鋁碳化硅在T/R組件中的應用：本世紀初，美國的AlSiC年產量超過100萬件，T/ R模塊已經由“磚”式封裝向很薄、邊長5cm或更小方塊形的“瓦”式封裝發展，進一步降低T/R模塊的尺寸、厚度、重量以及所產生的熱量。歐洲防務公司、法、英、德聯合開發機載AESA及T/R模塊技術，研制具有1200個T/R模塊全尺寸樣機的試驗工作，俄羅斯積極著手研制第4代戰斗機用AESA雷達，以色列、瑞典研制出輕型機載AESA預警雷達，機載AESA及 T/R模塊市場持續升溫。杭州陶飛侖是專業從事金屬陶瓷復合材料研發、生產、銷售一體型新材料公司。湖南標準鋁碳化硅產業化
a、T/R模塊封裝：機載雷達天線安裝在飛機萬向支架上，采用機電方式掃描，其發展的重要轉折點是從美國F-22開始應用有源電子掃描相控陣天線AESA體制，其探測距離下表所示：圖三機載雷達探測距離
APG-80捷變波束雷達、多功能機頭相控陣一體化航電系統、多功能綜合射頻系統、綜合式射頻傳感器系統、JSF傳感器系統等，所用T/R (發/收）模塊封裝技術日趨成熟，每個T/R模塊成本由研發初期的10萬美元降至600-800美元，數年內可降至約200美元，成為機載雷達的**部分。幾乎所有的美國參戰飛機都有安裝新的或更新AESA計劃，使其作戰效能進一步發揮，在多目標威脅環境中先敵發現、發射、殺傷，F-22機載AESA雷達可同時探測**目標數分別為空中30 個、地面16個、探測范圍為360°全周向。 多功能鋁碳化硅常見問題高體分鋁碳化硅用于光學遙感衛星光學反射鏡中。
在國內，隨著AESA產品的定型，T/R模塊出現批量生產需求，其基板、殼體的生產極為關鍵，采用近凈成形技術，研制出小批量T/R模塊封裝外殼樣品。用無壓溶滲AlSiC制作基座替代W-Cu基座，封裝微波功率器件，按GJB33A-97和GJB128A-97軍標嚴格考核，器件的微波性能、熱性能無變化，可完全滿足應用要求，前者的重量只及W-Cu基座的 20%,且成本*為后者的1/3左右，有望在封裝領域大量替代W-Cu、Mo-Cu等材料。國產L波段功率器件月批量生產累計上千只，實現某型號雷達***國產化、固態化，今后幾年會持續批量生產，S、C波段功率模塊怎樣低成本生產，將涉及AlSiC封裝材料的研發應用。
隨著AlSiC復合材料在航空航天、汽車、***、電子、體育用具等領域的廣泛應用，對其制品的加工精和表面質量的要求也越來越高，采用傳統的機械加工方法或單一的特種加工方法，都難以實現高標準的加工要求。這就要求在對AlSiC復合材料的機械切削加工、激光加工、超聲加工和電火花加工的加工工藝、加工機理進行研究的同時，更多地注重研究復合加工技術，尤其是超聲加工與機械切削加工、電解加工、電火花加工相配合的復合加工技術的研究工作。高體分鋁碳化硅真空壓力浸滲工藝流程包括：陶瓷多孔預制件制備、真空壓力浸滲、成型件繼續加工。
碳化硅是鋁基碳化硅顆粒增強復合材料的簡稱，它充分結合了碳化硅陶瓷和金屬鋁的不同優勢，具有高導熱性、與芯片相匹配的熱膨脹系數、密度小、重量輕，以及高硬度和高抗彎強度，是新一代電子封裝材料中的佼佼者。鋁碳化硅封裝材料滿足了封裝的輕便化、高密度化等要求，適用于航空、航天、高鐵及微波等領域，是解決熱學管理問題的優先材料，其可為各種微波和微電子以及功率器件、光電器件的封裝與組裝提供所需的熱管理，新材料——鋁碳化硅的應用也因此具有很大的市場潛力。高體分鋁碳化硅復合材料具有強度高、高導熱、低熱膨脹系數等優異性能。湖南標準鋁碳化硅產業化
杭州陶飛侖制備的大尺寸結構件不僅材料性能優異，且大幅提高了材料的可加工性能。湖南標準鋁碳化硅產業化
鋁基碳化硅(AlSiC)顆粒增強復合材料，因其具有高比強度和比剛度、低熱膨脹系數、低密度、高微屈服強度、良好的尺寸穩定性、導熱性以及耐磨、耐疲勞等優異的力學性能和物理性能，被用于電子封裝構件材料，在大功率率IGBT 散熱基板、LED封裝照明、航空航天等**領域以及民用信息相控陣天線T/R模塊、大功率微波產品以及宇航電源熱沉載體、殼體中被廣泛應用。高體分SiCp/Al復合材料中主要采用焊接的方式與器件連接，基體材料由于碳化硅顆粒的存在，導致其表面潤濕性能較差，無法滿足焊接功能要求，因此必須在材料表面制備可焊金屬鍍覆層。湖南標準鋁碳化硅產業化
杭州陶飛侖新材料有限公司是一家生產型類企業，積極探索行業發展，努力實現產品創新。陶飛侖新材料是一家有限責任公司（自然）企業，一直“以人為本，服務于社會”的經營理念;“誠守信譽，持續發展”的質量方針。公司業務涵蓋鋁碳化硅，鋁碳化硼，銅碳化硅，碳化硅陶瓷，價格合理，品質有保證，深受廣大客戶的歡迎。陶飛侖新材料自成立以來，一直堅持走正規化、專業化路線，得到了廣大客戶及社會各界的普遍認可與大力支持。