天津微波毫米波器件及電路芯片開發

南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司對外提供Si基GaN微波毫米波器件與芯片技術開發服務，該芯片相對于Si LDMOS，具有工作頻率高、功率大、體積小等優勢；相對于傳統SiC基GaN芯片，具備低成本、高密度集成、大尺寸等優勢；適應于C、Ka、W等主流波段的攻放、開關、低噪放等芯片；南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司可提供定制化的Si基GaN射頻器件和電路芯片研制與代工服務；該芯片可用于5G通信基站、高效能源、汽車雷達、手機終端、人工智能等領域。芯谷高頻研究院的CVD用固態微波功率源產品可直接與各類射頻CVD設備直接集成，應用于金剛石等材料的生長。天津微波毫米波器件及電路芯片開發

南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司的跨尺度材料熱物性測試儀是針對超高導熱材料自主研發的熱物性測試儀器，可滿足4英寸量級尺寸以下的任意形狀、任意厚度的高導熱材料（金剛石、SiC等）熱物性測試，測試精度高，主要用于百微米量級厚度材料的熱導率分析、微納級薄膜或界面的熱阻分析，可有效解決現有設備無法實現大尺寸、微米級厚度、及其超高熱導率等材料的熱評估難題。該設備數據自動采集系統和分析軟件具有知識產權，采用半自動控制，可靠性高，操作便捷。山東硅基氮化鎵芯片流片芯片的應用范圍正在不斷擴大，從傳統的電子設備到新興的物聯網、人工智能等領域，都離不開芯片的支持。

南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司致力于為客戶提供專業的異質集成工藝服務。在晶圓鍵合方面，提供6英寸及以下的超高真空鍵合、表面活化鍵合、聚合物鍵合、熱壓鍵合、共晶鍵合等多種類型的晶圓及非標準片鍵合服務，確保晶圓間的緊密結合。在襯底減薄方面，提供Si、SiC、GaN、GaAs、InP、LiNbO3、石英等多種材料的襯底減薄服務，以滿足不同應用場景的需求。在表面平坦化方面，提供Si、SiC、GaN、GaAs、InP、LiNbO3、石英等多種材料的表面亞納米級精細拋光服務，確保材料表面的平滑度和精度。公司的多種異質集成技術服務，包括超高真空鍵合、襯底減薄和表面平坦化等，均基于先進的技術和設備，旨在滿足客戶的各種不同需求。公司憑借豐富的經驗和技術實力，為客戶提供定制化的解決方案，助力客戶在異質集成工藝領域取得突出成果。

南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司對外提供異質異構集成技術服務，可進行以下先進集成材料制備和研發：1)單晶AlN、LiNbO3壓電薄膜異質晶圓，用于SAW、BAW、XBAR等高性能射頻濾波器；2)厚膜LiNbO3、薄膜LiNbO3異質晶圓，用于低損耗光學平臺；3)AlGaAs-on-insulator，絕緣體上AlGaAs晶圓，用于光量子器件等新一代片上光源平臺；4)Miro-Cavity-SOI，內嵌微腔的絕緣體上Si晶圓，用于環柵GAA，MEMS等器件平臺；5)SionSiC/Diamond，解決傳統Si襯底功率器件散熱低的瓶頸；6)GaNonSiC，解決自支撐GaN襯底高性能器件散熱低的瓶頸；7)支持特定襯底功能薄膜材料異質晶圓定制研發。芯片在信息安全領域發揮著重要作用，通過加密算法保護數據安全。

南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司是國內擁有先進太赫茲測試能力的機構之一。公司具備專業的測試能力和豐富的經驗，可以高效、準確地測試各類元器件、MMIC電路及模塊的散射參數，測試頻率覆蓋至400GHz，并提供器件建模服務。此外，公司還能進行高達500GHz的電路功率測試和噪聲測試，充分展現在太赫茲測試領域的實力。公司始終堅持創新和研發，不斷突破技術邊界，為客戶提供更加專業、高質量的服務。作為高頻器件產業的重要一環，公司積極為整個行業的發展貢獻力量。未來，南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司將繼續致力于太赫茲測試技術的創新和應用，不斷推動整個行業的進步和發展，為實現更大的技術突破做出更大的貢獻。芯片在航空航天領域的應用，如衛星通信、導航定位等，為人類的探索活動提供了強大的技術支持。內蒙古SBD器件及電路芯片開發

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南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院的主要產品之一是高功率密度熱源產品，該產品由熱源管芯和熱源集成外殼組成，并采用了先進的厚金技術。熱源管芯的背面可以與任意熱沉進行金錫等焊料集成，也滿足與外殼集成后，在任意熱沉進行機械集成。這種靈活的設計使得熱源可以根據客戶的要求進行定制，尺寸可以進行調整。這款高功率密度熱源產品適用于微系統或微電子領域的熱管、微流以及新型材料的散熱技術開發。同時，它還可以對熱管理技術進行定量的表征和評估。公司可以根據客戶的需求，設計和開發各種熱源微結構及其功率密度。這款產品不僅具有高功率密度，還具有良好的可定制性和適應性。天津微波毫米波器件及電路芯片開發