四川正性光刻膠國(guó)產(chǎn)廠商

來源: 發(fā)布時(shí)間:2025-05-12

關(guān)鍵工藝流程

 涂布:

? 在晶圓/基板表面旋涂光刻膠,厚度控制在0.1-5μm(依制程精度調(diào)整),需均勻無氣泡(旋涂轉(zhuǎn)速500-5000rpm)。

 前烘(Soft Bake):

? 加熱(80-120℃)去除溶劑,固化膠膜,增強(qiáng)附著力(避免顯影時(shí)邊緣剝離)。

 曝光:

? 光源匹配:

? G/I線膠:汞燈(適用于≥1μm線寬,如PCB、LCD)。

? DUV膠(248nm/193nm):KrF/ArF準(zhǔn)分子激光(用于28nm-14nm制程,如存儲(chǔ)芯片)。

? EUV膠(13.5nm):極紫外光源(用于7nm以下制程,需控制納米級(jí)缺陷)。

? 曝光能量:需精確控制(如ArF膠約50mJ/cm2),避免過曝或欠曝導(dǎo)致圖案失真。

 顯影:

? 采用堿性溶液(如0.262N四甲基氫氧化銨,TMAH),曝光區(qū)域膠膜溶解,未曝光區(qū)域保留,形成三維立體圖案。

 后烘(Post-Exposure Bake, PEB):

? 化學(xué)增幅型膠需此步驟,通過加熱(90-130℃)激發(fā)光酸催化反應(yīng),提高分辨率和耐蝕刻性。
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四川正性光刻膠國(guó)產(chǎn)廠商,光刻膠

廣東吉田半導(dǎo)體材料有限公司多種光刻膠產(chǎn)品,主要涵蓋厚板、負(fù)性、正性、納米壓印及光刻膠等類別,以滿足不同領(lǐng)域的需求。

UV 納米壓印光刻膠:JT-2000 型號(hào),耐強(qiáng)酸強(qiáng)堿,耐高溫達(dá) 250°C,長(zhǎng)期可靠性高,粘接強(qiáng)度高,重量 100g。適用于需要在特殊化學(xué)和高溫環(huán)境下進(jìn)行納米壓印光刻的工藝,如半導(dǎo)體器件制造。

其他光刻膠

  • 水油光刻膠 JT-2001:屬于水油兩用光刻膠,具有工廠研發(fā)、可定制、使用、品質(zhì)保障、性能穩(wěn)定的特點(diǎn),重量 1L。
  • 水油光刻膠 SR-3308:同樣為水油兩用光刻膠,重量 5L,具備上述通用優(yōu)勢(shì),應(yīng)用場(chǎng)景。


湖北高溫光刻膠自研自產(chǎn)的光刻膠廠家。

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 光伏電池(半導(dǎo)體級(jí)延伸)

? HJT/TOPCon電池:在硅片表面圖形化金屬電極,使用高靈敏度光刻膠(曝光能量≤50mJ/cm2),線寬≤20μm,降低遮光損失。

? 鈣鈦礦電池:用于電極圖案化和層間隔離,需耐有機(jī)溶劑(適應(yīng)溶液涂布工藝)。

 納米壓印技術(shù)(下一代光刻)

? 納米壓印光刻膠:通過模具壓印實(shí)現(xiàn)10nm級(jí)分辨率,用于3D NAND存儲(chǔ)孔陣列(直徑≤20nm)、量子點(diǎn)顯示陣列等。

 微流控與生物醫(yī)療

? 微流控芯片:制造微米級(jí)流道(寬度10-100μm),材料需生物相容性(如PDMS基材適配)。

? 生物檢測(cè)芯片:通過光刻膠圖案化抗體/抗原固定位點(diǎn),精度≤5μm。

  1. 產(chǎn)品特點(diǎn):耐溶劑型優(yōu)良,抗潮耐水性好,耐印率高;固含量高,流平性好,涂布性能優(yōu)良;經(jīng)特殊乳化聚合技術(shù)處理,網(wǎng)版平滑、無白點(diǎn)、無沙眼、亮度高;剝膜性好,網(wǎng)版可再生使用;解像性、高架橋性好,易做精細(xì)網(wǎng)點(diǎn)和線條;感光度高,曝光時(shí)間短,曝光寬容度大,節(jié)省網(wǎng)版作業(yè)時(shí)間,提高工作效率 。
  2. 應(yīng)用范圍:適用于塑料、皮革、標(biāo)牌、印刷電路板(PCB)、廣告宣傳、玻璃、陶瓷、紡織品等產(chǎn)品的印刷。例如在塑料表面形成牢固圖案,滿足皮革制品精細(xì)印刷需求,制作各類標(biāo)牌保證圖案清晰,用于 PCB 制造滿足高精度要求等。
松山湖光刻膠廠家吉田,23 年經(jīng)驗(yàn) + 全自動(dòng)化產(chǎn)線,支持納米壓印光刻膠定制!

四川正性光刻膠國(guó)產(chǎn)廠商,光刻膠

廣東吉田半導(dǎo)體材料有限公司多種光刻膠產(chǎn)品,各有特性與優(yōu)勢(shì),適用于不同領(lǐng)域。

LCD 正性光刻膠 YK - 200:具有較大曝光、高分辨率、良好涂布和附著力的特點(diǎn),重量 100g。適用于液晶顯示領(lǐng)域的光刻工藝,能確保 LCD 生產(chǎn)過程中圖形的精確轉(zhuǎn)移和良好的涂布效果。

半導(dǎo)體正性光刻膠 YK - 300:具備耐熱耐酸、耐溶劑性、絕緣阻抗和緊密性,重量 100g。主要用于半導(dǎo)體制造工藝,滿足半導(dǎo)體器件對(duì)光刻膠在化學(xué)穩(wěn)定性和電氣性能方面的要求。

耐腐蝕負(fù)性光刻膠 JT - NF100:重量 1L,具有耐腐蝕的特性,適用于在有腐蝕風(fēng)險(xiǎn)的光刻工藝中,比如一些特殊環(huán)境下的半導(dǎo)體加工或電路板制造。 吉田半導(dǎo)體強(qiáng)化研發(fā),布局下一代光刻技術(shù)。江西高溫光刻膠品牌

光刻膠國(guó)產(chǎn)替代的主要難點(diǎn)有哪些?四川正性光刻膠國(guó)產(chǎn)廠商

客戶認(rèn)證:從實(shí)驗(yàn)室到產(chǎn)線的漫長(zhǎng)“闖關(guān)”

 驗(yàn)證周期與試錯(cuò)成本
半導(dǎo)體光刻膠需經(jīng)歷PRS(性能測(cè)試)、STR(小試)、MSTR(中批量驗(yàn)證)等階段,周期長(zhǎng)達(dá)2-3年。南大光電的ArF光刻膠自2021年啟動(dòng)驗(yàn)證,直至2025年才通過客戶50nm閃存平臺(tái)認(rèn)證。試錯(cuò)成本極高,單次晶圓測(cè)試費(fèi)用超百萬元,且客戶為維持產(chǎn)線穩(wěn)定,通常不愿更換供應(yīng)商。

 設(shè)備與工藝的協(xié)同難題
光刻膠需與光刻機(jī)、涂膠顯影機(jī)等設(shè)備高度匹配。國(guó)內(nèi)企業(yè)因缺乏ASML EUV光刻機(jī)測(cè)試資源,只能依賴二手設(shè)備或與晶圓廠合作驗(yàn)證,導(dǎo)致研發(fā)效率低下。例如,華中科技大學(xué)團(tuán)隊(duì)開發(fā)的EUV光刻膠因無法接入ASML原型機(jī)測(cè)試,性能參數(shù)難以對(duì)標(biāo)國(guó)際。
四川正性光刻膠國(guó)產(chǎn)廠商

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