河南化合物半導體芯片定制開發

南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司公共技術服務平臺可對外提供半導體器件及電路的加工流片服務，可完成太赫茲芯片、微波毫米波芯片、光電集成芯片、異質異構集成芯片、碳電子器件等各個領域芯片的研發與制造，可提供工藝開發、芯片流片、芯片測試等服務，可進行單步或多步工藝定制開發，可滿足多樣性的工藝要求。未來，南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司將繼續致力于半導體器件及電路的研發和創新，為行業的發展貢獻自己的力量。芯谷高頻公司擁有芯片研發與制造能力，能夠高效地完成芯片流片，包括太赫茲、異質異構集成等領域芯片。河南化合物半導體芯片定制開發

    南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司具備先進的CVD用固態微波功率源技術。CVD技術是一種關鍵的制備技術，它通過氣相反應直接在襯底上生長薄膜，是許多重要材料的制備技術之一。而固態微波功率源則是CVD設備重要組成部分。研究院的固態微波功率源，其技術先進，性能優良，可以廣泛應用于化學/物理/電子束氣相沉積和磁控濺射等各領域。該技術的應用前景十分廣闊。在催化反應、材料制備等領域，CVD已是一種通行的制備技術。該技術的優勢不僅在于制備的薄膜質量高，而且操作簡單，可實現大規模制備，制備出的薄膜可廣泛應用于熱電轉換器、光學設備、導電薄膜和光伏電池等領域。研究院在CVD用固態微波功率源技術上的研究和應用，將極大地推動該技術的發展并擴大其應用范圍。研究院的技術實力，豐富的經驗以及創新精神，將為該行業的進一步發展奠定堅實的基礎。 北京光電器件及電路器件及電路芯片工藝技術服務芯谷高頻研究院的高功率密度熱源產品適用于微系統或微電子領域的熱管、微流以及新型材料的散熱技術開發。

南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司公共技術服務平臺是一家專業提供先進芯片工藝技術服務、微組裝及測試技術服務的機構。該平臺匯聚了一支經驗豐富、技術精湛的團隊，致力于為客戶提供技術支持和解決方案。在芯片工藝技術服務方面，平臺具備先進的工藝設備，能夠提供高質量的工藝服務，包括制程設計、工藝優化、工藝流程開發、單步或多步工藝代工等方面的支持，幫助客戶實現芯片制造的各項工藝。此外，平臺還擁有先進的微組裝及測試設備，為客戶提供器件及電路的測試、模塊組裝等服務。這些服務包括微組裝技術、封裝工藝、器件測試等方面的技術支持，以保證客戶的產品性能。平臺以客戶需求為導向，注重與客戶的密切合作，為客戶提供一站式的技術服務和解決方案。秉承著技術創新和持續改進的理念，南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司公共技術服務平臺將不斷提升技術實力，豐富技術服務內容。

南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司提供定制化的SBD太赫茲集成電路芯片技術開發服務。作為一家專業的高科技企業，研究院擁有先進的技術和研發團隊，致力于為客戶提供高質量的解決方案。無論是在設計、制造還是測試階段，公司都能夠為客戶提供支持和協助，確保產品達到較好的性能。定制化的SBD太赫茲集成電路芯片是南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院的業務之一。公司擁有豐富的經驗和專業知識，可以根據客戶的需求和要求，為其量身定制一款符合其特定應用場景的芯片。無論是在頻率范圍、功率輸出還是尺寸設計方面，南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院都能夠根據客戶的要求進行調整，以滿足客戶的特殊需求。南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司對外提供大功率GaN微波/毫米波/太赫茲二極管技術開發服務。

南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司對外提供Si基GaN微波毫米波器件與芯片技術開發服務，該芯片相對于Si LDMOS，具有工作頻率高、功率大、體積小等優勢；相對于傳統SiC基GaN芯片，具備低成本、高密度集成、大尺寸等優勢；適應于C、Ka、W等主流波段的攻放、開關、低噪放等芯片；南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司可提供定制化的Si基GaN射頻器件和電路芯片研制與代工服務；該芯片可用于5G通信基站、高效能源、汽車雷達、手機終端、人工智能等領域。芯谷高頻研究院的熱物性測試儀產品主要用于百微米量級厚度材料的熱導率分析、微納級薄膜或界面的熱阻分析。浙江石墨烯芯片開發

芯谷高頻研究院的熱物性測試儀產品能夠準確、高效地測試材料的熱物性，為研究人員提供數據支撐。河南化合物半導體芯片定制開發

南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司的跨尺度材料熱物性測試儀是針對超高導熱材料自主研發的熱物性測試儀器，可滿足4英寸量級尺寸以下的任意形狀、任意厚度的高導熱材料（金剛石、SiC等）熱物性測試，測試精度高，主要用于百微米量級厚度材料的熱導率分析、微納級薄膜或界面的熱阻分析，可有效解決現有設備無法實現大尺寸、微米級厚度、及其超高熱導率等材料的熱評估難題。該設備數據自動采集系統和分析軟件具有知識產權，采用半自動控制，可靠性高，操作便捷。河南化合物半導體芯片定制開發