為了了解過渡金屬摻雜對Ce: YAP自吸收可能產生的影響，我們對比了Cu(0.5%), Fe(0.5%)，Mn(0.5%) 等過渡金屬摻雜的純YAP晶體的透過譜。由此可見，Mn摻雜YAP在480nm處有明顯吸收峰，Cu 摻雜則在370nm左右存在吸收峰，Fe摻雜YAP并將在下節討論。我們生長的Ce: YAP 在350nm到500nm范圍內不存在額外吸收峰，少量過渡金屬離子的存在對吸收只會造成線性疊加影響, 且低濃度吸收并不足以造成Ce: YAP晶體的自吸收，因此過渡金屬離子污染造成Ce: YAP吸收帶紅移可能性不大。二價離子摻雜對Ce: YAP晶體的閃爍性能有很強的負面影響。貴州科研用CeYAP晶體型號
品質優的CeYAP晶體注意事項：用提拉法生長大尺寸Ce: YAP晶體，包括改進生長設備和調整生長工藝。因為以前的生長工藝不適合生長大尺寸的Ce: YAP晶體，尤其是晶體形狀、肩部和等徑部分不能得到有效控制，影響晶體質量。為了解決存在的問題，我們改進了晶體生長爐的功率控制系統和重量傳感系統，重新設計了坩堝和保溫罩，并對溫度場過程進行了適當的探索。Ce:YAG衰減快(80ns)，在530nm處發出熒光，其發射波長與硅光電二極管的探測敏感區相匹配，因此可應用于低能射線粒子的探測等領域。貴州科研用CeYAP晶體型號1991年，Baryshevky等人用水平區熔法生長了Ce:YAP閃爍晶體。
Ce:YAP和Ce:YAG高溫閃爍晶體的區別？無機閃爍晶體的閃爍機理，閃爍體的本質是在盡可能短的時間內將高能射線或粒子轉化為可探測的可見光。高能射線與無機閃爍晶體的相互作用一般有三種方式：光電效應、康普頓散射和正負電子對。在光電效應中，一個離子吸收光子后，會從它的一個殼層發射光電子。光電子能量是光子能量和電子結合能之差。當殼層中的空位被較高能量的電子填滿時，結合能將以X射線或俄電子的形式釋放出來。產生的X射線將在二次光電過程中被吸收，入射光的所有能量將被閃爍體吸收。 過渡金屬摻雜對YAP晶體透過邊有哪些影響？
電子、空穴和激子的相互作用將導致局域化。許多離子晶體表現出一種有趣的現象，即價帶空穴位于正常晶格中，這種現象被稱為自陷。在熱化過程中，空穴達到價帶的頂部，并被限制在特定的陰離子中。對于堿金屬鹵化物晶體，這意味著一個鹵化物離子轉變成一個原子：X- X0。該鹵原子X0將在一定程度上極化環境，并且該系統將顯示出軸向弛豫，導致這種局部空穴被兩個相鄰的陰離子共享。這種狀態被稱為X2分子或Vk中心(圖1.2)。在低溫下(通常t <200 k)，Vk核是穩定的，位于兩個陰離子上的空穴稱為自陷空穴，電離輻射后離子晶體形成自陷空穴的平均時間為10-11 s到10-12 s，這個時間比自由空穴和導帶電子的復合時間短。因此，純離子晶體中的大多數空穴很快轉化為Vk中心。 不同厚度Ce:YAP晶體自吸收比較。CeYAP是一種性能優良的閃爍晶體，它具有良好的機械加工性能。
無機閃爍晶體在將高能射線或粒子轉化為低能光子的過程中，會發生一系列微觀過程，如一級和二級電離和激發、電子-空穴、光子和激子的遷移、電子與電子、電子與聲子(矩陣)之間的弛豫、電子-空穴對的俘獲、電子-空穴對與熒光中心之間的能量轉移等。當經歷電離事件時，閃爍體處于從非平衡狀態到平衡狀態的弛豫過程中。大量的熱化電子空穴對和這些電子產生的相當一部分低能激子0終會轉化為發射光子，從高能輻射到紫外或可見光光子的過程就是閃爍過程。YAP晶體生長氣氛：由于采用中頻加熱方式，主要保溫材料為高熔點絕熱氧化物(氧化鋯、氧化鋁等)。貴州科研用CeYAP晶體型號
發現YAP基質中Ce，Mn之間存在明顯的能量轉移過程。貴州科研用CeYAP晶體型號
紫外輻照對Ce:YAP晶體自吸收有影響嗎？摻鈰高溫閃爍晶體是無機閃爍晶體的一個重要發展方向，其中鈰：YAP和鈰3360Yag是較好的晶體。隨著應用要求的變化，閃爍晶體的尺寸越來越大，因此生長大尺寸的閃爍晶體變得更加重要。同時，國內生長的Ce:YAP晶體自吸收現象普遍存在，導致無法有效提高出光量，其機理尚不清楚。為了有效提高Ce:YAP晶體的閃爍性能，解決其自吸收問題，提高其發光強度，重點研究了Ce:YAP晶體的自吸收機制。同時，為了獲得高發光效率的大尺寸Ce:YAG晶體，嘗試用溫度梯度法生長大尺寸Ce:YAG晶體，并探索了晶體的比較好熱處理條件。本文主要討論了大尺寸Ce:YAP晶體的生長和自吸收以及用溫度梯度法生長和退火大尺寸Ce:YAG晶體，以提高晶體的實用性能。貴州科研用CeYAP晶體型號
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