一種藍光半導體激光器激發CeYAG晶體的激光照明系統，包括藍光半導體激光器，光學耦合透鏡組，光纖，CeYAG晶體模塊，光學透鏡組，上述元件依次排列于同一光路上.其中N個(N≥1)藍光半導體激光器經過光學耦合透鏡組的準直和聚焦，耦合進光纖，多根光纖可以進行捆綁合束，也可以進行熔融拉錐合束，從光纖出來的藍光半導體激光激發具有高激光損傷閾值的CeYAG晶體模塊，產生490～700nm波段的熒光(即受激發熒光)，并通過對CeYAG晶體模塊的光學設計達到對透射的藍色激光和受激發熒光的勻化，光學透鏡組對CeYAG晶體模塊勻化后的光線進行配光曲線的調節，從而產生用于照明領域的均勻白光。提拉法生長Ce:YAG晶體?北京雙折射CeYAG晶體加工
Ce:YAG閃爍晶體的主要應用在哪里？CeYAG晶體可以用于核天文學、核空間物理學、核考古學、核地質學以及核測量學等領域中？在大多數無機閃爍晶體中，經常顯示兩個或更多的光衰減時間常數，它們分別對應于快成分和慢成分。BaF2晶體是目前所有無機閃爍晶體中光衰減常數0快(約0.8ns)的閃爍材料。此外，BaF2還具有約600毫微秒的慢分量。在許多閃爍計數應用中，不只無機閃爍晶體的光衰減性能特別重要，其光輸出性能也同樣重要。因此，品質因數(M)通常用于表征無機閃爍晶體的性能，M指光輸出與光衰減的比率。青海CeYAG晶體出廠價CeYAG晶體能與硅光二極管有效耦合，耐高溫不潮解，可在極端條件下應用。
電子-空穴對的數量直接決定了無機閃爍晶體的光輸出。假設產生一對電子-空穴對所需的平均能量為eh，光子的能量E全部被閃爍晶體吸收，那么無機閃爍晶體形成的電子-空穴對的數目Neh可以由下式表示Neh=Er/ξeh=Er/βEg 當光線與閃爍晶體相互作用時，晶體中電子空穴對Neh的數量直接影響晶體的光輸出。假設電子空穴對轉化為閃爍光子的效率為(與從電子空穴對到發光中心的能量轉移效率和發光中心的量子效率有關)，可以得出：無機閃爍晶體的光輸出主要與晶體成分(，Eg)、電子空穴向發光中心的能量轉移效率和發光中心的量子效率()有關。
采用提拉法生長CeYAG單晶，通過X射線衍射和激發發射光譜對其晶相結構和光譜特性進行了表征，研究了CeYAG單晶封裝白光LED的較佳摻雜濃度.在455 nm藍光激發下，CeYAG單晶的發射光譜可由中心波長526 nm(5d12 EgГ8g→4f12 F7/2Г8u)的寬發射帶(500650 nm)組成激發光譜由343 nm (4f12F5/2Г7u→5d12EgГ7g)和466 nm(4f12F5/2Г7u→5d12EgГ8g)2個激發峰組成Stokes位移為2448cm-1，Huang-Rhys因子為6.12.研究結果表明，CeYAG單晶中Ce離子摻雜濃度與封裝的白光LED之間有對應關系，在650nm紅粉調節下Ce離子較佳摻雜濃度范圍為0.0340.066。Ce:YAG屬于無機閃爍體。
隨著人們對閃爍晶體材料進一步深入的研究和科技的發展，閃爍晶體材料一般可用于X射線、γ射線、中子及其他高能粒子的探測。經過100多年的發展，以閃爍晶體為關鍵的探測和成像技術已經在核醫學、高能物理、安全檢查、工業無損探傷、空間物理及核探礦等方面得到了很多的應用。閃爍晶體可以發出透明的熒光，在高能射線或其他放射性粒子通過時，會發出閃爍光，該種材料可以應用在射線、中子、高能粒子的探測中，經過了百年的發展，閃爍晶體材料已經在安全檢查、高能物理、核醫學等領域得到推廣。CeYAG閃爍晶體開展了高分辨率X射線成像系統關鍵器件——閃爍體研制工作。山東品質CeYAG晶體現貨
如今無機閃爍晶體的閃爍機制不斷得到改進和發展。北京雙折射CeYAG晶體加工
Ce:YAG晶體的光學吸收譜多少？鈰離子摻雜的鋁酸釔（Ce:YAlO3或Ce:YAP）和釔鋁石榴石（Ce:Y3Al5O12或Ce:YAG）高溫閃爍晶體不僅具有高光輸出和快衰減的閃爍特性（見表1－9），而且YAP和YAG基質晶體還具有優良的物理化學特性（基本物理化學特性見表1-10）。它們的缺點是密度低有效原子序數小，但是它們可以廣泛應用在中低能量射線和粒子探測領域中[45][49]。Ce:YAP和Ce:YAG是較為典型的兩種高光輸出快衰減高溫無機閃爍晶體，對它們的生長特征、晶體缺陷以及光學閃爍性能等的研究，對研究和探索其它鈰離子摻雜的高溫閃爍晶體具有重要借鑒意義。北京雙折射CeYAG晶體加工
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