上海大功率場(chǎng)效應(yīng)管生產(chǎn)

場(chǎng)效應(yīng)管屬于電壓控制元件，這一點(diǎn)類似于電子管的三極管，但它的構(gòu)造與工作原理和電子管是截然不同的，與雙極型晶體管相比，場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有如下特點(diǎn)：（1）場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件，它通過(guò)UGS來(lái)控制ID；（2）場(chǎng)效應(yīng)管的輸入端電流極小，因此它的輸入電阻很大。（3）它是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，因此它的溫度穩(wěn)定性較好；（4）它組成的放大電路的電壓放大系數(shù)要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數(shù)；（5）場(chǎng)效應(yīng)管的抗輻射能力強(qiáng)；（6）由于不存在雜亂運(yùn)動(dòng)的少子擴(kuò)散引起的散粒噪聲，所以噪聲低。場(chǎng)效應(yīng)晶體管也可由溝道和柵極之間的絕緣方法來(lái)區(qū)分。上海大功率場(chǎng)效應(yīng)管生產(chǎn)

場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù)：① 開(kāi)啟電壓VGS（th） （或VT）開(kāi)啟電壓是MOS增強(qiáng)型管的參數(shù)，柵源電壓小于開(kāi)啟電壓的好不要值，場(chǎng)效應(yīng)管不能導(dǎo)通。② 夾斷電壓VGS（off） （或VP）夾斷電壓是耗盡型FET的參數(shù)，當(dāng)VGS=VGS（off） 時(shí)，漏極電流為零。③ 飽和漏極電流IDSS耗盡型場(chǎng)效應(yīng)三極管，當(dāng)VGS=0時(shí)所對(duì)應(yīng)的漏極電流。④ 輸入電阻RGS場(chǎng)效應(yīng)三極管的柵源輸入電阻的典型值，對(duì)于結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)三極管，反偏時(shí)RGS約大于107Ω，對(duì)于絕緣柵場(chǎng)型效應(yīng)三極管，RGS約是109～1015Ω。佛山氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管生產(chǎn)場(chǎng)效應(yīng)管因而被普遍用于大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路中。

場(chǎng)效應(yīng)管轉(zhuǎn)移特性曲線：柵極電壓對(duì)漏極電流的控制稱為轉(zhuǎn)移特性，反映兩者關(guān)系的曲線稱為轉(zhuǎn)移特性曲線。N溝結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性曲線如圖。當(dāng)柵極電壓取出不同的電壓時(shí)，漏極電流隨之變化。當(dāng)柵極電壓=0時(shí)，ID值為場(chǎng)效應(yīng)管飽和漏極電流IDSS；當(dāng)漏極電流=0時(shí)，柵極電壓的值為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管夾斷UQ。輸出特性曲線：當(dāng) Ugs確定時(shí)，反映 ID與 Uds的關(guān)系曲線是輸出特征曲線，又稱漏極特性曲線。按圖示可劃分為三個(gè)區(qū)域：飽和區(qū)、擊穿區(qū)和非飽和區(qū)。當(dāng)起放大作用時(shí)，應(yīng)該在飽和區(qū)內(nèi)工作。請(qǐng)注意，這里的“飽和區(qū)”對(duì)應(yīng)普通三極管的“放放區(qū)”。

場(chǎng)效應(yīng)晶體管既可以作為多數(shù)載流子器件（由多子導(dǎo)電），又可以作為少數(shù)載流子器件（由少子導(dǎo)電）。該器件由電荷載流子（電子或空穴）從源極流到漏極的有源溝道組成。源極導(dǎo)體和漏極導(dǎo)體通過(guò)歐姆接觸聯(lián)結(jié)。溝道的電導(dǎo)率是柵源電壓的函數(shù)。場(chǎng)效應(yīng)晶體管的三個(gè)電極包括:源極(S)，載流子經(jīng)過(guò)源極進(jìn)入溝道。通常，在源極處進(jìn)入通道的電流由IS表示。漏極(D)，載流子通過(guò)漏極離開(kāi)溝道。通常，在漏極處進(jìn)入通道的電流由ID表示。漏極與源極之間的電壓由VDS表示。柵極(G)，調(diào)制溝道電導(dǎo)率的電極。通過(guò)向柵極施加電壓，可以控制ID。場(chǎng)效應(yīng)管可以用作電子開(kāi)關(guān)。

場(chǎng)效應(yīng)管的檢測(cè)方法:（1）準(zhǔn)備工作測(cè)量之前，先把人體對(duì)地短路后，才能摸觸MOSFET的管腳。比較好在手腕上接一條導(dǎo)線與大地連通，使人體與大地保持等電位。再把管腳分開(kāi)，然后拆掉導(dǎo)線。（2）判定電極將萬(wàn)用表?yè)苡赗×100檔，首先確定柵極。若某腳與其它腳的電阻都是無(wú)窮大，證明此腳就是柵極G。交換表筆重測(cè)量，S-D之間的電阻值應(yīng)為幾百歐至幾千歐，其中阻值較小的那一次，黑表筆接的為D極，紅表筆接的是S極。日本生產(chǎn)的3SK系列產(chǎn)品，S極與管殼接通，據(jù)此很容易確定S極。（3）檢查放大能力（跨導(dǎo)）將G極懸空，黑表筆接D極，紅表筆接S極，然后用手指觸摸G極，表針應(yīng)有較大的偏轉(zhuǎn)。雙柵MOS場(chǎng)效應(yīng)管有兩個(gè)柵極G1、G2。為區(qū)分之，可用手分別觸摸G1、G2極，其中表針向左側(cè)偏轉(zhuǎn)幅度較大的為G2極。柵極(G)，調(diào)制溝道電導(dǎo)率的電極。通過(guò)向柵極施加電壓，可以控制ID。大功率場(chǎng)效應(yīng)管接線圖

場(chǎng)效應(yīng)管輸入結(jié)電容小（反饋電容），輸出端負(fù)載的變化對(duì)輸入端影響小。上海大功率場(chǎng)效應(yīng)管生產(chǎn)

場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù) :Idss — 飽和漏源電流.是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中,柵極電壓UGS=0時(shí)的漏源電流.Up — 夾斷電壓.是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中,使漏源間剛截止時(shí)的柵極電壓.　Ut — 開(kāi)啟電壓.是指增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效管中,使漏源間剛導(dǎo)通時(shí)的柵極電壓.gM — 跨導(dǎo).是表示柵源電壓UGS — 對(duì)漏極電流ID的控制能力,即漏極電流ID變化量與柵源電壓UGS變化量的比值.gM 是衡量場(chǎng)效應(yīng)管放大能力的重要參數(shù).BVDS — 漏源擊穿電壓.是指柵源電壓UGS一定時(shí),場(chǎng)效應(yīng)管正常工作所能承受的較大漏源電壓.這是一項(xiàng)極限參數(shù),加在場(chǎng)效應(yīng)管上的工作電壓必須小于BVDS.PDSM — 較大耗散功率,也是一項(xiàng)極限參數(shù),是指場(chǎng)效應(yīng)管性能不變壞時(shí)所允許的較大漏源耗散功率.使用時(shí),場(chǎng)效應(yīng)管實(shí)際功耗應(yīng)小于PDSM并留有一定余量.IDSM — 較大漏源電流.是一項(xiàng)極限參數(shù),是指場(chǎng)效應(yīng)管正常工作時(shí),漏源間所允許通過(guò)的較大電流.場(chǎng)效應(yīng)管的工作電流不應(yīng)超過(guò)IDSM上海大功率場(chǎng)效應(yīng)管生產(chǎn)

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