威海MTAC300晶閘管智能模塊廠家

晶閘管智能模塊的保護(hù)

在實(shí)際應(yīng)用中，除合理選擇智能可控硅調(diào)壓模塊的額定電壓及電流外，還必須采取有效的保護(hù)措施來保證晶閘管智能模塊能可靠工作。

過熱保護(hù)：晶閘管智能模塊與其他功率器件一樣，在實(shí)際工作中由于自身功耗，都會引起芯片溫度上升，溫度過高后，會使漏電流增加，芯片特性變軟，直至過熱擊穿，在實(shí)際應(yīng)用中，通常采用強(qiáng)迫風(fēng)冷的方法來及時(shí)散除晶閘管工作時(shí)產(chǎn)生的熱量，控制散熱器比較高溫度不超過75°，使晶閘管智能模塊在安全溫度下工作。 正高電氣累積點(diǎn)滴改進(jìn)，邁向優(yōu)良品質(zhì)！威海MTAC300晶閘管智能模塊廠家

    以具有自關(guān)斷能力，使用方便，是理想的高壓、大電流開關(guān)器件。GTO的容量及使用壽命均超過巨型晶體管（GTR），只是工作頻紡比GTR低。目前，GTO已達(dá)到3000A、4500V的容量。大功率可關(guān)斷晶閘管已用于斬波調(diào)速、變頻調(diào)速、逆變電源等領(lǐng)域，顯示出強(qiáng)大的生命力。可關(guān)斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件，其結(jié)構(gòu)及等效電路和普通晶閘管相同，因此圖1*繪出GTO典型產(chǎn)品的外形及符號。大功率GTO大都制成模塊形式。盡管GTO與SCR的觸發(fā)導(dǎo)通原理相同，但二者的關(guān)斷原理及關(guān)斷方式截然不同。這是由于普通晶閘管在導(dǎo)通之后即外于深度飽和狀態(tài)，而GTO在導(dǎo)通后只能達(dá)到臨界飽和，所以GTO門極上加負(fù)向觸發(fā)信號即可關(guān)斷。GTO的一個(gè)重要參數(shù)就是關(guān)斷增益，βoff，它等于陽極比較大可關(guān)斷電流IATM與門極比較大負(fù)向電流IGM之比，有公式βoff=IATM/IGMβoff一般為幾倍至幾十倍。βoff值愈大，說明門極電流對陽極電流的控制能力愈強(qiáng)。很顯然，βoff與昌盛的hFE參數(shù)頗有相似之處。下面分別介紹利用萬用表判定GTO電極、檢查GTO的觸發(fā)能力和關(guān)斷能力、估測關(guān)斷增益βoff的方法。1．判定GTO的電極將萬用表撥至R×1檔，測量任意兩腳間的電阻，*當(dāng)黑表筆接G極，紅表筆接K極時(shí)，電阻呈低阻值。青島MTDC1000晶閘管智能模塊廠家正高電氣以質(zhì)量求生存，以信譽(yù)求發(fā)展！

    當(dāng)C5上的電壓上升到氛管的導(dǎo)通電壓時(shí)，雙向晶閘管就會被觸發(fā)導(dǎo)通。另一種是用兩個(gè)NPN型三極管反向串聯(lián)（基極開路）代替雙向觸發(fā)二極管，調(diào)壓效果還不錯(cuò)。再有一種是用RC電路取代雙向觸發(fā)二極管，調(diào)壓效果要差一些，在對調(diào)壓器性能要求不高的情況下可以使用。雙向晶閘管能不能也采用單結(jié)晶體管張弛振蕩器組成的觸發(fā)電路呢？雙向晶閘管的特點(diǎn)是不論給它的控制極加上正的或負(fù)的觸發(fā)脈沖都能使它導(dǎo)通，所以，單結(jié)晶體管張弛振蕩器同樣可以作為雙向晶閘管的觸發(fā)電路。這種觸發(fā)電路調(diào)壓效果很好，只是電路比較復(fù)雜。由于單結(jié)晶體管張弛振蕩器必須由直流電源供電，所以應(yīng)用橋式整流電路得到全波脈動(dòng)直流電壓，再經(jīng)過穩(wěn)壓管VD削波成為梯形波電壓，為張弛振蕩器供電。為什么使用梯形波電壓而不用濾波電容器得到平滑的直流電壓呢？一定要用梯形波電壓，不能使用平滑的直流電壓。這是為了能使觸發(fā)脈沖與交流電源同步。經(jīng)過全波整流、穩(wěn)壓管削波后得到的梯形波電壓與主電路電壓是同步變化的，即二者同時(shí)經(jīng)過零值，同時(shí)上升，同時(shí)下降。這樣，當(dāng)晶閘管上承受的主電壓過零時(shí)。

晶閘管模塊常用的保護(hù)措施

① 過電流保護(hù)

過流保護(hù)一般都推薦外接快速熔斷器的方法，可將快速熔斷器串聯(lián)于模塊的交流輸入端即可，三相模塊三只，單相模塊一只。熔斷器額定電壓要大于電路工作電壓，額定電流一般取負(fù)載電流的百分之七十到八十。但快速熔斷器對于短路引起的過流保護(hù)效果很好，對于一般性的過流并不能起到很好的保護(hù)效果，因?yàn)閮杀队诳焖偃蹟嗥黝~定值的電流在幾秒內(nèi)才能熔斷。如果要取得較好的保護(hù)效果，除采用快速熔斷器外可采用帶過流保護(hù)功能的模塊或具有過流保護(hù)功能的控制板。

②過電壓保護(hù)

模塊的過壓保護(hù)，推薦使用阻容吸收和壓敏電阻兩種方式。

阻容吸收回路能有效晶閘管由導(dǎo)通到截止時(shí)產(chǎn)生的過電壓，有效避免晶閘管被擊穿。阻容吸收并聯(lián)在模塊每一只晶閘管芯片上即可，反并聯(lián)芯片可共用一組。 正高電氣銳意進(jìn)取，持續(xù)創(chuàng)新為各行各業(yè)提供專業(yè)化服務(wù)。

    可控硅與接觸器的選型可控硅投切開關(guān)與接觸器的選型無功補(bǔ)償中一個(gè)重要器件就是電容器投切開關(guān)。早期多采用的是接觸器，隨后呈現(xiàn)的是可控硅投切開關(guān)，希拓小編帶你了解下兩者如何選型。接觸器在投入過程中涌流大，嚴(yán)重時(shí)，會發(fā)作觸頭熔焊現(xiàn)象。即便是帶有抑止涌流安裝的電容器投切**接觸器，在無功負(fù)荷動(dòng)搖大，電容器投切頻繁的狀況下，也存在運(yùn)用壽命短，需求經(jīng)常停止檢修的問題。一般使用于負(fù)荷穩(wěn)定，投切次數(shù)較少的場合。可控硅投切開關(guān)，具有零電壓投入、零電流切除，投切過程無涌流，對電網(wǎng)無沖擊，反響速度快等特性，會產(chǎn)生很高的溫升，需求運(yùn)用**散熱器，來處理其通風(fēng)散熱問題，一般應(yīng)用于負(fù)荷急劇變化的需頻繁投切的場合。希拓電氣（常州）有限公司是專業(yè)的可控硅投切開關(guān)生產(chǎn)供應(yīng)廠商，嚴(yán)格把控產(chǎn)品細(xì)節(jié)，努力為客戶提供完善的服務(wù)。我司**產(chǎn)品主要包含德國進(jìn)口可控硅、可控硅觸發(fā)模塊（自主研發(fā)）、溫控開關(guān)、鋁合金散熱器、冷卻風(fēng)機(jī)等，能實(shí)現(xiàn)可控硅的智能散熱及智能溫度保護(hù)的功能，可提高可控硅的運(yùn)行穩(wěn)定性。正高電氣愿和各界朋友真誠合作一同開拓。青島MTDC1000晶閘管智能模塊廠家

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    晶閘管(可控硅)兩端為什么并聯(lián)電阻和電容在實(shí)際晶閘管(可控硅)電路中，常在其兩端并聯(lián)RC串聯(lián)網(wǎng)絡(luò)，該網(wǎng)絡(luò)常稱為RC阻容吸收電路。我們知道，晶閘管(可控硅)有一個(gè)重要特性參數(shù)－斷態(tài)電壓臨界上升率dlv/dlt。它表明晶閘管(可控硅)在額定結(jié)溫和門極斷路條件下，使晶閘管(可控硅)從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)的比較低電壓上升率。若電壓上升率過大，超過了晶閘管(可控硅)的電壓上升率的值，則會在無門極信號的情況下開通。即使此時(shí)加于晶閘管(可控硅)的正向電壓低于其陽極峰值電壓，也可能發(fā)生這種情況。因?yàn)榫чl管(可控硅)可以看作是由三個(gè)PN結(jié)組成。在晶閘管(可控硅)處于阻斷狀態(tài)下，因各層相距很近，其J2結(jié)結(jié)面相當(dāng)于一個(gè)電容C0。當(dāng)晶閘管(可控硅)陽極電壓變化時(shí)，便會有充電電流流過電容C0，并通過J3結(jié)，這個(gè)電流起了門極觸發(fā)電流作用。如果晶閘管(可控硅)在關(guān)斷時(shí)，陽極電壓上升速度太快，則C0的充電電流越大，就有可能造成門極在沒有觸發(fā)信號的情況下，晶閘管(可控硅)誤導(dǎo)通現(xiàn)象，即常說的硬開通，這是不允許的。因此，對加到晶閘管(可控硅)上的陽極電壓上升率應(yīng)有一定的限制。為了限制電路電壓上升率過大，確保晶閘管(可控硅)安全運(yùn)行，常在晶閘管(可控硅)兩端并聯(lián)RC阻容吸收網(wǎng)絡(luò)。威海MTAC300晶閘管智能模塊廠家

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