YbYAG晶體的可見熒光及其機理研究，在半導體InGaAs激光激發YbYAG晶體的熒光中，有一組位于460~494 nm的可見熒光，分析了這些可見熒光產生的原因，指出它不同于紅外熒光的發光機理，是一種離子對的合作吸收和發射.兩個離子耦合成的離子對產生的可見熒光，其強度隨激發功率的平方變化，提高晶體中離子對的密度，可見熒光可以得到增強。YbYAG晶體比NdYAG晶體更適用于產生和放大具有Hz量級重復頻率的高脈沖能量激光。作為特殊的激光工作物質，不僅具有YAG基質材料所具有的優良的物理性質和穩定的化學性能，而且具有很好的激光工作性能。高倍率光學顯微鏡下觀察YbYAG單晶光纖，可該光纖外形均勻規則。上海高濃度鐿離子摻雜YbYAG晶體批發報價
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YbYAG晶體的熔點達1970℃，為一致熔融化合物，通常采用感應加熱熔體提拉法生長：首先將待生長的晶體的原料放在耐高溫的坩堝中加熱直至熔化，調整爐內溫度場，使熔體上部處于過冷狀態。然后在籽晶桿上安放所需籽晶，并讓籽晶接觸熔體表面。當籽晶表面稍熔后，慢慢向上提拉并轉動籽晶桿，提拉速率為0.5～1mm／h、轉速為8～12r／min。使熔體處于過冷狀態而結晶于籽晶上，生長出我們所需要的晶體。希望以上的一些相關的介紹能夠對你有一些幫助。
一種YbYAG激光晶體的生長方法，所用的裝置為感應加熱提拉式單晶爐，其步驟包括按照YbYAG比例稱量原料并混合均勻，置于銥坩堝中，裝爐。單晶爐緩慢抽真空、充氣和升溫。下籽晶生長晶體。晶體生長完畢緩慢降溫至室溫，出爐。其特征在于所述單晶爐緩慢抽真空、充氣和升溫的具體過程包括單晶爐緩慢抽真空至8×10-3MP，充入純氮氣，至0.12MP壓力后開始升溫，至1500℃時觀察爐內的壓力，根據爐內的壓力再充入1～5％的氧氣，然后再升溫熔料。這里的關鍵是采用兩步充氣的方法，是基于銥坩堝在1500℃以下的高溫段會與氧氣起強烈的反應，而超過這一溫度反應則會在一定程度上。這樣充氣過程生長的晶體出爐后無色。Yb3 + 離子摻雜YAG 晶體( YbYAG) 晶體已普遍應用于高效、高功率激光領域。
不同摻雜濃度的YbYAG晶體，通過不同Yb3雜濃度30at﹪的YbYAG晶休的陰極射線發光譜，衰減時間，光輸出及其溫度依賴關系的測量研究了YbYAG晶體的閃爍性能。不同Yb3，摻雜濃度的YbYAG晶體具有不同的光輸出和淬滅溫度，光輸出隨Yb，摻雜濃度升高而降低，淬滅溫度則隨摻雜濃度的升高而升高。室溫下YbYAG晶體的發光衰減時間較短，均小于SOnsoY63摻雜濃度為5at﹪的YbYAG晶體具有較高的光輸出和較低的淬滅溫度。采用提拉法生長了原子分數為10%的Yb和不同摻雜濃度Cr的Cr,Yb:YAG激光晶體.測試了室溫下晶體的吸收光譜,熒光光譜和熒光壽命。在相同的半導體泵浦功率下，Yb:YAG泵浦生熱為Nd:YAG的三分之一。湖南提拉法生長YbYAG晶體批發廠家
YbYAG晶體發光有三種衰減成分。上海高濃度鐿離子摻雜YbYAG晶體批發報價
基于NdYAG晶體光纖的單頻脈沖激光放大器，在重點研發計劃項目的支持下，利用YbYAG晶體光纖和晶體細棒實現了平均功率大于70W的高效超快激光輸出，預計近期將實現大于100W的超快激光輸出。希望能將YbYAG晶體光纖超快激光的平均輸出功率提升至500W，在該功率范圍內部分替代薄片激光器，并在超快激光加工制造方面開辟新的應用領域。YbYAG（摻鐿釔鋁石榴石）適用于高功率輸出，在激光工業加工領域有很強優勢。看了以上的介紹希望能對你有幫助。上海高濃度鐿離子摻雜YbYAG晶體批發報價
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