貴州白光LED用CeYAG晶體直供

通常，在閃爍晶體中，閃爍光的強度從零瞬開始增加，并達到比較大值I0(t=0)，然后閃爍光將指數(shù)衰減(當(dāng)用一階動力學(xué)處理時)，晶體生長的適宜溫度場主要通過選擇和調(diào)整石墨加熱器、鉬坩堝和鉬反射保溫屏的形狀和相對位置來獲得。所用鉬坩堝的尺寸為78毫米h70毫米，鉬坩堝錐形下部的籽晶槽中填充有111方向的純釔鋁石榴石籽晶。Ce:YAG晶體的生長溫度約為1970，生長周期約為15天。結(jié)晶完成后，晶體在爐內(nèi)原位退火，待爐內(nèi)溫度降至室溫后取出晶體。釔鋁石榴石晶體由于熱膨脹系數(shù)大于鉬，容易從鉬坩堝中取出，但晶體下部經(jīng)常與坩堝粘結(jié)，導(dǎo)致出坩堝取晶體時晶體下部邊緣開裂。整個晶體內(nèi)部質(zhì)量完好無損從宏觀上看，直拉法可以生長出完整透明的Ce:YAG閃爍晶體。貴州白光LED用CeYAG晶體直供

無機閃爍晶體的主要應(yīng)用，與塑料聚合物、液體、液晶和熒光粉等普通閃爍材料相比，無機閃爍晶體具有密度高、體積小、物理化學(xué)性質(zhì)和閃爍性能優(yōu)異等突出特點、可用于高能物理和核物理實驗、核醫(yī)學(xué)成像(XCT和正電子發(fā)射斷層掃描)、工業(yè)CT的在線檢測、油井勘探、安全檢查和反恐斗爭，此外，無機閃爍晶體在核天文學(xué)、核空間物理學(xué)、核考古學(xué)、核地質(zhì)學(xué)和核測量方面具有巨大的潛在應(yīng)用價值。這些領(lǐng)域會越來越受到人們的重視。而且隨著核技術(shù)向各個行業(yè)的滲透和其他技術(shù)的快速發(fā)展，將會給無機閃爍晶體的研發(fā)帶來更多的機遇和挑戰(zhàn)。山西雙摻CeYAG晶體制造閃爍晶體是指高能粒子的撞擊下，能將高能粒子的動能轉(zhuǎn)變?yōu)楣饽芏l(fā)出閃光的晶體。

Ce:YAG閃爍晶體的研究概況釔鋁石榴石(Y3Al5O12或YAG)單晶體是優(yōu)良的激光基質(zhì)材料以及光學(xué)襯底材料，其中Nd:YAG和Yb:YAG激光晶體已經(jīng)獲得廣泛應(yīng)用。Ce:YAG晶體作為閃爍材料引起人們的注意則是在1992年[81]。Moszynski[82]和Ludziejewski[83]等人分別于1994年和1997年對Ce:YAG晶體的閃爍性能進行了較為系統(tǒng)的研究，并指出Ce:YAG晶體具有優(yōu)良的閃爍性能。Ce:YAG具有快衰減（80ns）以及在530nm發(fā)射熒光，發(fā)光波長與硅光電二極管的探測靈敏區(qū)匹配，使得它可以應(yīng)用于中低能量γ射線α粒子的探測等領(lǐng)域。

Ce:YAG晶體的發(fā)射峰的中心波長約為550nm嗎？無機閃爍晶體(Ce:YAG)的閃爍機理之電子空穴對的產(chǎn)生。電子-空穴對的產(chǎn)生是入射高能光子和晶體中原子相互作用的結(jié)果。主要包括原子的電離和激發(fā)，電子-電子和電子-聲子的弛豫，以及其他輻射和非輻射的能量耗散過程。眾所周知，高能射線不能直接電離和激發(fā)無機閃爍晶體中的原子。相反，它們通過光電效應(yīng)、康普頓效應(yīng)和電子對效應(yīng)產(chǎn)生的電子電離和激發(fā)晶體中的原子。當(dāng)入射射線具有中等能量(幾百KeV左右)時，主要發(fā)生光電效應(yīng)，即高能射線與晶體中原子的內(nèi)層電子(通常是K層)相互作用產(chǎn)生初級光電子。CeYAG閃爍晶體是將高能轉(zhuǎn)換為可見光的一種典型光電轉(zhuǎn)換材料。

發(fā)光中心分布在晶體中分布不均勻?qū)?dǎo)致探測元件閃爍性能的差異，在一定程度上降低了閃爍探測器的整機性能。研究表明，Ce:YAG晶體的閃爍性能對Ce3+離子濃度有較強的依賴關(guān)系。下列圖表分別表示了Ce:YAG閃爍晶體的光輸出和衰減常數(shù)(快成分與慢成分)隨Ce離子的濃度的變化關(guān)系。從表1-12中可以看出隨著濃度的增加（0.012%-0.21%），Ce:YAG晶體的光輸出增大（1000－1420phe/Mev），當(dāng)濃度繼續(xù)增加到1.08%時，其光輸出又減小為1270phe/Mev。 結(jié)果表明溫梯法生長的Ce: YAG 晶體在高能射線和中子探測方面具有較大的應(yīng)用價值。CeYAG閃爍晶體不潮解、耐高溫。山西雙摻CeYAG晶體制造

電子-空穴對的數(shù)量直接決定了無機閃爍晶體的光輸出。貴州白光LED用CeYAG晶體直供

CeYAG單晶在340nm和460nm處有明顯的吸收峰，這是Ce3+的特征吸收峰。目前商用白光LED中使用的藍光芯片的發(fā)射波長為460nm。中心波長460nm的CeYAG單晶的寬吸收帶表明，它能有效地吸收藍晶片發(fā)出的藍光，將藍晶片發(fā)出的藍光和CeYAG晶片發(fā)出的黃光疊加成白光。此外，CeYAG單晶具有良好的熱穩(wěn)定性，這對大功率白光LED器件的制造尤為重要。隨著CeYAG晶片厚度的增加，藍晶片和CeYAG晶片封裝的白光LED器件的光效率逐漸提高，色溫和顯色指數(shù)逐漸降低，隨著晶片厚度的增加，Ce3+的含量相對增加。吸收的藍光越多，發(fā)出的黃光越多，導(dǎo)致晶圓的發(fā)光從藍色變成白色變成黃色。貴州白光LED用CeYAG晶體直供