光電二極管的主要部分是P-N結，和普通的二極管一樣，P-N結屬于單向導電的非線性元件，在P-N結中存在一個從N區指向P區的內電場E。在熱平衡的條件下(無光照下)，多數載流子(N區的電子和P區的空穴)的擴散作用與少數載流子(N區的空穴和P區的電子)的漂移作用相互抵消，沒有凈電荷通過P-N結。有光照射在P-N結及附近區域時，如果照射的光子有足夠大的能量，那么就會在P-N結及附近區域產生少數光生載流子。少數光生載流子靠擴散作用進入P-N結區，并在內電場E的作用下，電子漂移到N區，空穴漂移到P區，使N區帶負電荷，P區帶正電荷，進而產生附加電勢，我們把這個電勢叫做光生電動勢。 當有外加偏壓，且外加偏壓方向與P一結內電場 一致時，光生載流子在勢壘區電場作用下漂移過P-N結，形成導電電流。當LED產生的光是頻寬極窄的同調光時，則稱為激光二極管。廣東整流二極管生產
二極管開關電路及故障處理：開關電路是一種常用的功能電路，例如家庭中的照明電路中的開關，各種民用電器中的電源開關等。在開關電路中有兩大類的開關：（1）機械式的開關，采用機械式的開關件作為開關電路中的元器件。（2）電子開關，所謂的電子開關，不用機械式的開關件，而是采用二極管、三極管這類器件構成開關電路。開關二極管開關特性說明開關二極管同普通的二極管一樣，也是一個PN結的結構，不同之處是要求這種二極管的開關特性要好。當給開關二極管加上正向電壓時，二極管處于導通狀態，相當于開關的通態；當給開關二極管加上反向電壓時，二極管處于截止狀態，相當于開關的斷態。佛山雙向二極管參數二極管可以想象成電路中的單向閥。
二極管的起源早在20世紀40年代，人們就開始利用金屬-半導體接觸的單向導電性，當時將金屬絲與氧化亞銅晶體接觸做成點接觸型二極管，將這種較簡單的半導體器件用于檢波。利用薄膜淀積技術可在半導體表面形成大面積的金屬-半導體整流接觸，做成面接觸型的金屬-半導體二極管，習慣上稱之為肖特基勢壘二極管，簡稱為肖特基二極管。目前，功率肖特基勢壘二極管主要用鉻、鉑、鎢、鋁等金屬與N型低阻硅制成 這里需要對陰極金屬與重摻雜的N+層之間的接觸進行說明。首先肯定是該接觸為歐姆接觸，與陽極的金屬-半導體的整流接觸不同。歐姆接觸不光光看金屬和半導體的功函數之差。更廣義的所謂歐姆接觸，是指接觸電阻很小且不隨外加電壓的變化而改變其阻值的線性接觸。
二極管在20世紀20年代由熱離子二極管所取代。20世紀50年代，高純度的半導體材料出現。因為新出現的鍺二極管價格便宜，晶體收音機重新開始被大規模使用。貝爾實驗室還開發了鍺二極管微波接收器。20世紀40年代中后期，美國電話電報公司在美國四處新建的微波塔上開始應用這種微波接收器，主要用于傳輸電話和網絡電視信號。不過貝爾實驗室并未研發出效果令人滿意的熱離子二極管微波接收器。之后隨著量子力學和半導體材料的發展和應用，逐漸發展并形成了目前人們使用的半導體二極管結構和配套的應用產業。二極管比鍺二極管在高溫下具有較好的穩定性。
二極管擊穿特性外加反向電壓超過某一數值時，反向電流會突然增大，這種現象稱為電擊穿。引起電擊穿的臨界電壓稱為二極管反向擊穿電壓。電擊穿時二極管失去單向導電性。如果二極管沒有因電擊穿而引起過熱，則單向導電性不一定會被破壞，在撤除外加電壓后，其性能仍可恢復，否則二極管就損壞了。因而使用時應避免二極管外加的反向電壓過高。反向擊穿按機理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下，因勢壘區寬度很小，反向電壓較大時，破壞了勢壘區內共價鍵結構，使價電子脫離共價鍵束縛，產生電子-空穴對，致使電流急劇增大，這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低，勢壘區寬度較寬，不容易產生齊納擊穿。紅外發光二極管的正、負電極。紅外發光二極管有兩個引腳，通常長引腳為正極，短引腳為負極。佛山雙向二極管參數
二極管紅外線發射與接收的方式有兩種，其一是直射式，其二是反射式。廣東整流二極管生產
二極管電路工作原理分析思路說明關于這一電路工作原理的分析思路主要說明下列幾點：（1）如果沒有VD1這一支路，從級錄音放大器輸出的錄音信號全部加到第二級錄音放大器中。但是，有了VD1這一支路之后，從級錄音放大器輸出的錄音信號有可能會經過C1和導通的VD1流到地端，形成對錄音信號的分流衰減。（2）電路分析的第二個關鍵是VD1這一支路對級錄音放大器輸出信號的對地分流衰減的具體情況。顯然，支路中的電容C1是一只容量較大的電容（C1電路符號中標出極性，說明C1是電解電容，而電解電容的容量較大），所以C1對錄音信號呈通路，說明這一支路中VD1是對錄音信號進行分流衰減的關鍵元器件。廣東整流二極管生產
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