不同濃度Tm:YAP與純YAP的XRD譜，根據衍射數據算得不同濃度Tm:YAP晶體的晶胞參數示，其晶格常數a、b、c及晶胞體積分別略小于純YAP相應值，并且基本上隨Tm3+摻雜濃度增大而進一步減小，但總得說來，基質晶體結構的畸變較小。這主要是因為Tm3+與Y3+同屬于鑭系的三價稀土離子，Tm3+的半徑0.88 ?略小于Y3+的半徑（0.9 ?），因此Tm3+的摻入使晶胞參數略微減小而不會改變YAP基質晶體的結構。2m激光的發射波長范圍一般為1.87-2.16米，主要以Tm3和Ho3作為活性離子。2m固體激光器由于其在水中的吸收系數高、大氣傳輸性好、對人眼安全等優點，在醫學領域有著重要的應用，主要體現在以下幾個方面：醫用手術刀。 Tm:YAG可適用于軟硬組織的接觸與非接觸切割、切除和凝固。吉林非線性TmYAP晶體行情
在半導體靶材領域，也有稀土相關身影出現，雖然絕大多數半導體芯片的濺射靶材都是采用的銅、鋁等傳統金屬，但仍有相當一部分采用的是鉭靶、鉬靶等為主。比如鉬和氧化銦常被用做平板顯示靶材，鉭被用做芯片的靶材，鎢被用作存儲器芯片的靶材。稀土的另一大用途則是在激光方面，甚至有觀點認為稀土孕育了人造激光。目前已知約有320種激光晶體，其中約290種是摻入稀土作為觸活離子的，比如摻釹釔鋁石榴石晶體，可以用作重復頻率高的脈沖激光器，氟化鋰釔可以被用作二極管泵浦的激光晶體。吉林非線性TmYAP晶體行情TmYAP晶體LD泵浦吸收帶寬比TmYAG晶體寬4nm。
根據衍射數據算得不同濃度Tm:YAP晶體的晶胞參數示，其晶格常數a、b、c及晶胞體積分別略小于純YAP相應值，并且基本上隨Tm3+摻雜濃度增大而進一步減小，但總得說來，基質晶體結構的畸變較小。這主要是因為Tm3+與Y3+同屬于鑭系的三價稀土離子，Tm3+的半徑0.88 ?略小于Y3+的半徑（0.9 ?），因此Tm3+的摻入使晶胞參數略微減小而不會改變YAP基質晶體的結構。 1.進一步優化光腔參數，設計合適的光腔結構，提高Tm:YAP晶體的激光輸出效率及輸出能量。
Tm:YAP晶體熒光譜及熒光壽命？一、基質材料，激光工作物質中的基體材料為離子提供了外場，使離子產生合適的激光發射，并影響發射峰位置和發射線寬。由相同活化離子的不同基質組成的工作物質可以具有不同的發射波長范圍、激光閾值和激光傾斜效率。Tm:YAP晶體結構及分凝系數如前所述，YAP晶體屬正交晶系畸變鈣鈦礦結構，空間群為D162h (Pnma)，其結構示意圖如圖4-2所示，其中Al3+的配位數為6，處于氧八面體的中心，而Y3+的配位數是12，處于氧配位多面體的中心。Y-O鍵間距離2.62?，使稀土離子很容易取代Y3+進入晶格1。Tm:YAP吸收系數與濃度變化成正比?
由于Tm:YAP的各向異性，對3F4→3H6躍遷的發射截面，我們采用F-L公式以及偏振發射譜進行了計算。F-L公式可表示為：（4-3）式中c為光速，λ為波長，I(λ)為熒光光譜上某一波長λ處的熒光強度，n為折射率，τrad為上能級輻射壽命。5at%Tm:YAP各偏振方向發射截面計算結果如圖4-19所示，其中E//a方向在1934nm具有比較大發射截面4.5×10-21cm2，接近于報道數據5.0×10-21cm2。3at%Tm:YAP、4at%Tm:YAP、5at%Tm:YAP晶體E//a發射截面在1934nm處基本相同。摻銩釔鋁石榴石晶體棒的直徑為從2mm到7mm,棒的長度達100mm。河南鎖膜TmYAP晶體參數
輸出2μm波段的摻銩鋁酸釔激光晶體及其制備工藝，屬于光電子材料領域。吉林非線性TmYAP晶體行情
在技術上，稀土的技術門檻和涉及的上下游也和半導體差距很大。稀土的主要門檻是精煉能力，在這方面中國是全球頭一。但別國若想在技術上追平我國，或許比我們在半導體產業投入的資金與時間少許多。在上下游產業鏈中，半導體牽扯到的產業鏈無疑更為普遍，從設計到制造、還有設備，材料等一大堆產業，就拿臺積電來說，其供應商的數量就超過了3000家，稀土無疑不需要這么長的產業鏈條。綜述，從產業規模來說，稀土與半導體產業或許不能相提并論，但重要性而言，工業缺少“糧食”會萎縮，缺少“維生素”也會衰退，兩者的區別只是在于哪種衰落的更快而已，不過由于稀土規模小，有時候可以達到四兩撥千斤的效果。吉林非線性TmYAP晶體行情
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