加，直到0.5at%。當濃度為1.0at%時，濃度淬滅，發光強度開始降低。相同厚度(5mm)的Ce: YAP晶體在X射線激發下的發光強度隨著濃度的增加先增大后減小，峰值位置也有紅移，其中0.3at%處的發光強度比較高。自吸收對光致發光幾乎沒有影響，因為激發和發射過程都發生在樣品表面。在高能射線的激發下，經過多次電離過程，晶體內部產生大量的電子-空穴對，電子-空穴對將能量傳遞到發光中心，發光過程基本發生在晶體內部。鈣鈦礦結構的YAP晶體的孿晶習性很容易揭示。
用溫梯法成功生長了直徑為 110mm 的大尺寸 Ce: YAG 閃爍晶體，晶體具有良好的外形和光學性質。研究了不同溫度和氣氛等退火條件對 Ce: YAG（TGT）閃爍晶體發光性能的影響，發現1100℃ 氧氣退火對提高晶體的發光強度具有比較好效果，發光強度提高了近60%。并初步分析了 Ce: YAG（TGT）閃爍晶體存在的缺陷以及其對晶體的發光性能和閃爍時間的影響。測試了大尺寸 Ce: YAG 閃爍晶體的相對光輸出、γ射線靈敏度與DD中子靈敏度、γ射線相對能量響應等性能，結果表明溫梯法生長的Ce: YAG 晶體在高能射線和中子探測方面具有較大的應用價值。 陜西CeYAP晶體供應YAP中形成色心的另外一種可能原因是晶體中存在雜質離子.YAP基體中Mn離子和Ce離子之間存在明顯的能量轉移過程。陜西科研用CeYAP晶體制造
1995年，Tetsuhiko等人總結并重新研究了Ce:YAP晶體的光學特性。專業CeYAP晶體元件
剛出爐的Ce:YAP單晶由于內部熱應力較大，在加工過程中容易開裂，提拉法生長的晶體明顯，同時由于鈰離子的價態(Ce2、Ce3、Ce4)不同，高溫閃爍晶體中只有三價鈰離子(Ce3)作為發光中心，因此不同的退火工藝條件對高溫閃爍晶體的閃爍性能有重要影響。對于空氣退火，退火溫度為1000 ~ 1600，恒溫時間為20 ~ 30小時，1200以下升溫/降溫速率為50 ~ 100，1200時升溫/降溫速率為30 ~ 50。使用的設備是硅碳或硅鉬棒馬弗爐流動氫退火，退火溫度1200-1600，恒溫時間20-36小時，1200以下升溫/降溫速率50-100/小時，1200升溫/降溫速率30-50/小時。專業CeYAP晶體元件
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