晶閘管的主要工作原理及特性為了能夠直觀地認識晶閘管的工作特性,大家先看這塊示教板。晶閘管VS與小燈泡EL串聯起來,通過開關S接在直流電源上。注意陽極A是接電源的正極,陰極K接電源的負極,控制極G通過按鈕開關SB接在3V直流電源的正極(這里使用的是KP5型晶閘管,若采用KP1型,應接在)。晶閘管與電源的這種連接方式叫做正向連接,也就是說,給晶閘管陽極和控制極所加的都是正向電壓。現在我們合上電源開關S,小燈泡不亮,說明晶閘管沒有導通;再按一下按鈕開關SB,給控制極輸入一個觸發電壓,小燈泡亮了,說明晶閘管導通了。這個演示實驗給了我們什么啟發呢?圖3這個實驗告訴我們,要使晶閘管導通,一是在它的陽極A與陰極K之間外加正向電壓,二是在它的控制極G與陰極K之間輸入一個正向觸發電壓。晶閘管導通后,松開按鈕開關,去掉觸發電壓,仍然維持導通狀態。晶閘管的特點:是“一觸即發”。但是,如果陽極或控制極外加的是反向電壓,晶閘管就不能導通。控制極的作用是通過外加正向觸發脈沖使晶閘管導通,卻不能使它關斷。那么,用什么方法才能使導通的晶閘管關斷呢?使導通的晶閘管關斷,可以斷開陽極電源或使陽極電流小于維持導通的小值。淄博正高電氣公司狠抓產品質量的提高,逐年立項對制造、檢測、試驗裝置進行技術改造。湖南整流晶閘管移相調壓模塊廠家
鑒別可控硅三個極的方法很簡單,根據P-N結的原理,只要用萬用表測量一下三個極之間的電阻值就可以。陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上,陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上(它們之間有兩個P-N結,而且方向相反,因此陽極和控制極正反向都不通)。控制極與陰極之間是一個P-N結,因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍,反向電阻比正向電阻要大。可是控制極二極管特性是不太理想的,反向不是完全呈阻斷狀態的,可以有比較大的電流通過,因此,有時測得控制極反向電阻比較小,并不能說明控制極特性不好。另外,在測量控制極正反向電阻時,萬用表應放在R*10或R*1擋,防止電壓過高控制極反向擊穿。若測得元件陰陽極正反向已短路,或陽極與控制極短路,或控制極與陰極反向短路,或控制極與陰極斷路,說明元件已損壞。可控硅是可控硅整流元件的簡稱,是一種具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。實際上,可控硅的功用不僅是整流,它還可以用作無觸點開關以快速接通或切斷電路,實現將直流電變成交流電的逆變,將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電,等等。可控硅和其它半導體器件一樣,其有體積小、效率高、穩定性好、工作可靠等優點。浙江大功率晶閘管移相調壓模塊生產廠家淄博正高電氣以更積極的態度,更新、更好的產品,更優良的服務,迎接挑戰。
可控硅模塊通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductormodule)。早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術領域,是采用模塊封裝形式,具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。可控硅模塊從內部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類;從具體的用途上區分,可以分為:普通晶閘管模塊(MTC\MTX\MTK\MTA)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘管、整流管混合模塊(MFC)、快速晶閘管、整流管及混合模塊(MKC\MZC)、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊(也就是通常所說的電焊機所用模塊MTG\MDG)、三相整流橋輸出可控硅模塊(MDS)、單相(三相)整流橋模塊(MDQ)、單相半控橋(三相全控橋)模塊(MTS)以及肖特基模塊等。下面是一個壞了換下來的電阻焊控制器一般這個東西都是可控硅壞了一般他們都是換總成所以這個就報廢了這種有3個整體結構也就這幾個部分一個控制板一個可控硅控制板下面有一個變壓器還有一些電阻控制板特寫可控硅模塊拆下來后我發現分量挺重的拆開研究研究可控硅的結構下方的兩個管道是循環冷卻水。
輸出電壓與輸入電壓比值很小,下輸出的電流峰值很大,但電流的有效值很小(直流儀表一般顯示平均值,交流儀表顯示非正弦電流時比實際值小),但是輸出電流的有效值很大,半導體器件的發熱與有效值的平方成正比,會使模塊嚴重發熱甚至燒毀。因此,模塊應選擇在大導通角的65%以上工作,及控制電壓應在5V以上。模塊規格的選取方法考慮到晶閘管產品一般都是非正弦電流,存在導通角的問題并且負載電流有一定的波動性和不穩定因素,且晶閘管芯片抗電流沖擊能力較差,在選取模塊電流規格時必須留出一定余量。推薦選擇方法可按照以下公式計算:I>KI負載U大,MU實際K:安全系數,阻性負載K=,感性負載K=2;I負載:負載流過的大電流;U實際:負載上的小電壓;U大:模塊能輸出的大電壓;(三相整流模塊為輸入電壓的,單相整流模塊為輸入電壓的,其余規格均為);I:需要選擇模塊的小電流,模塊標稱的電流必須大于該值。模塊散熱條件的好壞直接關系到產品的使用壽命和短時過載能力,溫度越低模塊的輸出電流越大,所以在使用中必須配備散熱器和風機,建議采用帶有過熱保護功能的產品,有水冷散熱條件的優先選擇水冷散熱。公司實力雄厚,產品質量可靠。
可控硅又稱晶閘管(晶體閘流管),是一種常用的功率型半導體器件,其主要的功能是功率控制。可控硅可分為單向可控硅、雙向可控硅、可關斷可控硅等。可控硅的特點是具有可控的單向導電性,以小電流控制大電流,以低電壓控制高電壓。可控硅可以用萬用表進行檢測。一、檢測單向可控硅單向可控硅是PNPN四層結構,形成3個PN結,具有3個外電極:陽極A、陰極K、控制極G。單向可控硅的引腳如下圖所示。檢測時,萬用表置于“Rx10Ω”檔,黑表筆(表內電池正極)接單向可控硅的控制極G,紅表筆(表內電池負極)接單向可控硅的陰極K,這時測量的是單向可控硅PN結的正向電阻,應有較小的阻值。如下圖所示。對調兩表筆后,測其反向電阻,應比正向電阻明顯大一些。萬用表黑表筆仍接單向可控硅控制極G,紅表筆改接單向可控硅的陽極A,阻值應為無窮大,如下圖所示。對調兩表筆后,再測,阻值仍應為無窮大。這是因為G、A間為兩個PN結反向串聯,正常情況下其正、反向阻值均為無窮大。二、檢測單向晶閘管導通特性萬用表置于Rx1Ω檔,黑表筆接單向可控硅陽極A,紅表筆接單向可控硅陰極K,表針應指示為無窮大。這是用金屬導體將控制極G與陽極A短接一下(短接后馬上斷開)。淄博正高電氣過硬的產品質量、優良的售后服務、認真嚴格的企業管理,贏得客戶的信譽。青島大功率晶閘管移相調壓模塊哪家好
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淄博正高電氣有限公司的可控硅模塊一種晶閘管模塊組件。能解決現有的晶閘管組件存在的問題。包括散熱單元、晶閘管電路單元、絕緣單元,散熱單元包括下散熱器、上散熱器、緊固螺栓;晶閘管電路單元包括下電極、芯片、第二陰極壓塊、陰極壓塊、導電塊、第二芯片、第二導電塊、上電極;絕緣單元包括絕緣膠體、絕緣殼體、絕緣陶瓷、絕緣套管、絕緣件,絕緣膠體包裹在自導電塊及第二導電塊中下部開始經過陰極壓塊、第二芯片、芯片、第二陰極壓塊、下電極至下散熱器上,絕緣膠體橫向外側由絕緣殼體包裹,下電極與下散熱器之間的縫隙由絕緣陶瓷填充,下電極的左側通過絕緣件隔離,緊固螺栓外側套接所述絕緣套管。結構簡單新穎,操作及使用方便且實用性強。湖南整流晶閘管移相調壓模塊廠家
淄博正高電氣有限公司正式組建于2011-01-06,將通過提供以可控硅模塊,晶閘管模塊,可控硅智能模塊,晶閘管智能模塊等服務于于一體的組合服務。正高電氣經營業績遍布國內諸多地區地區,業務布局涵蓋可控硅模塊,晶閘管模塊,可控硅智能模塊,晶閘管智能模塊等板塊。隨著我們的業務不斷擴展,從可控硅模塊,晶閘管模塊,可控硅智能模塊,晶閘管智能模塊等到眾多其他領域,已經逐步成長為一個獨特,且具有活力與創新的企業。正高電氣始終保持在電子元器件領域優先的前提下,不斷優化業務結構。在可控硅模塊,晶閘管模塊,可控硅智能模塊,晶閘管智能模塊等領域承攬了一大批高精尖項目,積極為更多電子元器件企業提供服務。