電子元器件發展史其實就是一部濃縮的電子發展史。電子技術是十九世紀末、二十世紀初開始發展起來的新興技術，二十世紀發展較迅速，應用較普遍，成為近代科學技術發展的一個重要標志。1906年，美國發明家德福雷斯特（De Forest Lee）發明了真空三極管（電子管）。一代電子產品以電子管為中心。四十年代末世界上誕生了一只半導體三極管，它以小巧、輕便、省電、壽命長等特點，很快地被各國應用起來，在很大范圍內取代了電子管。五十年代末期，世界上出現了一塊集成電路，它把許多晶體管等電子元件集成在一塊硅芯片上，使電子產品向更小型化發展。電子元器件包括：電阻、電容、電感、電位器、電子管、散熱器、機電元件、連接器等。質量元器件供應
場效應管與晶體管的比較(1)場效應管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下，應選用場效應管；而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應選用晶體管。(2)場效應管是利用多數載流子導電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數載流子，也利用少數載流子導電。被稱之為雙極型器件。(3)有些場效應管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負，靈活性比晶體管好。(4)場效應管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應管集成在一塊硅片上，因此場效應管在大規模集成電路中得到了普遍的應用。福建現代化元器件參考價由于社會發展的需要，電子裝置變的越來越復雜。
由于社會發展的需要，電子裝置變的越來越復雜，這就要求了電子裝置必須具有可靠性、速度快、消耗功率小以及質量輕、小型化、成本低等特點。自20世紀50年代提出集成電路的設想后，由于材料技術、器件技術和電路設計等綜合技術的進步，在20世紀60年代研制成功了一代集成電路。在半導體發展史上。集成電路的出現具有劃時代的意義：它的誕生和發展推動了銅芯技術和計算機的進步，使科學研究的各個領域以及工業社會的結構發生了歷史性變革。憑借優越的科學技術所發明的集成電路使研究者有了更先進的工具，進而產生了許多更為先進的技術。這些先進的技術有進一步促使更高性能、更廉價的集成電路的出現。對電子器件來說，體積越小，集成度越高；響應時間越短，計算處理的速度就越快；傳送頻率就越高，傳送的信息量就越大。半導體工業和半導體技術被稱為現代工業的基礎，同時也已經發展稱為一個相對獨自的高科技產業。
電子元器件的檢測是家電維修的一項基本功，安防行業很多工程維護維修技術也實際是來自于家電的維護維修技術，或是借鑒或同質。如何準確有效地檢測元器件的相關參數，判斷元器件的是否正常，不是一件千篇一律的事，必須根據不同的元器件采用不同的方法，從而判斷元器件的正常與否。特別對初學者來說，熟練掌握常用元器件的檢測方法和經驗很有必要，以下對常用電子元器件的檢測經驗和方法進行介紹供對考。場效應晶體管具有較高輸入阻抗和低噪聲等優點，因而也被普遍應用于各種電子設備中。尤其用場效應管做整個電子設備的輸入級，可以獲得一般晶體管很難達到的性能。電路類元件：二極管，電阻器等等。
1906年美國人德福雷斯特發明真空三極管，用來放大電話的聲音電流。此后，人們強烈地期待著能夠誕生一種固體器件，用來作為質量輕、價廉和壽命長的放大器和電子開關。1947年，點接觸型鍺晶體管的誕生，在電子器件的發展史上翻開了新的一頁。但是，這種點接觸型晶體管在構造上存在著接觸點不穩定的致命弱點。在點接觸型晶體管開發成功的同時，結型晶體管論就已經提出，但是直至人們能夠制備超高純度的單晶以及能夠任意控制晶體的導電類型以后，結型晶體管材真正得以出現。1950年，具有使用價值的較早的鍺合金型晶體管誕生。1954年，結型硅晶體管誕生。此后，人們提出了場效應晶體管的構想。隨著無缺陷結晶和缺陷控制等材料技術、晶體外誕生長技術和擴散摻雜技術、耐壓氧化膜的制備技術、腐蝕和光刻技術的出現和發展，各種性能優良的電子器件相繼出現，電子元器件逐步從真空管時代進入晶體管時代和大規模、超大規模集成電路時代。逐步形成作為高技術產業表示的半導體工業。電子元器件本身常由若干零件構成。質量元器件供應
電子元器件發展史其實就是一部濃縮的電子發展史。質量元器件供應
下一代光傳送網的基本特征是超大容量，從各種復用技術的發展狀況看，密集波分復用（DWDM）被認為是擴大網絡容量和提高其靈活性的較有效途徑。采用DWDM可以使容量迅速地擴大數十倍至數百倍。由于市場驅動和技術突破的影響，波分復用系統發展極為迅速。因此各種新研制的光器件也都或多或少與波分復用有關。DWDM的發展思路一直是追求更高的頻譜效率，一方面提高每個通道的速率，另一方面增加通道密度。在速率上，商用系統大多為2.5Gbit/s或10Gbit/s，更高速率的40Gbit/s系統正在實用化，預計到2004年開始商業應用，一些電信公司如阿爾卡特的實驗室已進行了160Gbit/s的傳輸實驗。質量元器件供應
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