成都天然藥物潔凈工程設計

有危險的廠房與周圍建筑物、構筑物應保持一定的防火間距。如與民用建筑的防火間距不應小于25m，與重要公共建筑的防火間距不應小于50m，與明火或散發火花地點的防火間距不應小于30m。有危險的廠房平面布置比較好采用矩形，與主導風向垂直或夾角不小于45o，以有效利用穿堂風，將性氣體吹散，在山區，宜布置在迎風山坡一面且通風良好的地方。防爆廠房宜單獨設置。如必須與非防爆廠房貼鄰時，只能一面貼鄰，并在兩者之間用防火墻或防爆墻隔開。相鄰兩廠房之間不應直接有門相通，以避免沖擊波的影響。有危險的設備盡量避開廠房的梁、柱等承重結構。防爆廠房內的高大設備應布置在廠房中間，矮小設備應靠外墻門窗布置，以免擋風。有危險的廠房、庫房，宜采用單層建筑。細胞潔凈車間歡迎咨詢成都博一醫藥設計有限公司。成都天然藥物潔凈工程設計

對甲、乙類生產廠房每層的潔凈區總建筑面積不超過50m2，且同一時間內的生產人數不超過5人。2.對丙、丁、戊類生產廠房，應按現行國家標準《建筑設計防火規范》（GBJ16）的規定設置。3.安全出口應當分散布置，從生產地點至安全出口不應經過曲折的人員凈化路線，并應設有明顯的疏散標志，安全疏散距離應符合現行國家標準《建筑設計防火規范》（GBJ16）的規定。4.潔凈區與非潔凈區、潔凈區與室外相通的安全疏散門應向疏散方向開啟，并加閉門器。安全疏散門不應采用吊門、轉門、側拉門、卷簾門以及電控自動門。5.潔凈廠房與潔凈區同層外墻應設可供消防人員通往廠房潔凈區的門窗，其洞口間距大于80m時，應在該段外墻的適當部位設置消防口。消防口的寬度應不小于750mm，高度應不小于1800mm，并應有明顯標志。樓層的消防口應設置陽臺，并從二層開始向上層架設鋼梯。6.潔凈廠房外墻上的吊門、電控自動門以及寬度小于750mm、高度小于1800mm或裝有柵欄的窗，均不應作為火災發生時提供消防人員進入廠房的入口。云南凈化車間設計排行榜廠房設計中的人性化設計和工作流程優化有哪些策略？

潔凈室（區）外窗設計應符合下列要求：1.當潔凈室（區）和人員凈化用室設置外窗時，應采用雙層玻璃固定窗，并應有良好的氣密性。2.靠潔凈室室內一側窗不宜設窗臺。3.潔凈室內的密閉門應朝空氣潔凈度較高的房間開啟，并加設閉門器，無窗潔凈室的密閉門上宜設觀察窗。4.潔凈室門窗、墻壁、頂棚等的設計應符合下列要求：5.潔凈室門窗、墻壁、頂棚、地（樓）面的構造和施工縫隙，均應采取可靠的密閉措施。6.當采用輕質構造頂棚做技術夾層時，夾層內宜設檢修通道。7.潔凈室窗宜與內墻面齊平，不宜設窗臺。8.潔凈室內的色彩宜淡雅柔和。室內各表面材料的光反射系數:頂棚和墻面宜為0.6～0.8，地面宜為0.15～0.35。

防靜電潔凈室中由于靜電引起的的事故屢有發生，因此潔凈室的防靜電能力如何已成為評價其質量的一個不可忽視的方面。所謂靜電，是由于摩擦等原因破壞了物體中正(+)負（-）電荷等量的均勻的電中性狀態，而使電荷過剩，物體呈帶電狀態，由于這些電荷平時是不流動的，故稱靜電。在潔凈室內靜電導致的事故有以下幾方面；①靜電電引起的靜電電擊，引起人的不安全和恐懼感，并可造成二次傷害(例如人因受電擊而摔倒，由摔倒又致傷)；②靜電放電引起的放電電流，可導致諸如半導體元件等破壞和誤動作，例如將50塊P-MOS電路放在塑料袋內，搖晃數次后，與非門柵極嚴重擊穿者計39塊，失效率競達78%，這是因為半導體器件對靜電放電十分靈敏；③靜電放電產生的電磁波可導致電子儀器和裝置的雜音和誤動作；④靜電放電的發光可導致照相肢片等感光破壞；潔凈實驗室設計聯系成都博一醫藥設計有限公司。

安全防火制藥工業廠房的安全防火要根據生產過程中使用、產生及存儲的原料、中間品和成品的物理化學性質和數量及其火災危險程度和生產過程的性質等情況來確定。對于化學合成原料藥的生產廠房，其建筑物應采用一、二級耐火等級；對于原料藥的結晶精制、干燥等工序以及制劑生產用潔凈廠房，耐火等級要求不低于二級，建筑構配件耐火性能應與甲、乙類火災危險等級相適宜。一般廠房安全出口不應少于2個；潔凈廠房每一生產層或每一潔凈區的安全出口數量，均不應少于2個，且應分散均勻布置；從生產地點至安全出口不得經過曲折的人員凈化路線。廠房的地下室、半地下室的安全出口不應少于兩個。地下室、半地下室如用防火墻隔成幾個防火分區時，每個防火分區必須有一個直通室外的安全出口，并可利用防火墻上通向相鄰分區的防火門作為第二安全出口。甲、乙、丙類廠房和高層廠房的疏散樓梯應采用封閉樓梯間，高度超過32m且每層人數超過10人的高層廠房宜采用防煙樓梯間或室外樓梯。潔凈廠房同一層的外墻應設有通向潔凈區的門窗或消防口，以方便消防人員的進入。細胞設計認準成都博一醫藥設計有限公司。功能食品凈化工程設計

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潔凈室中的溫濕度控制潔凈空間的溫濕度主要是根據工藝要求來確定，但在滿足工藝要求的條件下，應考慮到人的舒適度感。隨著空氣潔凈度要求的提高，出現了工藝對溫濕度的要求也越來越嚴的趨勢。具體工藝對溫度的要求以后還要列舉，但作為總的原則看，由于加工精度越來越精細，所以對溫度波動范圍的要求越來越小。例如在大規模集成電路生產的光刻曝光工藝中，作為掩膜板材料的玻璃與硅片的熱膨脹系數的差要求越來越小。直徑100um的硅片，溫度上升1度，就引起了0.24um線性膨脹，所以必須有±0.1度的恒溫，同時要求濕度值一般較低，因為人出汗以后，對產品將有污染，特別是怕鈉的半導體車間，這種車間溫度不宜超過25度，濕度過高產生的問題更多。相對濕度超過55%時，冷卻水管壁上會結露，如果發生在精密裝置或電路中，就會引起各種事故。相對濕度在50%時易生銹。此外，濕度太高時將通過空氣中的水分子把硅片表面粘著的灰塵化學吸附在表面難以。相對濕度越高,粘附的越難去掉，但當相對濕度低于30%時，又由于靜電力的作用使粒子也容易吸附于表面，同時大量半導體器件容易發生擊穿。對于硅片生產比較好濕度范圍為35—45%。成都天然藥物潔凈工程設計