山東高濃度鐿離子摻雜YbYAG晶體廠家直供

來源: 發布時間:2022-03-27

YbYAG激光晶體的高溫退火和高濃度摻雜效應,測定了提拉法生長的不同摻雜濃度的YbYAG晶體從紫外到近紅外區的吸收光譜,發現高溫氧化氣氛退火后原先可見光區色心寬帶吸收消失的同時,在紫外區出現新的吸收帶,并通過色心的轉化對這一現象進行了解釋。在紫外區和近紅外區吸收光譜中,發現隨摻雜濃度的升高220 nm和940 nm附近的吸收帶的位置略有移動,提出是由于Yb3+離子摻雜引起的晶格結構畸變導致了YbYAG晶體光譜性質的改變。YbYAG與傳統的晶體相比具有更大的吸收帶寬,更長的上能級壽命。與傳統的Nd:YAG晶體相比,YbYAG晶體具有更大的吸收帶寬,更長的壽命。山東高濃度鐿離子摻雜YbYAG晶體廠家直供

YbYAG晶體是一種發展前景巨大的固體激光工作物質,由于Yb4+ 離子具有 4f13 電子結構,它的吸收和發射譜帶簡單,激光上能級無激發態自吸收和上轉換,輻射量子效率高,峰值位于 940nm 和 970nm 的吸收線寬寬,吸收系數大,與InGaAs二極管發光波長很好配,非常適合LD泵浦,加上YAG 晶體基質的優異光學和導熱性能,因而是高效率高平均功率LD泵浦激光器的理想工作物質,國際上已研制出LD泵浦輸出2KW以上的高功率YbYAG激光器,并用于汽車制造業激光加工。甘肅非復合YbYAG晶體出廠價YbYAG晶體可輸出0.94 μm激光。

室溫下YbYAG的上轉換熒光光譜,此熒光歸因于Yb3+離子的“合作”發光和Yb3+離子到稀土雜質離子的能量轉移。測試了YbYAG晶體的X射線熒光,發光峰對應于電荷遷移態到Yb3+離子的基態,激光態間的躍遷。研究了Cr,YbYAG晶體的熒光光譜,討論了Cr4+激光輸出的可能性。YbYAG晶體比NdYAG晶體更適用于產生和放大具有Hz量級重復頻率的高脈沖能量激光。在相同的半導體泵浦功率下,Yb:YAG泵浦生熱為Nd:YAG的三分之一,就夠很容易的被InGaAs半導體激光器所泵浦,是一種適合LD泵浦的高平均功率和高光束質量的發射1um左右波長的激光材料。

YbYAG晶體有哪些生長方法?是如何生長的?如果感興趣的就一起來看看吧,YbYAG激光晶體的生長方法,一般用提拉法生長YbYAG晶體,得到的晶體呈藍色。這是因為存在Yb2+和Re-F色心。由于晶體中含有Yb2+,使晶格發生畸變,不但使晶格缺陷大量增加,而且也對Yb3+的能級結構造成不利影響。導致了370nm和625nm處存在吸收波段和Re-F色心的形成。YbYAG晶體或摻鐿釔鋁石榴石晶體更適合激光二極管泵浦激光系統。希望以上的一些相關的介紹能夠對你有一些幫助。YbYAG晶體熱效率低、適合LD泵浦。

對YbYAG晶體感興趣的可以來看看下文的一些相關知識的介紹,激光二極管抽運低溫YbYAG再生放大器,對YbYAG晶體熒光譜線的分析,討論了其低溫條件下的增益特性.利用激光二極管作為抽運源,采用背向端面抽運方式,使用摻雜原子數分數為8%的片狀YbYAG晶體,搭建了一臺低溫條件下工作的再生放大器。通過小能量信號光注入,在-90℃的低溫下,可以得到重復頻率10Hz,脈寬10ns,能量10.3mJ的激光脈沖輸出,放大倍數達107倍。希望以上的介紹能夠對你有幫助。YbYAG晶體可發射1030 nm近紅外激光。甘肅YbYAG晶體批發報價

YbYAG晶體可應用于高效、高功率激光領域。山東高濃度鐿離子摻雜YbYAG晶體廠家直供

電子元器件是構成電子信息系統的基本功能單元,是各種電子元件、器件、模塊、部件、組件的統稱,同時還涵蓋與上述電子元器件結構與性能密切相關的封裝外殼、電子功能材料等。回顧過去一年國內Ce:YAG,Ce:YAP,Tm:YAP,Yb:YAG產業運行情況,上半年市場低迷、部分外資企業產線轉移、中小企業經營困難,開工不足等都是顯而易見的消極影響。但隨著Ce:YAG,Ce:YAP,Tm:YAP,Yb:YAG產業受到相關部門高度重視、下游企業與元器件產業的黏性增強、下游 5G 產業發展前景明朗等利好因素的驅使下,我國電子元器件行業下半年形勢逐漸好轉。隨著我們過經濟的飛速發展,脫貧致富,實現小康之路觸手可及。值得注意的是有限責任公司(自然)企業的發展,特別是近幾年,我國的電子企業實現了質的飛躍。從電子元器件的外國采購在出售。電子元器件加工是聯結上下游供求必不可少的紐帶,目前電子元器件企業商已承擔了終端應用中的大量技術服務需求,保證了原廠產品在終端的應用,提高了產業鏈的整體效率和價值。電子元器件行業規模不斷增長,國內市場表現優于國際市場,多個下**業的應用前景明朗,電子元器件行業具備廣闊的發展空間和增長潛力。山東高濃度鐿離子摻雜YbYAG晶體廠家直供

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