為了研究過渡金屬可能對Ce: YAP晶體性能的影響,我們生長了Mn 離子摻雜的Ce: YAP 晶體,并與Mn: YAP和Ce: YAP 晶體進行了比較。選用Mn 離子一是由于Mn 對YAP 晶體的吸收譜影響很大;二是M. A. Noginov等人將Ce離子摻入Mn: YAP中來獲得三價Mn離子[113],Ce3+離子可以為Mn4+ 離子提供一個電子,使其變成三價:Ce3+ + Mn4+ → Ce4+ + Mn3+,正好研究Mn 對Ce離子價態變化的影響;而且Mn離子和Ce離子之間可能存在能量傳遞過程,對研究Ce: YAP晶體的閃爍性能會有一些參考作用。Ce: YAP 晶體中過渡金屬含量均小于 10ppm,對晶體發光影響可以忽略。北京CeYAP晶體
閃爍現象是指粒子束或射線作用于某種物質產生的脈沖光。它更重要的特點是發出的光具有極快的衰減時間。具有這種性質的材料稱為閃爍體或閃爍材料。利用熒光物質的發光現象來記錄核輻射早就開始了。長期以來,閃爍體作為一種非常重要的電磁量熱儀材料,在高能物理、核醫學成像、核技術和工程中得到了普遍的應用。自從我們使用閃爍材料探測輻射以來,已經將近一個世紀了。在本世紀,一些重要的閃爍材料因其商業應用前景而得到廣泛應用,或者因其優異的性能而在科學研究中得到普遍關注和發展。河南高溫CeYAP晶體現貨供應CeYAP作為一種高溫閃爍晶體,具有良好的機械加工性能。
Ca2+離子和Si4+離子摻雜對Ce : YAP晶體有哪些影響?釔鋁石榴石(Y3Al5O12或YAG)單晶是一種優良的激光基質材料和光學襯底材料,其中Nd:YAG和Yb:YAG激光晶體得到了普遍的應用。Ce:YAG晶體作為閃爍材料在1992年引起了人們的注意。Moszynski和Ludziejewski分別于1994年和1997年系統地研究了Ce:YAG晶體的閃爍特性,指出Ce:YAG晶體具有優異的閃爍特性。Ce:YAG衰減快(80ns),在530nm處發出熒光,其發射波長與硅光電二極管的探測敏感區相匹配,因此可應用于低能射線粒子的探測等領域。
鈰離子摻雜的高溫閃爍晶體具有高光輸出快衰減等閃爍特征,是無機閃爍晶體的一個重要發展方向,而Ce:YAP和Ce:YAG是其中較有優勢的晶體。隨著應用需求的變化,對閃爍晶體尺寸的要求也在不斷增加,生長大尺寸的閃爍晶體變得更為重要。同時國內目前生長的Ce:YAP 晶體普遍存在自吸收問題,導致光產額一直無法有效提高,且其機理至今仍不清楚。為了有效提高Ce:YAP 晶體的閃爍性能,解決其自吸收問題,提高晶體的發光強度,著重研究了Ce:YAP 晶體的自吸收機理。同時為了得到大尺寸高發光效率的Ce:YAG晶體,用溫梯法嘗試了大尺寸Ce:YAG晶體的生長,并對晶體的比較好熱處理條件進行了摸索。本論文主要圍繞大尺寸Ce:YAP晶體的生長及其自吸收問題,和溫梯法大尺寸Ce:YAG晶體的生長和退火研究,以真正提高晶體的實用性能。 CeYAP晶體閃爍速度快、光產額高、機械和化學性能優異。
生長CeYAP晶體批發價過渡金屬摻雜對YAP晶體透過邊有哪些影響?Ce: YAP晶體自吸收機制分析,從以上實驗可以看出,存在自吸收的累積效應,隨著厚度和濃度的增加而增加。在氧氣氛中退火后,自吸收增加,而在還原氣氛中,自吸收減少。自吸收隨ce離子濃度的增加而增加,與Ce離子有明顯的相關性,說明雜質離子引起自吸收有兩種可能:一種可能是Ce原料附帶的;另一種可能是其他原料中的雜質可以與Ce離子相互作用形成吸收中心。如果Ce原料上有雜質附著,CeO2原料純度為5N,Ce離子的熔體濃度小于0.6%,兩者之間的倍增為0.1ppm數量級,那么這種雜質的可能性很小。Ce和Mn: YAP的衰變時間明顯短于Ce、Mn : YAP,其快、慢成分分別為10.8ns和34.6 ns。北京CeYAP晶體
CeYAP作為閃爍晶體,用水平區熔法生長了CeYAP閃爍晶體。北京CeYAP晶體
不同溫度退火的Fe: YAP樣品的吸收光譜和差分吸收光譜是Fe: YAP樣品在不同溫度退火后的吸收光譜和微分吸收光譜。Fe: YAP晶體的吸收光譜在203納米、246納米、270納米和325納米附近有吸收峰。差示吸收光譜顯示,氫退火后264 ~ 270納米波長范圍內的吸收明顯減弱,氧退火后321納米出現差示吸收峰。可以認為246 nm和270 nm處的吸收與Fe3有關,即Fe3和Fe2之間存在躍遷[102]。除了321nm處的吸收,YAP: Fe的幾個吸收峰與純YAP晶體的吸收峰有一定距離,這不能解釋純YAP(Ce: YAP)中的其他吸收峰與鐵有關。 北京CeYAP晶體
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