根據出現的順序，無機閃爍晶體的閃爍機制可分為以下五個階段：1.電離輻射的吸收和初級電子和空穴的產生；2.一次電子和空穴的弛豫，即產生大量的二次電子、空穴、光子、激子等電子激發；3.低能二次電子和空穴的弛豫(熱化)，即形成能約為能隙寬度Eg的熱化電子-空穴對；4.電子和空穴向發光中心的熱傳遞和發光中心的激發；5.激發態的發光中心發出紫外或可見熒光，即閃爍光。為了研究方便，人們往往將上述五個閃爍步驟分為兩部分：(1)電子-空穴對的產生(**個階段)和(2)發光中心的激發和發射(后兩個階段)。CeYAG閃爍晶體可以應用于極端的探測環境中。廣東國產CeYAG晶體制造
無機閃爍晶體的主要應用，與塑料聚合物、液體、液晶和熒光粉等普通閃爍材料相比，無機閃爍晶體具有密度高、體積小、物理化學性質和閃爍性能優異等突出特點、可用于高能物理和核物理實驗、核醫學成像(XCT和正電子發射斷層掃描)、工業CT的在線檢測、油井勘探、安全檢查和反恐斗爭，此外，無機閃爍晶體在核天文學、核空間物理學、核考古學、核地質學和核測量方面具有巨大的潛在應用價值。這些領域會越來越受到人們的重視。而且隨著核技術向各個行業的滲透和其他技術的快速發展，將會給無機閃爍晶體的研發帶來更多的機遇和挑戰。廣東國產CeYAG晶體制造閃爍晶體是核醫學影像設備比如X光、CT等檢查設備的關鍵部件。
高光輸出快速衰減閃爍晶體的基本理論，閃爍效率和光輸出，無機閃爍晶體的光輸出(LR)直接由閃爍晶體的閃爍效率()決定。因此，研究閃爍晶體的轉換效率在高光輸出閃爍晶體的研究中起著重要的作用。許多文獻[13]、[14]、[17]、[51]和[56]報道了閃爍材料閃爍效率的機理，并建立了許多理論模型。一般來說，根據閃爍體的閃爍機理(如1.1.1節所述)，閃爍的總量子效率()可以表示為發光中心的能量轉換效率()、能量轉移效率(S)和熒光量子效率(Q)的乘積。
CeYAG晶體，屬于無機閃爍體。無機閃爍晶體研究的真正前奏始于半個世紀前羅伯特霍夫斯塔德發現NaI(Tl)單晶的優異閃爍性能。經過半個多世紀的發展，無機閃爍晶體不但發現了性能優異的閃爍晶體，如BGO、銫：Na、鋇F2、PWO和鈰Ce:LSO等，而且極大地拓展了閃爍晶體在高能物理和核物理、醫療、安檢、工業等領域的應用[2]-[12]；此外，無機閃爍晶體[13]-[23]、[41]、[51]、[56]-[58]的閃爍機制不斷得到改進和發展，為改進現有閃爍體和尋找性能更好的新型無機閃爍晶體提供了堅實的理論基礎。Ce:YAG高溫閃爍晶體不但具有閃爍性能，而且具有良好的光脈沖分辨射線和粒子的能力。
閃爍晶體的本質是一種能量轉換器，所以能量轉換效率()是表征所有閃爍晶體0基本的參數，是指閃爍晶體輻射的光子能量(Ep)與閃爍晶體吸收的總能量(er)之比。閃爍晶體發射光子的平均能量是發射的閃爍光子數。光輸出(LR)是反映閃爍體晶體，能量轉換效率的重要的物理參數，是指閃爍體吸收并消耗1mV射線能量后發出的可見/紫外光子數。即閃爍過程中產生的閃爍光子數與閃爍晶體中光線或粒子損失的能量之比。除了熔點溫度高（1970oC）外， Ce:YAG晶體中存在的主要缺點是Ce離子在晶體中的分布不均勻，主要是由于Ce3+(0.118nm)和Y3+(0.106nm)離子的半徑相差較大，其分凝系數較小（~ 0.1）造成的。電子-空穴對的數量直接決定了無機閃爍晶體的光輸出。廣東國產CeYAG晶體制造
CeYAG晶體的閃爍特性及其應用。廣東國產CeYAG晶體制造
Ce:YAG高溫閃爍晶體不但具有閃爍性能，而且具有良好的光脈沖分辨射線和粒子的能力，能與硅光二極管有效耦合，耐高溫不潮解，可在極端條件下應用。因此，用Ce:YAG與硅光二極管耦合制成的閃爍探測器可普遍應用于低能射線、粒子等輕帶電粒子的探測等核物理實驗。此外，Ce:YAG單片機還可以作為掃描電子顯微鏡的顯示元件，在大規模集成電路的檢測中有著重要而普遍的應用。另外，與CsI:Tl閃爍晶體相比，Ce:YAG閃爍晶體響應小，光衰減快，在小于500Kev的能量范圍內不潮解，有望部分替代CsI:Tl閃爍晶體。表1-11比較了Ce3360 YAG和CsI:Tl閃爍晶體的主要閃爍特性。廣東國產CeYAG晶體制造
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