三極管的腳位判斷，三極管的腳位有兩種封裝排列形式，三極管是一種結型電阻器件，它的三個引腳都有明顯的電阻數據，測試時（以數字萬用表為例，紅筆+，黒筆-）我們將測試檔位切換至 二極管檔 （蜂鳴檔）標志符號：正常的NPN結構三極管的基極（B）對集電極（C）、發射極（E）的正向電阻是430Ω-680Ω（根據型號的不同，放大倍數的差異，這個值有所不同）反向電阻無窮大；正常的PNP 結構的三極管的基極（B）對集電極（C）、發射極（E）的反向電阻是430Ω-680Ω，正向電阻無窮大。開關三極管可以用很小的電流，控制大電流的通斷，有較多的應用。浙江鍺管三極管
選用三極管需要了解三極管的主要參數。若手中有一本晶體管特性手冊好。三極管的參數很多，其中必須了解的四個極限參數：ICM、BVCEO、PCM、fT、TON TOFF 等，可滿足95%以上的使用需要。ICM是集電極大允許電流。三極管工作時當它的集電極電流超過一定數值時，它的電流放大系數β將下降。為此規定三極管的電流放大系數β變化不超過允許值時的集電極大電流稱為ICM。所以在使用中當集電極電流IC超過ICM時不至于損壞三極管，但會使β值減小，影響電路的工作性能。浙江鍺管三極管三極管其移動方向與電流方向一致，故發射極箭頭向里。
雙極型三極管的電流傳輸關系：發射結加正偏時，從發射區將有大量的電子向基區擴散，形成的電流為IEN。與PN結中的情況相同。從基區向發射區也有空穴的擴散運動，但其數量小，形成的電流為IEP。這是因為發射區的摻雜濃度遠大于基區的摻雜濃度。進入基區的電子流因基區的空穴濃度低，被復合的機會較少。又因基區很薄，在集電結反偏電壓的作用下，電子在基區停留的時間很短，很快就運動到了集電結的邊上，進入集電結的結電場區域，被集電極所收集，形成集電極電流ICN。在基區被復合的電子形成的電流是 IBN。
三極管實際放大電路三極管在實際的放大電路中使用時，還需要加合適的偏置電路。這有幾個原因。首先是由于三極管BE結的非線性(相當于一個二極管)，基極電流必須在輸入電壓大到一定程度后才能產生(對于硅管，常取0.7V)。當基極與發射極之間的電壓小于0.7V時，基極電流就可以認為是0。但實際中要放大的信號往往遠比0.7V要小，如果不加偏置的話，這么小的信號就不足以引起基極電流的改變(因為小于0.7V時，基極電流都是0)。如果我們事先在三極管的基極上加上一個合適的電流(叫做偏置電流，圖2中那個電阻Rb就是用來提供這個電流的，所以它被叫做基極偏置電阻)，那么當一個小信號跟這個偏置電流疊加在一起時，小信號就會導致基極電流的變化，而基極電流的變化，就會被放大并在集電極上輸出。另一個原因就是輸出信號范圍的要求，如果沒有加偏置，那么只有對那些增加的信號放大，而對減小的信號無效(因為沒有偏置時集電極電流為0，不能再減小了)。而加上偏置，事先讓集電極有一定的電流，當輸入的基極電流變小時，集電極電流就可以減小;當輸入的基極電流增大時，集電極電流就增大。這樣減小的信號和增大的信號都可以被放大了。三極管產品參數PCM大允許耗散功率。
三極管飽和區的特點是，三級管的電流與IB和VCE有關，但是與VCE相關程度更大，因為可以看到當VCE固定時，不同的IB變化引起的IC變化不大；但是反過來，IB固定，VCE變化一點點就會引起IC劇烈變化，換句話說三極管已經飽和了，已經不受控于IB而受控于VCE了。飽和的意思就是滿了，我們可以用向水杯子倒水的模型來理解這個過程，IB就是倒水的水流，IC就是水面的高度，VCE就是指水面的高度。飽和就是指水滿了，飽和時狀態所示，此時水面高度IC已經滿了（已經飽和）不受控于IB了，而受控于水杯的高度VCE，如果想要進一步增加IC，就需要增加水杯高度VCE，這樣理解飽和這個概念就更形象易懂了。三極管而P是正極的意思（Positive）是加入硼取代硅。揚州三極管接線圖
開關三極管具有壽命長、安全可靠、沒有機械磨損、開關速度快、體積小等特點。浙江鍺管三極管
三極管鍺管的穿透電流比較大，一般由幾十微安到幾百微安，硅管的穿透電流就比較小，一般只有零點幾微安到幾微安。 I ceo 雖然不大，卻與溫度有著密切的關系，它們遵循著所謂的“加倍規則”，這就是溫度每升高 10℃ ， I ceo 約增大一倍。例如，某鍺管在常溫 20℃ 時， I ceo 為 20μA ，在使用中管芯溫度上升到 50℃ ， I ceo 就增大到 160μA 左右。測量 I ceo 的電路很簡單，三極管的基極開路，在集電極與發射極之間接入電源 V CC （ 6V ），串聯在電路中的電流表（可用萬用表中的 0.1mA 擋）所指示的電流值就是 I ceo 。浙江鍺管三極管
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