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可控硅這一晶體管元件，在上個世紀七十年代，就已得到了的應用，主要用于大功率的整流和逆變設備，所承受的電流從一安培到一千安培，耐壓值由一百伏到一千五百伏，二千五百伏，關斷速度快的只有五微秒。它的特點是由較小的電流和較低的電壓去控制較大電流和較高的電壓，實際上他也就是一個無觸點開關。這可控硅實際上就是一只二極管，只不過比二極管多了一個控制極，由控制極控制可控硅的通斷。大功率的可控硅，電流在200安培以上這通常采用強制性冷卻，冷卻的方式有風冷水冷，和油冷，但是由于風冷不那么理想，油冷其費用較高，都不宜采用。因而普遍采用水冷的方式，給可控硅降溫，但對水質的要求比較高，其ph值小于或等于8，否則堿性過高，容易使水的通道結洉，酸度過高容易腐蝕冷卻器材。冷卻跟不上，極容易造成熱量的集中，而造成可控硅工作溫度較高而擊穿。可控硅這種電子元件，它是一個故障性較高的元件。它的主要故障是陰陽極間擊穿，控制極與陽極擊穿，控制即失效，不能控制可控硅的通斷，耐壓值下降，造成軟擊穿現象。我們判斷他的方式，只需一只萬用表，或者九伏以上的直流電源，外加一指示燈。如若可控硅陰陽極擊穿，控制極未加信號，其電阻值就是零。淄博正高電氣講誠信，重信譽，多面整合市場推廣。天津進口晶閘管移相調壓模塊批發

可控硅模塊屬于一種使用模塊封裝形式，擁有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件，這種可控硅模塊的體積非常的小，結構也十分的緊湊，對于維修與安裝都有很大的作用，可控硅模塊的類型非常的多，比方說壓接式可控硅模塊、焊接式可控硅模塊等，很多人不是很清楚兩者之間的差異。控制極與陰極之間是一個P-N結，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍，反向電阻比正向電阻要大。可是控制極二極管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻斷狀態的，可以有比較大的電流通過，因此，有時測得控制極反向電阻比較小，并不能說明控制極特性不好。另外，在測量控制極正反向電阻時，萬用表應放在R*10或R*1擋，防止電壓過高控制極反向擊穿。若測得元件陰陽極正反向已短路，或陽極與控制極短路，或控制極與陰極反向短路，或控制極與陰極斷路，說明元件已損壞。可控硅是可控硅整流元件的簡稱，是一種具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。實際上，可控硅的功用不僅是整流，它還可以用作無觸點開關以快速接通或切斷電路，實現將直流電變成交流電的逆變，將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電，等等。可控硅和其它半導體器件一樣，其有體積小、效率高、穩定性好、工作可靠等優點。寧夏晶閘管移相調壓模塊廠家淄博正高電氣提供周到的解決方案，滿足客戶不同的服務需要。

可控硅是可控硅整流元件的簡稱，是一種具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件，一般由兩晶閘管反向連接而成。它的功能不僅是整流，還可以用作無觸點開關的快速接通或切斷；實現將直流電變成交流電的逆變；將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等。可控硅和其它半導體器件一樣，有體積小、效率高、穩定性好、工作可靠等優點。它的出現，使半導體技術從弱電領域進入了強電領域，成為工業、農業、交通運輸、科研以至商業、民用電器等方面爭相采用的元件。目前可控硅在自動控制、機電應用、工業電氣及家電等方面都有的應用。可控硅從外形上區分主要有螺旋式、平板式和平底式三種。螺旋式應用較多。可控硅工作原理解析可控硅結構原件可控硅有三個極----陽極（A）、陰極（C）和控制極（G），管芯是P型導體和N型導體交迭組成的四層結構，共有三個PN結，與只有一個PN結的硅整流二極管在結構上迥然不同。可控硅的四層結構和控制極的引入，為其發揮“以小控大”的優異控制特性奠定了基礎。可控硅應用時，只要在控制極加上很小的電流或電壓，就能控制很大的陽極電流或電壓。目前已能制造出電流容量達幾百安培以至上千安培的可控硅元件。

常把交流電的半個周期定為180°，稱為電角度。這樣，在U2的每個正半周，從零值開始到觸發脈沖到來瞬間所經歷的電角度稱為控制角α；在每個正半周內晶閘管導通的電角度叫導通角θ。很明顯，α和θ都是用來表示晶閘管在承受正向電壓的半個周期的導通或阻斷范圍的。通過改變控制角α或導通角θ，改變負載上脈沖直流電壓的平均值UL，實現了可控整流。五、在橋式整流電路中，把二極管都換成晶閘管是不是就成了可控整流電路了呢?在橋式整流電路中，只需要把兩個二極管換成晶閘管就能構成全波可控整流電路了。現在畫出電路圖和波形圖(圖5)，就能看明白了。六、晶閘管控制極所需的觸發脈沖是怎么產生的呢?晶閘管觸發電路的形式很多，常用的有阻容移相橋觸發電路、單結晶體管觸發電路、晶體三極管觸發電路、利用小晶閘管觸發大晶閘管的觸發電路，等等。大家制作的調壓器，采用的是單結晶體管觸發電路。七、什么是單結晶體管?它有什么特殊性能呢?單結晶體管又叫雙基極二極管，是由一個PN結和三個電極構成的半導體器件(圖6)。我們先畫出它的結構示意圖〔圖7(a)〕。在一塊N型硅片兩端，制作兩個電極，分別叫做基極B1和第二基極B2；硅片的另一側靠近B2處制作了一個PN結。選擇淄博正高電氣，就是選擇質量、真誠和未來。

TC=℃）------通態平均電流VTM=V-----------通態峰值電壓VDRM=V-------------斷態正向重復峰值電壓IDRM=mA-------------斷態重復峰值電流VRRM=V-------------反向重復峰值電壓IRRM=mA------------反向重復峰值電流IGT=mA------------門極觸發電流VGT=V------------門極觸發電壓執行標準：QB-02-091．晶閘管關斷過電壓（換流過電壓、空穴積蓄效應過電壓）及保護晶閘管從導通到阻斷，線路電感（主要是變壓器漏感LB）釋放能量產生過電壓。由于晶閘管在導通期間，載流子充滿元件內部，在關斷過程中，管子在反向作用下，正向電流下降到零時，元件內部殘存著載流子。這些載流子在反向電壓作用下瞬時出現較大的反向電流，使殘存的載流子迅速消失，這時反向電流減小即diG/dt極大，產生的感應電勢很大，這個電勢與電源串聯，反向加在已恢復阻斷的元件上，可導致晶閘管反向擊穿。這就是關斷過電壓（換相過電壓）。數值可達工作電壓的5~6倍。保護措施：在晶閘管兩端并接阻容吸收電路。2．交流側過電壓及其保護由于交流側電路在接通或斷開時出現暫態過程，會產生操作過電壓。高壓合閘的瞬間，由于初次級之間存在分布電容，初級高壓經電容耦合到次級，出現瞬時過電壓。淄博正高電氣產品質量好，收到廣大業主一致好評。湖北小功率晶閘管移相調壓模塊型號

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維持繼電器吸合約4秒鐘，故電路動作較為準確。如果將負載換為繼電器，即可控制大電流工作的負載。可控硅是一種新型的半導體器件，它具有體積小、重量輕、效率高、壽命長、動作快以及使用方便等優點，活動導入以可控硅實際應用案例的展示，以激發學生的活動興趣。可控硅控制電路的制作13例1：可調電壓插座電路如圖，可用于調溫（電烙鐵）、調光（燈）、調速（電機），使用時只要把用電器的插頭插入插座即可，十分方便。V1為雙向二極管2CTS，V2為3CTSI雙向可控硅，調節RP可使插座上的電壓發生變化。2：簡易混合調光器根據電學原理可知，電容器接入正弦交流電路中，電壓與電流的大值在相位上相差90°。根據這一原理，把C1和C2串聯聯接，并從中間取出該差為我所用，這比電阻與電容串聯更穩定。電路中，D1和D2分別對電源的正半波及負半波進行整流，并加到A觸發和C1或C2充電。進一步用W來改變觸發時間進行移相，只要調整W的阻值，就可達到改變輸出電壓的目的。D1和D2還起限制觸發極的反相電壓保護雙向可控硅的作用。3：可調速吸塵器這種吸塵器使用可控硅元件構成調速電路，能根據需要控制電機轉速，以發跡管道吸力的大小。天津進口晶閘管移相調壓模塊批發

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