不同濃度Tm:YAP與純YAP的XRD譜，根據衍射數據算得不同濃度Tm:YAP晶體的晶胞參數示，其晶格常數a、b、c及晶胞體積分別略小于純YAP相應值，并且基本上隨Tm3+摻雜濃度增大而進一步減小，但總得說來，基質晶體結構的畸變較小。這主要是因為Tm3+與Y3+同屬于鑭系的三價稀土離子，Tm3+的半徑0.88 ?略小于Y3+的半徑（0.9 ?），因此Tm3+的摻入使晶胞參數略微減小而不會改變YAP基質晶體的結構。2m激光的發射波長范圍一般為1.87-2.16米，主要以Tm3和Ho3作為活性離子。2m固體激光器由于其在水中的吸收系數高、大氣傳輸性好、對人眼安全等優點，在醫學領域有著重要的應用，主要體現在以下幾個方面：醫用手術刀。 TmYAP晶體LD泵浦吸收帶寬比TmYAG晶體寬4nm。河北人工TmYAP晶體品牌
3at%Tm:YAP激光實驗在水冷溫度18℃下進行，樣品垂直b向切割，尺寸為4×4×8mm3，當注入功率22W時，獲得5W 波長為1.94mm激光輸出，光光轉換效率23%。輸出鏡透射耦合率5%和8mm長晶體配合使用時，由于諧振腔透射損耗減小，增益較低的1.98~1.99mm波長振蕩輸出。對H2退火前后晶體激光性能進行了比較，3at%Tm:YAP晶體經過氫氣退火處理，斜率效率較未經退火的提高40%，可見H2退火使晶體中雜質離子（Fe3+等）及缺陷減少，提高了晶體的激光性能，具體原因還有待于進一步分析。河北人工TmYAP晶體品牌低溫下TmYAP有少量尖銳發射峰。
Tm:YAP和Tm:LSO兩微米波段激光晶體生長、光譜和激光性能的研究.1. 采用TPM法計算了Tm:YAP晶體JO參數：Ω2＝0.8×10-19cm2，Ω4＝1.6×10-19 cm2，Ω6＝1.1×10-19 cm2，擬合得到的JO參數與文獻報道的非常接近；由JO參數計算得3F4能級輻射壽命為4.8ms。2. 計算了Tm:YAP中能量交叉弛豫參數CD-A=1.53×10-40cm6/s，能量交叉弛豫半徑為6.2?，施主與施主離子能量轉移參數CD-D=2.48×10-39cm6/s；對不同濃度能量傳遞速率WEE進行計算，并結合速率方程求解，得出泵浦效率h隨濃度增加而增加。
我們提供的Tm:YAG晶體,摻銩釔鋁石榴石晶體如下： I）Tm:YAG晶體摻雜濃度從1 at.％ 到8 at ％ Tm/Y; II)摻銩釔鋁石榴石晶體棒的直徑為從2mm到7mm,棒的長度達100mm; III)Tm:YAG晶體,摻銩釔鋁石榴石晶體可提供增透，局部或高反等諸多鍍膜選擇。 Tm:YAG晶體中文名摻銩釔鋁石榴石晶體,Tm:YAG晶體具有2微米波長固體激光源的理想介質。基于以上重要的應用價值，2m激光一直是激光發展的重要方向之一。早在1962年，Johnson L F團隊就報道了摻Ho3和摻TM3的2M帶的激光輸出是在鎢酸鈣(CaWO4)晶體中中實現的。Tm:YAP晶體的常溫熒光譜及熒光壽命？
Tm:YAP晶體能量轉移參數計算結果如何？由于Tm:YAP的各向異性，對3F4→3H6躍遷的發射截面，我們采用F-L公式以及偏振發射譜進行了計算。F-L公式可表示為：（4-3）式中c為光速，λ為波長，I(λ)為熒光光譜上某一波長λ處的熒光強度，n為折射率，τrad為上能級輻射壽命。5at%Tm:YAP各偏振方向發射截面計算結果如圖4-19所示，其中E//a方向在1934nm具有比較大發射截面4.5×10-21cm2，接近于[25]報道數據5.0×10-21cm2。3at%Tm:YAP、4at%Tm:YAP、5at%Tm:YAP晶體E//a發射截面在1934nm處基本相同。Tm:YAG晶體摻雜濃度從1 at.％ 到8 at ％ Tm/Y。廣東國產TmYAP晶體現貨供應
用直拉法可成功地生長了濃度分別為1at%、3at%、4at%、5at%和15at%的Tm:YAP晶體。河北人工TmYAP晶體品牌
在半導體靶材領域，也有稀土相關身影出現，雖然絕大多數半導體芯片的濺射靶材都是采用的銅、鋁等傳統金屬，但仍有相當一部分采用的是鉭靶、鉬靶等為主。比如鉬和氧化銦常被用做平板顯示靶材，鉭被用做芯片的靶材，鎢被用作存儲器芯片的靶材。稀土的另一大用途則是在激光方面，甚至有觀點認為稀土孕育了人造激光。目前已知約有320種激光晶體，其中約290種是摻入稀土作為觸活離子的，比如摻釹釔鋁石榴石晶體，可以用作重復頻率高的脈沖激光器，氟化鋰釔可以被用作二極管泵浦的激光晶體。河北人工TmYAP晶體品牌
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