二極管VD1溫度補償電路分析利用二極管的管壓降溫度特性可以正確解釋VD1在電路中的作用。假設溫度升高，根據三極管特性可知，VT1的基極電流會增大一些。當溫度升高時，二極管VD1的管壓降會下降一些，VD1管壓降的下降導致VT1基極電壓下降一些，結果使VT1基極電流下降。由上述分析可知，加入二極管VD1后，原來溫度升高使VT1基極電流增大的，現在通過VD1電路可以使VT1基極電流減小一些，這樣起到穩定三極管VT1基極電流的作用，所以VD1可以起溫度補償的作用。三極管的溫度穩定性能不良還表現為溫度下降的過程中。在溫度降低時，三極管VT1基極電流要減小，這也是溫度穩定性能不好的表現。接入二極管VD1后，溫度下降時，它的管壓降稍有升高，使VT1基極直流工作電壓升高，結果VT1基極電流增大，這樣也能補償三極管VT1溫度下降時的不穩定。發光二極管與霓虹燈相比除了壽命長，還有節能、驅動和控制簡易、無需維護等特點。廣東TOS二極管
半導體二極管的非線性電流-電壓特性，可以根據選擇不同的半導體材料和摻雜不同的雜質從而形成雜質半導體來改變。特性改變后的二極管在使用上除了用做開關的方式之外，還有很多其他的功能，如：用來調節電壓（齊納二極管），限制高電壓從而保護電路（雪崩二極管），無線電調諧（變容二極管），產生射頻振蕩（隧道二極管、耿氏二極管、IMPATT二極管）以及產生光（發光二極管）。半導體二極管中，有利用P型和N型兩種半導體接合面的PN結效應，也有利用金屬與半導體接合產生的肖特基效應達到整流作用的類型。若是PN結型的二極管，在P型側就是陽極，N型側則是陰極。紹興二極管二極管初被發明時通常被稱作“整流器”。
二極管的起源早在20世紀40年代，人們就開始利用金屬-半導體接觸的單向導電性，當時將金屬絲與氧化亞銅晶體接觸做成點接觸型二極管，將這種較簡單的半導體器件用于檢波。利用薄膜淀積技術可在半導體表面形成大面積的金屬-半導體整流接觸，做成面接觸型的金屬-半導體二極管，習慣上稱之為肖特基勢壘二極管，簡稱為肖特基二極管。目前，功率肖特基勢壘二極管主要用鉻、鉑、鎢、鋁等金屬與N型低阻硅制成 這里需要對陰極金屬與重摻雜的N+層之間的接觸進行說明。首先肯定是該接觸為歐姆接觸，與陽極的金屬-半導體的整流接觸不同。歐姆接觸不光光看金屬和半導體的功函數之差。更廣義的所謂歐姆接觸，是指接觸電阻很小且不隨外加電壓的變化而改變其阻值的線性接觸。
二極管種類：PIN二極管（P-intrinsic-N Diode）PN之間一層高電阻的半導體層，使少數載子的積蓄效果增加，逆回復時間也較長。利用順向偏壓時高頻率訊號較容易通過的性質，用于天線的頻帶切換以及高頻率開關。耿效應二極管應用于低功率微波振蕩器。交流二極管（DIAC）、突波保護二極管、雙向觸發二極管當施加超過規定電壓（Break Over電壓，VBO）的電壓會開始導通使得端子之間的電壓降低的雙方向元件。用于電路的突波保護上。另，雖被稱為二極管，實際的構造、動作原理都應歸類為閘流管/可控硅整流器的復雜分類中。二極管兩端的反向電壓高到一定值時，會將管子擊穿，失去單向導電能力。
反向偏壓（Reverse Bias）在陽極側施加相對陰極負的電壓，就是反向偏置，所加電壓為逆向偏壓。這種情況下，因為N型區域被注入電洞，P型區域被注入電子，兩個區域內的主要載流子都變為不足，因此結合部位的空乏層變得更寬，內部的靜電場也更強，擴散電位也跟著變大。這個擴散電位與外部施加的電壓互相抵銷，讓反向的電流更難以通過。實際的元件雖然處于反向偏壓狀態，也會有微小的反向電流（飽和電流、漏電流、漂移電流）通過。當反向偏壓持續增加時，還會發生隧道擊穿或雪崩擊穿或崩潰，發生急遽的電流增加。開始產生這種擊穿現象的（反向）電壓被稱為擊穿電壓。超過擊穿電壓以后反向電流急遽增加的區域被稱為擊穿區（崩潰區）。在擊穿區內，電流在較大的范圍內變化而二極管反向壓降變化較小。穩壓二極管就利用這個區域的動作特性而制成，可以作為電壓源使用。晶體二極管為一個由P型半導體和N型半導體形成的PN結。紹興二極管
光電二極管又稱光敏二極管。它的管殼上備有一個玻璃窗口，以便于接受光照。廣東TOS二極管
二極管開關電路及故障處理：開關電路是一種常用的功能電路，例如家庭中的照明電路中的開關，各種民用電器中的電源開關等。在開關電路中有兩大類的開關：（1）機械式的開關，采用機械式的開關件作為開關電路中的元器件。（2）電子開關，所謂的電子開關，不用機械式的開關件，而是采用二極管、三極管這類器件構成開關電路。開關二極管開關特性說明開關二極管同普通的二極管一樣，也是一個PN結的結構，不同之處是要求這種二極管的開關特性要好。當給開關二極管加上正向電壓時，二極管處于導通狀態，相當于開關的通態；當給開關二極管加上反向電壓時，二極管處于截止狀態，相當于開關的斷態。廣東TOS二極管
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