白光LED用CeYAP晶體生產(chǎn)廠家

為了研究過(guò)渡金屬可能對(duì)Ce: YAP晶體性能的影響，我們生長(zhǎng)了Mn 離子摻雜的Ce: YAP 晶體，并與Mn: YAP和Ce: YAP 晶體進(jìn)行了比較。選用Mn 離子一是由于Mn 對(duì)YAP 晶體的吸收譜影響很大；二是M. A. Noginov等人將Ce離子摻入Mn: YAP中來(lái)獲得三價(jià)Mn離子[113]，Ce3+離子可以為Mn4+ 離子提供一個(gè)電子，使其變成三價(jià)：Ce3+ + Mn4+ → Ce4+ + Mn3+，正好研究Mn 對(duì)Ce離子價(jià)態(tài)變化的影響；而且Mn離子和Ce離子之間可能存在能量傳遞過(guò)程，對(duì)研究Ce: YAP晶體的閃爍性能會(huì)有一些參考作用。四價(jià)離子摻雜有助于提高Ce:Yap晶體的部分閃爍性能。白光LED用CeYAP晶體生產(chǎn)廠家

紫外線照射對(duì)Ce: YAP晶體自吸收的影響，我們用8W的紫外燈功率和255nm的波長(zhǎng)照射厚度為2mm、濃度為0.3%的Ce: YAP樣品。樣品輻照時(shí)間分別為15、30和60分鐘。從紫外輻射吸收光譜可以清楚地看出，隨著輻照時(shí)間的增加，Ce: YAP樣品的吸收邊發(fā)生紅移，樣品在254nm處的吸收系數(shù)也相應(yīng)增加。退火和輻照純度對(duì)YAP和Fe: YAP晶體吸收光譜的影響，據(jù)報(bào)道，F(xiàn)e3和Fe2離子分別在260納米和227納米附近有吸收[98，99]，純YAP在260納米附近也有吸收。為了了解255納米附近的吸收峰特性，我們生長(zhǎng)并研究了純YAP晶體和濃度為0.2%的YAP:鐵。通過(guò)透射率的比較，我們粗略分析了純YAP和YAP: Fe晶體中可能的色心及其對(duì)ce3360ap自吸收的影響。浙江專業(yè)CeYAP晶體研發(fā)YAP基體中Mn離子和Ce離子之間存在明顯的能量轉(zhuǎn)移過(guò)程。

閃爍現(xiàn)象是指粒子束或射線作用于某種物質(zhì)產(chǎn)生的脈沖光。它更重要的特點(diǎn)是發(fā)出的光具有極快的衰減時(shí)間。具有這種性質(zhì)的材料稱為閃爍體或閃爍材料。利用熒光物質(zhì)的發(fā)光現(xiàn)象來(lái)記錄核輻射早就開(kāi)始了。長(zhǎng)期以來(lái)，閃爍體作為一種非常重要的電磁量熱儀材料，在高能物理、核醫(yī)學(xué)成像、核技術(shù)和工程中得到了普遍的應(yīng)用。自從我們使用閃爍材料探測(cè)輻射以來(lái)，已經(jīng)將近一個(gè)世紀(jì)了。在本世紀(jì)，一些重要的閃爍材料因其商業(yè)應(yīng)用前景而得到廣泛應(yīng)用，或者因其優(yōu)異的性能而在科學(xué)研究中得到普遍關(guān)注和發(fā)展。

可以假設(shè)這種情況存在于NaI: Tl閃爍體中，因?yàn)槠渲蠽k中心的遷移時(shí)間小于10-7s。另一個(gè)模型假設(shè)空穴與Vk中心分離，從價(jià)帶向發(fā)光中心移動(dòng)。由于非局域空穴的高遷移率，這是一種將能量轉(zhuǎn)移到發(fā)光中心的快速方法。閃爍過(guò)程的后面一個(gè)階段，即發(fā)光中心的發(fā)射，已經(jīng)得到了徹底的研究。我們上面已經(jīng)提到了一些啟動(dòng)過(guò)程。目前發(fā)光中心一般分為內(nèi)在和外在兩類。鹵化物和氧化物的本征發(fā)光主要受自陷激子效應(yīng)的制約。非本征發(fā)光主要取決于激發(fā)劑本身的電子躍遷(NaI: Tl，CaF2: Eu)或基質(zhì)與激發(fā)劑之間的躍遷(znse3360te，zns:ag)。而一些所謂的自激閃爍晶體(CeF3，Bi4Ge3O12，CaWO4)處于本征發(fā)光和非本征發(fā)光的中間狀態(tài)。 通過(guò)分析Ce: YAP晶體的自吸收機(jī)制，發(fā)現(xiàn)在YAP中存在一個(gè)Ce4離子的寬帶電荷轉(zhuǎn)移吸收峰。

電子元器件行業(yè)規(guī)模不斷增長(zhǎng)，國(guó)內(nèi)市場(chǎng)表現(xiàn)優(yōu)于國(guó)際市場(chǎng)，多個(gè)下游企業(yè)的應(yīng)用前景明朗，電子元器件行業(yè)具備廣闊的發(fā)展空間和增長(zhǎng)潛力。閃爍過(guò)程的第四階段可以稱為遷移階段，因?yàn)檫w移的電子激發(fā)并向發(fā)光中心轉(zhuǎn)移能量。通過(guò)電子空穴對(duì)與激子轉(zhuǎn)移能量是可能的。在第一種情況下，通過(guò)依次捕獲一個(gè)空穴和一個(gè)電子(電子復(fù)合發(fā)光)或者依次捕獲一個(gè)電子和空穴(空穴復(fù)合發(fā)光)來(lái)激發(fā)發(fā)光中心。比如堿鹵晶體中的Tl和Ag主要是通過(guò)電子復(fù)合發(fā)光。1995年，Tetsuhiko等人總結(jié)并重新研究了Ce:YAP晶體的光學(xué)特性。浙江專業(yè)CeYAP晶體研發(fā)

有觀點(diǎn)認(rèn)為YAP晶體的本征紫外發(fā)光中心與反位缺陷YAl3+有關(guān)。白光LED用CeYAP晶體生產(chǎn)廠家

電子、空穴和激子的相互作用將導(dǎo)致局域化。許多離子晶體表現(xiàn)出一種有趣的現(xiàn)象，即價(jià)帶空穴位于正常晶格中，這種現(xiàn)象被稱為自陷。在熱化過(guò)程中，空穴達(dá)到價(jià)帶的頂部，并被限制在特定的陰離子中。對(duì)于堿金屬鹵化物晶體，這意味著一個(gè)鹵化物離子轉(zhuǎn)變成一個(gè)原子：X- X0。該鹵原子X(jué)0將在一定程度上極化環(huán)境，并且該系統(tǒng)將顯示出軸向弛豫，導(dǎo)致這種局部空穴被兩個(gè)相鄰的陰離子共享。這種狀態(tài)被稱為X2分子或Vk中心(圖1.2)。在低溫下(通常t <200 k)，Vk核是穩(wěn)定的，位于兩個(gè)陰離子上的空穴稱為自陷空穴，電離輻射后離子晶體形成自陷空穴的平均時(shí)間為10-11 s到10-12 s，這個(gè)時(shí)間比自由空穴和導(dǎo)帶電子的復(fù)合時(shí)間短。因此，純離子晶體中的大多數(shù)空穴很快轉(zhuǎn)化為Vk中心。 不同厚度Ce:YAP晶體自吸收比較。白光LED用CeYAP晶體生產(chǎn)廠家

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