與其它常用閃爍晶體相比，Ce:YAP晶體還具有下列閃爍特征：光輸出的溫度特性好。Ce:YAP晶體光輸出隨溫度變化特性，在25~200oC 區間內，晶體光產額隨溫度增加基本保持不變。與其它晶體如NaI:Tl、BGO和CsI等相比，Ce:YAP的這種對溫度依賴小的特性可以使其在高溫環境下使用。 研究表明，Ce:YAG晶體的閃爍性能對Ce3+離子濃度有較強的依賴關系。YAG晶體的礦物學名稱為釔鋁石榴石，分子式為Y3Al5O12, 屬于立方晶系。Ce:YAG具有快衰減以及在550nm發射熒光，使得它可以應用于中低能量γ射線α粒子的探測等領域。Ce:YAG屬于無機閃爍體。陜西雙折射CeYAG晶體報價
根據經典熒光理論，參數q也可以由公式(1.15) [14]計算。公式中，Wr和Wnr分別為輻射和非輻射躍遷概率；c是猝滅常數，Eq是猝滅能，kb是為玻爾茲曼常數，t是完全溫度。分析表明，光輸出主要與晶體的帶隙、基體的組成和結構、能量傳輸效率和溫度有關。當帶隙變為零時，閃爍晶體將獲得比較大光輸出。但一般情況下，當Eg小于2eV時，無輻射躍遷的概率會增大，從而Q變小，光輸出變小。結果表明，摻鈰離子閃爍晶體的光輸出差異主要是由S 的差異引起的。陜西雙折射CeYAG晶體報價從宏觀上看，直拉法可以生長出完整透明的Ce:YAG閃爍晶體。
根據出現的順序，無機閃爍晶體的閃爍機制可分為以下五個階段：1.電離輻射的吸收和初級電子和空穴的產生；2.一次電子和空穴的弛豫，即產生大量的二次電子、空穴、光子、激子等電子激發；3.低能二次電子和空穴的弛豫(熱化)，即形成能約為能隙寬度Eg的熱化電子-空穴對；4.電子和空穴向發光中心的熱傳遞和發光中心的激發；5.激發態的發光中心發出紫外或可見熒光，即閃爍光。為了研究方便，人們往往將上述五個閃爍步驟分為兩部分：(1)電子-空穴對的產生(**個階段)和(2)發光中心的激發和發射(后兩個階段)。
CeYAG是一種重要的具有優良閃爍性能的閃爍晶體，具有高的發光效率和寬的光脈沖，較大優點是其發光中心波長為550nm，可以與硅光二極管等探測設備有效耦合。同CsI閃爍晶體相比，CeYAG閃爍晶體具有快衰減時間（約70ns，而CsI衰減時間約為300ns），而且CeYAG閃爍晶體不潮解、耐高溫、熱力學性能穩定，主要應用在輕粒子探測、α粒子探測、gamma射線探測等領域，另外它還可以應用于電子探測成像（SEM）、高分辨率顯微成像熒光屏等領域。由于Ce離子在YAG基質中的分凝系數小（約為0.1），使Ce離子很難摻入YAG晶體中，而且隨著晶體直徑的增大，晶體生長難度急劇增加。如今無機閃爍晶體的閃爍機制不斷得到改進和發展。
以CeYAG單晶取代傳統，CeYAG熒光粉用于制備白光發光二極管(LED)，研究了CeYAG單晶厚度及驅動電壓的變化對其發射光譜，色坐標，亮度，光視效能和色溫的影響. 研究結果表明，在基于CeYAG單晶的白光LED中，發射光的色坐標以及藍光與黃綠光之間的相對強度可通過對CeYAG單晶片厚度的改變進行調整.在恒定電壓驅動下，白光LED樣品的亮度，光視效能和色溫均隨單晶片厚度的減小而增加.當CeYAG單晶厚度為0.6mm時，可獲得較純的白發射光，并且 其色坐標具有較高的可靠性和穩定性，基本不受驅動電壓變化的影響.研究結果表明CeYAG單晶是一種可用于新型白光LED的理想熒光材料。用CeYAG與硅光二極管耦合制成的閃爍探測器可應用于低能射線、粒子等輕帶電粒子的探測等核物理實驗。陜西雙折射CeYAG晶體報價
CeYAG晶體在小于500Kev的能量范圍內不潮解，有望部分替代CsI:Tl閃爍晶體。陜西雙折射CeYAG晶體報價
CeYAG單晶在340nm和460nm處有明顯的吸收峰，這是Ce3+的特征吸收峰。目前商用白光LED中使用的藍光芯片的發射波長為460nm。中心波長460nm的CeYAG單晶的寬吸收帶表明，它能有效地吸收藍晶片發出的藍光，將藍晶片發出的藍光和CeYAG晶片發出的黃光疊加成白光。此外，CeYAG單晶具有良好的熱穩定性，這對大功率白光LED器件的制造尤為重要。隨著CeYAG晶片厚度的增加，藍晶片和CeYAG晶片封裝的白光LED器件的光效率逐漸提高，色溫和顯色指數逐漸降低，隨著晶片厚度的增加，Ce3+的含量相對增加。吸收的藍光越多，發出的黃光越多，導致晶圓的發光從藍色變成白色變成黃色。陜西雙折射CeYAG晶體報價
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