VDRM)的計算:由公式:Ud=考慮兩倍的選擇余量后VRRM;VDRM=2xxU2=2x因此選擇耐壓200V-300V的器件足夠。2、器件額定電流IT(AV)的計算:由于該線路相當于兩組三相半波整流電路的串聯,根據公式:Ie=:Ie=(此值為交流有效值)折算為平均值IT(AV)=Ie/考慮選型需按IT(AV)=()IT=232A()=348A-462A顯然,目前沒有如此大電流的模塊,應建議客戶采用400-500A的平板式可控硅為宜。以上兩種線路對器件耐壓和通流能力的要求是不一樣的。后一種線路對器件耐壓要求比前一種線路低一倍,但通流能力要求大兩倍。四、使用模塊產品注意事項:l電力半導體模塊屬于溫度敏感性器件,使用時必須安裝于散熱器上。安裝前首先用酒精將模塊底板和散熱器表面擦拭干凈,待自然干燥后,在模塊底板上均勻涂上(采用滾柱來回滾動涂抹)導熱硅脂,導熱硅脂剛好能夠覆蓋整個底板和散熱器。安裝之后可從散熱器上取下模塊,檢查模塊底板整個區域是否完全沾潤。l手冊中額定電流[IT(AV)、IF(AV)]是在規定散熱器、強通風冷(風速6m/s)和額定殼溫Tc和純阻性負載下得出的。若使用條件發生變化(如感性負載)額定電流就會下降。l散熱器與模塊接觸面應平整,散熱器的平面度≤(1),確保良好的熱傳導,電極與銅排連接時。正高電氣運用高科技,不斷創新為企業經營發展的宗旨。河南工業窯爐穩流模塊
1、過流保護如果想得到較安全的過流保護,建議用戶優先使用內部帶過流保護作用的模塊。另外還可采用外接快速熔斷器、快速過電流繼電器、傳感器的方法。快速熔斷器是**簡單常用的方法,介紹如下:(1)快速熔斷器的選擇:①、熔斷器的額定電壓應大于模塊輸入端電壓;②、熔斷器的額定電流應為模塊標稱輸入電流的,按照計算值選擇相同電流或稍大一點的熔斷器。模塊輸入、輸出電流的換算關系參考本本博客有關文章。用戶也可根據經驗和試驗自行確定熔斷器的額定電流。(2)接線方法:快速熔斷器接在模塊的輸入端,負載接輸出端。2、過壓保護晶閘管承受過電壓的能力較差,當元件承受的反向電壓超過其反向擊穿電壓時,即使時間很短,也會造成元件反向擊穿損壞。如果正向電壓超過晶閘管的正向轉折電壓,會引起晶閘管硬開通,它不僅使電路工作失常,且多次硬開通后元件正向轉折電壓要降低,甚至失去正向阻斷能力而損壞。因此必須采用過電壓保護措施用以晶閘管上可能出現的過電壓。模塊的過壓保護,推薦采用阻容吸收和壓敏電阻兩種方式并用的保護措施。(1)阻容吸收回路晶閘管從導通到阻斷時,和開關電路一樣,因線路電感(主要是變壓器漏感LB)釋放能量會產生過電壓。連云港穩流模塊組件正高電氣公司可靠的質量保證體系和經營管理體系,使產品質量日趨穩定。
1晶閘管模塊被廣泛應用于工業行業中,對于一些專業的電力技術人員,都知道晶閘管模塊的來歷及各種分類。不過現在從事這一行的人越來越多,有的采購人員對這方面還不是很了解。有的客戶也經常問起我們晶閘管模塊的來歷。現在晶閘管廠家昆二晶就為大家分享一下:2晶閘管模塊誕生后,其結構的改進和工藝的,為新器件的不斷出現提供了條件。1964年,雙向晶閘管在GE公司開發成功,應用于調光和馬達控制;1965年,小功率光觸發晶閘管出現,為其后出現的光耦合器打下了基礎;60年代后期,大功率逆變晶閘管問世,成為當時逆變電路的基本元件;1974年,逆導晶閘管和非對稱晶閘管研制完成。3普通晶閘管廣泛應用于交直流調速、調光、調溫等低頻(400Hz以下)領域,運用由它所構成的電路對電網進行控制和變換是一種簡便而經濟的辦法。不過,這種裝置的運行會產生波形畸變和降低功率因數、影響電網的質量。目前水平為12kV/1kA和6500V/4000A。4雙向晶閘管可視為一對反并聯的普通晶閘管的集成,常用于交流調壓和調功電路中。正、負脈沖都可觸發導通,因而其控制電路比較簡單。其缺點是換向能力差、觸發靈敏度低、關斷時間較長,其水平已超過2000V/500A。
它可以用控制移相觸發脈沖來方便地改變負載的交流工作電壓,從而應用于精確地調溫、調光等阻性負載及部分感性負載場合。⑵雙向可控硅輸出的普通型與單向可控硅反并聯輸出的增強型的區別在感性負載的場合,當LSR由通態關斷時,由于電流、電壓的相位不一致,將產生一個很大的電壓上升率dv/dt(換向dv/dt)加在雙向可控硅兩端,如此值超過雙向可控硅的換向dv/dt指標(典型值為10V/μs)則將導致延時關斷,甚至失敗。而單向可控硅為單極性工作狀態,只受靜態電壓上升率dv/dt(典型值為100V/μs)影響,由兩只單向可控硅反并聯構成的增強型LSR比由一只雙向可控硅構成的普通型LSR的換向dv/dt有了很大提高,因此在感性或容性負載場合宜選取增強型LSR。㈣繼電器負載輸出端電流等級及型號如下表:電流普通型2A普通型4A普通型8A普通型16A普通型25A普通型40A增強型15A增強型35A型號LSR-3Z02D3LSR-3Z02D2LSR-3Z02A3LSR-3P02D1-3Z04D3-3Z04D2-3Z04A3-3P04D1-3Z08D3-3Z08D2-3Z08A3-3P08D1-3Z16D3-3Z16D2-3Z16A3-3P16D1-3Z25D3-3Z25D2-3Z25A3-3P25D1-3Z40D3-3Z40D2-3Z40A3-3P40D1LSR-H3Z15D3LSR-H3Z15D2LSR-H3Z15A3LSR-H3P15D1-H3Z35D3-H3Z35D2-H3Z35A3-H3P35D1電流增強型50A增強型70A增強型90A。正高電氣材料竭誠為您服務,期待與您的合作!
由于晶閘管在導通期間,載流子充滿元件內部,所以元件在關斷過程中,正向電壓下降到零時,內部仍殘存著載流子。這些積蓄的載流子在反向電壓作用下瞬時出現較大的反向電流,使積蓄載流子迅速消失,這時反向電流消失的極快,即di/dt極大。因此即使和元件串連的線路電感L很小,電感產生的感應電勢L(di/dt)值仍很大,這個電勢和電源電壓串聯,反向加在已恢復阻斷的元件上,可能導致晶閘管的反向擊穿。這種由于晶閘管關斷引起的過電壓,稱為關斷過電壓,其數值可達工作電壓峰值的5~6倍,所以必須采取措施。阻容吸收電路中電容器把過電壓的電磁能量變成靜電能量存貯,電阻防止電容和電感產生諧振、限制晶閘管開通損耗和電流上升率。這種吸收回路能晶閘管由導通到截止時產生的過電壓,有效避免晶閘管被擊穿。阻容吸收電路安裝位置要盡量靠近模塊主端子,即引線要短。比較好采用無感電阻,以取得較好的保護效果。各型號模塊對應的電阻和電容值根據表10選取。(2)壓敏電阻吸收過電壓壓敏電阻能夠吸收由于雷擊等原因產生能量較大、持續時間較長的過電壓。壓敏電阻標稱電壓(V1mA),是指壓敏電阻流過1mA電流時它兩端的電壓。壓敏電阻的選擇,主要考慮額定電壓和通流容量。正高電氣講誠信,重信譽,多面整合市場推廣。廣東快恢復晶閘管模塊報價
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以提高測試電壓和測試電流,使GTO可靠地導通。(2)要準確測量GTO的關斷增益βoff,必須有**測試設備。但在業余條件下可用上述方法進行估測。由于測試條件不同,測量結果*供參考,或作為相對比較的依據。逆導晶閘管RCT(Reverse-ConductingThyristir)亦稱反向導通晶閘管。其特點是在晶閘管的陽極與陰極之間反向并聯一只二極管,使陽極與陰極的發射結均呈短路狀態。由于這種特殊電路結構,使之具有耐高壓、耐高溫、關斷時間短、通態電壓低等優良性能。例如,逆導晶閘管的關斷時間*幾微秒,工作頻率達幾十千赫,優于快速晶閘管(FSCR)。該器件適用于開關電源、UPS不間斷電源中,一只RCT即可代替晶閘管和續流二極管各一只,不僅使用方便,而且能簡化電路設計。逆導晶閘管的符號、等效電路如圖1(a)、(b)所示。其伏安特性見圖2。由圖顯見,逆導晶閘管的伏安特性具有不對稱性,正向特性與普通晶閘管SCR相同,而反向特性與硅整流管的正向特性相同(*坐標位置不同)。逆導晶閘管的典型產品有美國無線電公司(RCA)生產的S3900MF,其外形見圖1(c)。它采用TO-220封裝,三個引出端分別是門極G、陽極A、陰極K。S3900MF的主要參數如下:斷態重復峰值電壓VDRM:>。河南工業窯爐穩流模塊
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