大電流IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）模塊在工作時，會產生大量的熱。尤其是工作電流達到600A以上的IGBT模塊。類似功率模塊的封裝熱管理工藝中，考慮的目標是消除熱結。那么，需要在芯片底部和散熱器之間的熱通道建設盡量暢通。銅基板具有良好的導熱能力，但銅的熱膨脹系數接近IGBT芯片的三倍，而且IGBT芯片陶瓷襯底的面積可高達50mmx60mm，這三倍的差異在低功率模塊封裝可用陶瓷覆銅板或多層陶瓷覆銅板來過渡解決。高功率模塊如果用銅基板去承載芯片襯底同時在下方接合散熱器的話，焊接的銅基板經受不住1000次熱循環，焊接外緣就會出現分層脫離。這種情況下壓接法制造出的模塊，如長期在震動環境下使用，如軌道機車、電動汽車、飛機等，其可靠性會大幅下降。那么，如何牢固封裝高功率IGBT模塊，使其在震動、高溫、粉塵等環境下可使用呢？業界的辦法是采用AlSiC材料來制作IGBT基板。鋁碳化硅具有高比剛度、比強度、高尺寸穩定性、低熱膨脹系數、高耐磨、耐腐蝕等優異性能。陜西優勢鋁碳化硅廠家現貨
鋁碳化硅在T/R組件中的應用：本世紀初，美國的AlSiC年產量超過100萬件，T/ R模塊已經由“磚”式封裝向很薄、邊長5cm或更小方塊形的“瓦”式封裝發展，進一步降低T/R模塊的尺寸、厚度、重量以及所產生的熱量。歐洲防務公司、法、英、德聯合開發機載AESA及T/R模塊技術，研制具有1200個T/R模塊全尺寸樣機的試驗工作，俄羅斯積極著手研制第4代戰斗機用AESA雷達，以色列、瑞典研制出輕型機載AESA預警雷達，機載AESA及 T/R模塊市場持續升溫。陜西優勢鋁碳化硅廠家現貨高體分鋁碳化硅生產工藝流程多采用真空壓力浸滲法。
中體分鋁碳化硅（SiC體積比35%-55%）：1、性能優勢及應用方向：（1）、高微屈服強度：（35%～55%）光學儀表級鋁碳化硅的微屈強度服度可達（110～120）MPa水平，是國產真空熱壓鈹材的5倍，且無毒，可確保慣性導航系統中陀螺儀有效屏蔽小幅震動，保證穩定性。（2）、高比強度、高比剛度：（35%～55%）光學儀表級鋁碳化硅的高比強度特性可以降低結構件質量，實現武器裝備的輕量化，高比剛度可保證零件的面型（如反射鏡鏡面）精度。（3）、低膨脹系數:（35%～55%）光學儀表級鋁碳化硅具有低熱膨脹系數（9～11）×10-6/K，可以保證結構件在較大溫差變化的情況下仍保持穩定的尺寸。（4）、高導熱性:（35%～55%）光學儀表級鋁碳化硅具有高導熱性率（｛120-180｝W/m·K），可快速散熱，可避免零件過熱對機能的降低。（5）、主要應用方向及**零件：可應用于航空航天及**行業中的光學反射鏡、慣性導航系統零件，可替代鈹材、微晶玻璃、石英玻璃等。
鋁碳化硅研發較早，理論描述較為完善，其主要分類一般按照碳化硅體積含量可分為高體分鋁碳化硅（SiC體積比55%-75%）、中體分鋁碳化硅（SiC體積比35%-55%）、低體分鋁碳化硅（SiC體積比5%-35%）。從產業化趨勢看，AlSiC可實現低成本的、無需進一步加工的凈成形(net-shape )或需少量加工的近凈成形制造，還能與高散熱材料（金剛石、高熱傳導石墨等）的經濟性并存集成，滿足：大批量倒裝芯片封裝微波電路模塊光電封裝所需材料的熱穩定性及散溫度均勻性要求，同時也是大功率晶體管絕緣柵雙極晶體管（IGBT）等器件的推薦封裝材料，提供良好的熱循環及可靠性。鋁碳化硅以其優越的熱物理性能被稱為第三代電子封裝材料，廣泛應用于電子封裝領域。
鋁碳化硅是目前金屬基復合材料中**常見、**重要的材料之一。鋁碳化硅是一種顆粒增強金屬基復合材料，采用Al合金作基體，按設計要求，以一定形式、比例和分布狀態，用SiC顆粒作增強體，構成有明顯界面的多組相復合材料，兼具單一金屬不具備的綜合優越性能。鋁碳化硅研發較早，理論描述較為完善，其主要分類一般按照碳化硅體積含量可分為高體分鋁碳化硅（SiC體積比55%-75%）、中體分鋁碳化硅（SiC體積比35%-55%）、低體分鋁碳化硅（SiC體積比5%-35%）。高體分鋁碳化硅目前已應用于光學反射鏡、空間掃描機構主框架及光學平臺、衛星箱體及蓋板、散熱基板領域。上海有什么鋁碳化硅技術規范
我司主要研制、生產低體分和高體分的金屬陶瓷復合材料。陜西優勢鋁碳化硅廠家現貨
鋁碳化硅制備技術介紹：
1、鋁碳化硅材料成型技術應具備的條件：
鋁碳化硅制備工藝種類較多，包含粉末冶金法、攪拌鑄造法、真空壓力浸滲法、原位生成法、無壓浸滲法等等，使增強材料SiC均勻地分布金屬基體中，滿足復合材料結構和強度要求；能使復合材料界面效應、混雜效應或復合效應充分發揮；能夠充分發揮增強材料對基休金屬的增強、增韌效果；設備投資少，工藝簡單易行，可操作性強；便于實現批量或規模生產;能制造出接近**終產品的形狀，尺寸和結構，減少或避免后加工工序。 陜西優勢鋁碳化硅廠家現貨
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