加強光刻膠的機理研究，對新型光刻膠的設計開發、現有光刻技術的改進都是大有裨益的。另外，基礎研究也需要貼合產業發展的實際和需求，如含鐵、鈷的光刻膠，盡管具有較好的光刻效果，但由于鐵、鈷等元素在硅基底中擴散速度很快，容易造成器件的污染，基本沒有可能投入到產業的應用中去。光刻膠的研發和技術水平，能夠影響一個國家半導體工業的健康發展。2019年，日本就曾經通過限制EUV光刻膠出口來制約韓國的芯片生產。因此，唯有加強我國自主的光刻膠研發，隨著光刻技術的發展，不斷開發出新材料、新配方、新工藝，才能保證我國的半導體工業的快速和健康發展。在PCB行業：主要使用的光刻膠有干膜光刻膠、濕膜光刻膠、感光阻焊油墨等。江浙滬化學放大型光刻膠印刷電路板
2005年，研究人員利用美國光源的高數值孔徑微觀曝光工具評價了RohmandHaas公司研發的新型ESCAP光刻膠MET-1K，并將其與先前的EUV-2D光刻膠相比較。與EUV-2D相比，MET-1K添加了更多的防酸擴散劑。使用0.3NA的EUV曝光工具，在90~50nm區間，EUV-2D和MET-1K的圖形質量都比較好；但當線寬小于50nm時，EUV-2D出現明顯的線條坍塌現象，而MET-1K則直到35nm線寬都能保持線條完整。在45nm線寬時，MET-1K仍能獲得較好的粗糙度，LER達到6.3nm。可見MET-1K的光刻性能要優于EUV-2D。從此，MET-1K逐漸代替EUV-2D，成為新的EUV光刻設備測試用光刻膠。嘉定化學放大型光刻膠在半導體集成電路制造行業：主要使用g線光刻膠、i線光刻膠、KrF光刻膠、ArF光刻膠等。
除了枝狀分子之外，環狀單分子樹脂近年來也得到了迅速發展。這些單分子樹脂的環狀結構降低了分子的柔性，從而通常具有較高的玻璃化轉變溫度和熱化學穩定性。由于構象較多，此類分子也難以結晶，往往具有很好的成膜性。起初將杯芳烴應用于光刻的是東京科技大學的Ueda課題組，2002年起，他們報道了具有間苯二酚結構的杯芳烴在365nm光刻中的應用。2007年，瑞士光源的Solak等利用對氯甲氧基杯芳烴獲得了線寬12.5nm、占空比1∶1的密集線條，但由于為非化學放大光刻膠，曝光機理為分子結構被破壞，靈敏度較差，為PMMA的1/5。
在Shirota等的工作基礎之上，2005年起，美國康奈爾大學的Ober課題組將非平面樹枝狀連接酸敏基團的策略進一步發展，設計并合成了一系列用于EUV光刻的單分子樹脂光刻膠，這些光刻膠分子不再局限于三苯基取代主要，具有更復雜的枝狀拓撲結構。三級碳原子的引入使其更不易形成晶體，有助于成膜性能的提高；更復雜的拓撲結構，也便于在分子中設置數量不同的酸敏基團，有利于調節光刻膠的靈敏度。他們研究了后烘溫度、顯影劑濃度等過程對單分子樹脂材料膨脹行為的影響，獲得20nm分辨率的EUV光刻線條，另外，他們也研究了利用超臨界CO2作為顯影劑的可能性。光刻膠行業的上下游合作處于互相依存的關系，市場新進入者很難與現有企業競爭，簽約新客戶的難度高。
起初被廣泛應用的化學放大型EUV光刻膠是環境穩定的化學放大型光刻膠（ESCAP），該理念由IBM公司的光刻膠研發團隊于1994年提出，隨后Shipley公司也開展了系列研究。ESCAP光刻膠由對羥基苯乙烯、苯乙烯、丙烯酸叔丁酯共聚而成，其酸敏基團丙烯酸叔丁酯發生反應需要的活化能較高，因此對環境相對穩定，具有保質期長、后烘溫度窗口大、升華物少、抗刻蝕性好等特點，后廣泛應用于248nm光刻。1999年，時任Shipley公司研發人員將其應用于EUV光刻，他們在19種ESCAP光刻膠中篩選出性能好的編號為2D的EUV光刻膠。通過美國桑迪亞實驗室研制的Sandia10XIEUV曝光工具，可獲得密集線條的最高分辨率達70nm，線寬為100nm時LER為5.3nm，線寬為80nm時LER為7.5nm。該光刻膠即為Shipley公司推出的工具型EUV光刻膠EUV-2D。它取代PMMA成為EUV光刻設備的測試用光刻膠，直至2005年。按顯示效果分類：光刻膠可分為正性光刻膠和負性光刻膠。蘇州正性光刻膠
有機-無機雜化光刻膠被認為是實現10nm以下工業化模式的理想材料。江浙滬化學放大型光刻膠印刷電路板
荷蘭光刻高級研究中心的Brouwer課題組進一步優化了錫氧納米簇的光刻工藝。他們發現后烘工藝可以大幅提高錫氧納米簇光刻膠的靈敏度。盡管錫氧納米簇的機理是非化學放大機理，但曝光后產生的活性物種仍然有可能在加熱狀態下繼續進行反應。俄勒岡州立大學的Herman課題組制備了一種電中性的叔丁基錫Keggin結構（β-NaSn13）納米簇。這一類的光刻膠在含氧氣氛下的靈敏度遠高于真空環境下的靈敏度，這可能與分子氧生成的反應活性氧物種有關。江浙滬化學放大型光刻膠印刷電路板