大電流IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）模塊在工作時，會產生大量的熱。尤其是工作電流達到600A以上的IGBT模塊。類似功率模塊的封裝熱管理工藝中，考慮的目標是消除熱結。那么，需要在芯片底部和散熱器之間的熱通道建設盡量暢通。銅基板具有良好的導熱能力，但銅的熱膨脹系數接近IGBT芯片的三倍，而且IGBT芯片陶瓷襯底的面積可高達50mmx60mm，這三倍的差異在低功率模塊封裝可用陶瓷覆銅板或多層陶瓷覆銅板來過渡解決。高功率模塊如果用銅基板去承載芯片襯底同時在下方接合散熱器的話，焊接的銅基板經受不住1000次熱循環，焊接外緣就會出現分層脫離。這種情況下壓接法制造出的模塊，如長期在震動環境下使用，如軌道機車、電動汽車、飛機等，其可靠性會大幅下降。那么，如何牢固封裝高功率IGBT模塊，使其在震動、高溫、粉塵等環境下可使用呢？業界的辦法是采用AlSiC材料來制作IGBT基板。杭州陶飛侖可根據客戶產品技術要求定制化制備滿足客戶要求的鋁碳化硅產品。江蘇優勢鋁碳化硅產業化
中體分鋁碳化硅的功能化特性比較突出，即不僅具有比鋁合金和鈦合金高出一倍的比剛度，還有著與鈹材及鋼材接近的低膨脹系數和優于鈹材的尺寸穩定性。因此，其可替代鈹材用作慣性導航系統器件，被譽為“第三代航空航天慣性器件材料”。其已被正式用于美國某型號慣性環形激光陀螺制導系統，并已形成美國的國軍標（MIL-M-46196）。此外，還替代鈹材被成功地用于三叉戟導彈的慣性導航向地球及其慣性測量單元（IMU）的檢查口蓋，并取得比鈹材的成本低三分之二的效果。微屈服（MYS）是表征材料尺寸穩定性的主要指標，而該種復合材料的微屈服度為118MPa，該值是國產真空熱壓鈹材的5倍，且已超過美國布拉什公司研制的高尺寸穩定性新型光學儀表級**I-250鈹材。安徽通用鋁碳化硅電話多少杭州陶飛侖公司鋁碳化硅相關方產品主要應用于航空、航天、電子、電力等多個行業。
鋁碳化硅復合材料雖然有很多優點，但優點有時就是缺點，如鋁碳化硅材料抗磨，可做賽車、飛機的剎車件，但會造成機加的成本非常高。那么，整體零件一次鑄造成形，就成了鋁碳化硅零件的生產特征之一。另外，因為鋁碳化硅的鑄造環境相當**（普通的鑄造手段是無法把鋁液鑄造進陶瓷之中的），那么，通用的精密鑄造模具材料都不可使用，如精密鑄造**常見的陶瓷型殼，放到鋁碳化硅的鑄造環境下，鋁液會鑄造進型殼之中，無法打型出產品。但杭州陶飛侖新材料有限公司采用創新型工藝方法，可有效避免了此類問題的發生。
倒裝芯片封裝FCP技術優勢在于能大幅度提高產品的電性能、散熱效能，適合高引腳數、高速、多功 能的器件。AlSiC的CTE能夠與介電襯底、焊球陣列、低溫燒結陶瓷以及印刷電路板相匹配，同時還具有髙熱傳導率、**度和硬度，是倒裝焊蓋板的理想材料，為芯片提供高可靠保護。AlSiC可制作出復雜的外形，例如，AlSiC外殼產品有多個空腔，可容納多塊芯片，用于提供器件連接支柱、填充材料的孔以及不同的凸緣設計。AlSiC外形表面支持不同的標識和表面處理方法，包括激光打印、油漆、油墨、絲網印刷、電鍍，完全滿足FCP工藝要求。鋁碳化硅已經應用于F16-腹鰭及蒙皮。
IC產業的發展與其設計、測試、流片、封裝等 各環節密切相聯，**終在市場應用中體現價值認同，良性循環形成量產規模，實現經濟效益。封裝技術至關重要，尤其是***產品大多采用金屬封裝、陶瓷封裝結構，確保器件、模塊、組件、系統的整體可靠性。金屬封裝氣密性高，散熱性好，形狀可多樣化，有圓形、菱形、扁平形、淺腔與深腔形等，其材料難以滿足當今航空航天、艦船、雷達、電子戰、精確打擊、天基和海基系統對大功率、微波器件封裝的需求。按目前VLSI電路功耗的同一方法計算，未來的SoC芯片將達到太陽表面溫度，現有的設計和封裝方法已不能滿足功率SoC系統的需求。AlSiC恰好首先在這一領域發揮作用，現以***為主，進而推向其他市場。杭州陶飛侖新材料有限公司生產的鋁碳化硅熱導率超過230W/m·K.湖南質量鋁碳化硅一體化
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鋁基碳化硅(AlSiC)顆粒增強復合材料，因其具有高比強度和比剛度、低熱膨脹系數、低密度、高微屈服強度、良好的尺寸穩定性、導熱性以及耐磨、耐疲勞等優異的力學性能和物理性能，被用于電子封裝構件材料，在大功率率IGBT 散熱基板、LED封裝照明、航空航天等**領域以及民用信息相控陣天線T/R模塊、大功率微波產品以及宇航電源熱沉載體、殼體中被廣泛應用。高體分SiCp/Al復合材料中主要采用焊接的方式與器件連接，基體材料由于碳化硅顆粒的存在，導致其表面潤濕性能較差，無法滿足焊接功能要求，因此必須在材料表面制備可焊金屬鍍覆層。江蘇優勢鋁碳化硅產業化
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