上海多晶硅金場效應管尺寸

來源: 發布時間:2025-03-22

電極,所有的FET都有柵極(gate)、漏極(drain)、源極(source)三個端,分別大致對應BJT的基極(base)、集電極(collector)和發射極(emitter)。除JFET以外,所有的FET也有第四端,被稱為體(body)、基(base)、塊體(bulk)或襯底(substrate)。這個第四端可以將晶體管調制至運行;在電路設計中,很少讓體端發揮大的作用,但是當物理設計一個集成電路的時候,它的存在就是重要的。在圖中柵極的長度(length)L,是指源和漏的距離。寬度(width)是指晶體管的范圍,在圖中和橫截面垂直。通常情況下寬度比長度大得多。長度1微米的柵極限制較高頻率約為5GHz,0.2微米則是約30GHz。場效應管結構簡單,易于集成,有助于電子設備的小型化、輕量化。上海多晶硅金場效應管尺寸

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場效應管與雙極性晶體管的比較:1.場效應管是電壓控制器件,柵極基本不取電流,而晶體管是電流控制器件,基極必須取一定的電流。因此,在信號源額定電流極小的情況,應選用場效應管。2.場效應管是多子導電,而晶體管的兩種載流子均參與導電。由于少子的濃度對溫度、輻射等外界條件很敏感,因此,對于環境變化較大的場合,采用場效應管比較合適。3.場效應管除了和晶體管一樣可作為放大器件及可控開關外,還可作壓控可變線性電阻使用。4.場效應管的源極和漏極在結構上是對稱的,可以互換使用,耗盡型MOS管的柵——源電壓可正可負。因此,使用場效應管比晶體管靈活。上海多晶硅金場效應管尺寸場效應管的工作原理是利用電荷的寄主控制電流流動,具有與電阻不同的工作方式。

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對比:場效應管與三極管的各自應用特點:1.場效應管的源極s、柵極g、漏極d分別對應于三極管的發射極e、基極b、集電極c,它們的作用相似。2.場效應管是電壓控制電流器件,由vGS控制iD,其放大系數gm一般較小,因此場效應管的放大能力較差;三極管是電流控制電流器件,由iB(或iE)控制iC。3.場效應管柵極幾乎不取電流(ig»0);而三極管工作時基極總要吸取一定的電流。因此場效應管的柵極輸入電阻比三極管的輸入電阻高。4.場效應管是由多子參與導電;三極管有多子和少子兩種載流子參與導電,而少子濃度受溫度、輻射等因素影響較大,因而場效應管比晶體管的溫度穩定性好、抗輻射能力強。在環境條件(溫度等)變化很大的情況下應選用場效應管。

場效應管與雙極型晶體管比,它的體積小,重量輕,壽命長等優點,而且輸入回路的內阻特別高,噪聲低、熱穩定性好(因為幾乎只利用多子導電)、防輻射能力強以及省電等優點,幾乎場效應管占據的絕大部分市場。有利就有弊,而場效應管的放大倍數要小于雙極型晶體管的放大倍數(原因后續詳解)。根據制作主要工藝主要分為結型場效應管(Junction Field Effect Transistor,JFET)和絕緣柵型場效應管(MOS管),下面來具體來看這兩種管子。場效應管(FET)基礎知識:名稱,場效應晶體管(Field Effect Transistor 縮寫(FET)),簡稱場效應管。結型場效應管(junction FET-JFET),金屬 - 氧化物半導體場效應管 (metal-oxide semiconductor FET,簡稱MOS-FET),由多數載流子參與導電,也稱為單極型晶體管,屬于電壓控制型半導體器件。與之對應的是由兩種載流子參與導電的雙極型晶體管,三極管(BJT),屬于電流控制型半導體器件。在開關電路中,場效應管可以實現快速的開關操作,普遍應用于數字電路和電源控制中。

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場效應管(英語:field-effect transistor,縮寫:FET)是一種通過電場效應控制電流的電子器件。它依靠電場去控制導電溝道形狀,因此能控制半導體材料中某種類型載流子的溝道的導電性。場效應晶體管有時被稱為“單極性晶體管”,以它的單載流子型作用對比雙極性晶體管。由于半導體材料的限制,以及雙極性晶體管比場效應晶體管容易制造,場效應晶體管比雙極性晶體管要晚造出,但場效應晶體管的概念卻比雙極性晶體管早。MOS管的寄生二極管,由于生產工藝,MOS 管會有寄生二極管,或稱體二極管。這是mos管與三極管較大的一個區別。場效應管是一種半導體器件,通過外部電場調節電導。南京氧化物場效應管供應商

場效應管在電子器件中的功率管理、信號放大等方面有重要作用。上海多晶硅金場效應管尺寸

場效應晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應管。主要有兩種類型:結型場效應管(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導體場效應管(metal-oxide semiconductor FET,簡稱MOS-FET)。由多數載流子參與導電,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高(107~1015Ω)、噪聲小、功耗低、動態范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點,現已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。上海多晶硅金場效應管尺寸

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