以CeYAG單晶取代傳統，CeYAG熒光粉用于制備白光發光二極管(LED)，研究了CeYAG單晶厚度及驅動電壓的變化對其發射光譜，色坐標，亮度，光視效能和色溫的影響. 研究結果表明，在基于CeYAG單晶的白光LED中，發射光的色坐標以及藍光與黃綠光之間的相對強度可通過對CeYAG單晶片厚度的改變進行調整.在恒定電壓驅動下，白光LED樣品的亮度，光視效能和色溫均隨單晶片厚度的減小而增加.當CeYAG單晶厚度為0.6mm時，可獲得較純的白發射光，并且 其色坐標具有較高的可靠性和穩定性，基本不受驅動電壓變化的影響.研究結果表明CeYAG單晶是一種可用于新型白光LED的理想熒光材料。無機閃爍晶體(Ce:YAG)的閃爍機理之電子空穴對的產生。甘肅生長CeYAG晶體生產
Ce:YAG高溫閃爍晶體不但具有閃爍性能，而且具有良好的光脈沖分辨射線和粒子的能力，能與硅光二極管有效耦合，耐高溫不潮解，可在極端條件下應用。因此，用Ce:YAG與硅光二極管耦合制成的閃爍探測器可普遍應用于低能射線、粒子等輕帶電粒子的探測等核物理實驗。此外，Ce:YAG單片機還可以作為掃描電子顯微鏡的顯示元件，在大規模集成電路的檢測中有著重要而普遍的應用。另外，與CsI:Tl閃爍晶體相比，Ce:YAG閃爍晶體響應小，光衰減快，在小于500Kev的能量范圍內不潮解，有望部分替代CsI:Tl閃爍晶體。表1-11比較了Ce3360 YAG和CsI:Tl閃爍晶體的主要閃爍特性。甘肅生長CeYAG晶體生產CeYAG閃爍晶體熱力學性能穩定。
我們采用溫梯法生長了Ce:YAG 晶體，原料采用高純 Y2O3 (5N), CeO2 (5N) 和 Al2O3 (5N) 粉末，按照化學式 (Y0.997Ce0.003)3Al5O12 配料。生長方向 <111>，高純 Ar 氣氛，具體生長方法見第二章所述。如圖 5-1，生長的晶體尺寸為Φ110×80mm，呈黃黑色，主要是由發熱體質量欠佳造成的碳揮發物引起的。晶體*在放肩部位有兩處小裂紋，外形絕大部分保持完整。生長出來的晶體經過高溫空氣退火 24 小時后，黑色基本消失。圖 5-2 為晶體切片樣品，樣品經空氣退火后加工，從圖可見在晶體的中心位置仍有少量黑色物質，中心部分的碳污染無法消除說明退火不充分，經再次空氣退火可完全消除。由應力儀下觀察的結果來看，晶體中無明顯應力，也沒有因小面生長現象而產生的**，說明晶體生長過程中固液界面較平。
當光線與閃爍晶體相互作用時，晶體中電子空穴對Neh的數量直接影響晶體的光輸出。假設電子空穴對轉化為閃爍光子的效率為(與從電子空穴對到發光中心的能量轉移效率和發光中心的量子效率有關)，可以得出：無機閃爍晶體的光輸出主要與晶體成分(，Eg)、電子空穴向發光中心的能量轉移效率和發光中心的量子效率()有關。NaI:Tl閃爍晶體具有比較大光輸出(約48，000 ph/mev)。將其他無機閃爍晶體的光輸出與NaI:Tl晶體的光輸出進行比較得到的相對值(%NaI(Tl))稱為“相對光輸出”。相對光輸出通常用于表征無機閃爍晶體的光輸出。閃爍晶體是典型的光電轉換材料。
CeYAG晶體的一些相關知識你知道多少呢？和小編一起來看看吧，采用真空坩堝下降法生長了白色發光二極管（LED）用CeYAG晶體，該生長方法所得晶體的Ce3+摻雜濃度較高，相對色溫（3751K）低于傳統方法所生長的CeYAG晶體，其激發峰是位于460 nm左右的寬峰，與藍光LED的發射波長相匹配，有望代替黃色熒光粉用于白光LED。隨驅動電流增加，白光LED的發光效率逐漸降低，相對色溫幾乎不變。在100mA時，白光LED顯色指數達到較大值。CeYAG晶體可以用在LED照明上嗎？Ce：YAG晶體的硬度能達到多少？高光輸出快速衰減無機閃爍晶體的興起。CeYAG單晶在340nm和460nm處有明顯的吸收峰。河北CeYAG晶體定制
Ce:YAG閃爍晶體具有比較大光輸出。甘肅生長CeYAG晶體生產
高溫閃爍晶體今后的發展趨勢主要包括以下幾個方面： 1、研究高溫閃爍晶體中存在的各種點缺陷及其對閃爍性能的影響，真正實現無機閃爍晶體的分子優化與分子設計。2、發展混合型高溫閃爍晶體將是今后發展的趨勢之一。例如，Ce:LuAP高溫閃爍晶體具有十分誘人閃爍性能，但是在晶體生長過程中容易生成石榴石相，很難獲得穩定的LuAP相，從而限制了晶體的使用.1近，研究表明，與Ce:LuAP晶體相比，混合型晶體Lux(RE3+)1-xAP:Ce (RE3+ = Y3+ or Gd3+)可以降低晶體生長難度以及生產成本，同時閃爍性能也比較理想。甘肅生長CeYAG晶體生產
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