湖北出口半導體放電管

氣體放電管和壓敏電阻組合構成的抑制電路圖4是氣體放電管和壓敏電阻組合構成的浪涌抑制電路。由于壓敏電陽有一致命缺點:具有不穩定的漏電流，性能較差的壓敏電阻使用一段時間后，因漏電流變大可能會發熱自爆。為解決這一問題在壓敏電阻之間串入氣體放電管但這又帶來了缺點就是反應時間為各器件的反應時間之和。例如壓敏電阻的反應時間為25ns，氣體放電管的反應時間為100ns，則圖4的r2g,r3的反應時間為150ns，為改善反應時間加入r1壓敏電阻,這樣可使反應時間為25ns。深圳市凱軒業科技有限公司，氣體放電管信賴之選。湖北出口半導體放電管

半導體放電管是一種過壓保護器件，是利用晶閘管原理制成的，依靠PN結的擊穿電流觸發器件導通放電，可以流過很大的浪涌電流或脈沖電流。其擊穿電壓的范圍，構成了過壓保護的范圍。選用半導體放電管應注意以下幾點：1、比較大瞬間峰值電流IPP必須大于通訊設備標準的規定值。如FCCPart68A類型的IPP應大于100A；Bellcore1089的IPP應大于25A。2、轉折電壓VBO必須小于被保護電路所允許的比較大瞬間峰值電壓。3、半導體放電管處于導通狀態(導通)時，所損耗的功率P應小于其額定功率Pcm，Pcm=KVT*IPP，其中K由短路電流的波形決定。對于指數波，方波，正弦波，三角波K值分別為1.00，1.4，2.2，2.8。4、反向擊穿電壓VBR必須大于被保護電路的最大工作電壓。如在POTS應用中，比較大振鈴電壓(150V)的峰值電壓(150*1.41=212.2V)和直流偏壓峰值(56.6V)之和為268.8V，所以應選擇VBR大于268.8V的器件。又如在ISDN應用中，比較大DC電壓(150V)和比較大信號電壓(3V)之和為153V，所以應選擇VBR大于153V的器件。5、若要使半導體放電管通過大的浪涌電流后自復位，器件的維持電流IH必須大于系統所能能提供的電流值。即：IH(系統電壓/源阻抗)。吉林國產半導體放電管半導體放電管，就選深圳市凱軒業科技有限公司。

半導體過壓保護器是根據可控硅原理采用離子注入技術生產的一種新型保護器件，具有精確導通、快速響應(響應時間 ns 級)、浪涌吸收能力較強、雙向對稱、可性高等特點。由于其浪涌通流能力較同尺寸的 TVS 管強，可在無源電路中代 TVS 管使用。但它的導通特性接近于短路，不能直接用于有源電路中，在這樣的電路中使用時必須加限流元件，使其續流小于**小維持電流。半導體過壓保護器有貼裝式、直插式和軸向引線式三種封裝形式。------凱軒業科技有限公司

玻璃放電管的工作原理玻璃放電管由封裝在充滿惰性氣體的玻璃管中相隔一定距離的兩個電極組成。其電氣性能基本上取決于氣體種類、氣體壓力以及電極距離，中間所充的氣體主要是鳳或氳，并保持一定壓力,電極表面涂以發射劑以減少電子發射能。這些措施使得動作電壓可以調整(一般是200伏到幾千伏)，而且可以保持在一個確定的誤差范圍內。當其兩端電壓低于放電電壓時，氣體放電管是一個絕緣體(電阻Rohm>100M2)。當其兩端電壓升高到大于放電電壓時，產生弧光放電，氣體電離放電后由高阻抗轉為低阻抗,使其兩端電壓迅速降低。玻璃放電管受到瞬態高能量沖擊時，它能以10-9秒量級的速度將其兩極間的高阻抗變為低阻抗，通過高達千安量級的浪涌電流。玻璃放電管的選型技巧@玻璃放電管既可以用作電源電路的保護，也可以用作信號電路的保護，既可以用作共模保護，也可以用作差模保護。但只能用在浪涌電流不大于3kA的地方。@直流擊穿電壓VS的選擇:直流擊穿電壓VS的最小值應大于可能出現的比較高電源峰值電壓或比較高信號電壓的1.2倍以ro自在有可能出現續流的地方(如電源電路)使用時，必須串聯限流電阻或自恢復保險絲，防止玻璃放電管擊穿后長時間導通而損壞。原裝芯片，廠家直銷半導體放電管歡迎新老客戶咨詢。

氣體放電管的主要參數1）反應時間指從外加電壓超過擊穿電壓到產生擊穿現象的時間，氣體放電管反應時間一般在μs數量極。2）功率容量指氣體放電管所能承受及散發的比較大能量，其定義為在固定的8×20μs電流波形下，所能承受及散發的電流。3）電容量指在特定的1MHz頻率下測得的氣體放電管兩極間電容量。氣體放電管電容量很小，一般為≤1pF。4）直流擊穿電壓當外施電壓以500V/s的速率上升，放電管產生火花時的電壓為擊穿電壓。氣體放電管具有多種不同規格的直流擊穿電壓，其值取決于氣體的種類和電極間的距離等因素。5）溫度范圍其工作溫度范圍一般在－55℃～＋125℃之間。6）絕緣電阻是指在外施50或100V直流電壓時測量的氣體放電管電阻,一般>1010Ω。氣體放電管就選凱軒業科技，有想法可以來我司咨詢！湖北出口半導體放電管

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反向擊穿電壓VBR必須大于被保護電路的最大工作電壓。如在POTS應用中，比較大振鈴電壓(150V)的峰值電壓(150*1.41=212.2V)和直流偏壓峰值(56.6V)之和為268.8V，所以應選擇VBR大于268.8V的器件。又如在ISDN應用中，比較大DC電壓(150V)和比較大信號電壓(3V)之和為153V，所以應選擇VBR大于153V的器件。5、若要使半導體放電管通過大的浪涌電流后自復位，器件的維持電流IH必須大于系統所能能提供的電流值。即：IH(系統電壓/源阻抗)。四、特點1.適合高密度表面貼裝的防靜電浪涌。2.適合流動和量低，可用于高頻電路。5.高絕緣阻抗特性。6.可進行編帶包裝。7.符合IEC61000-4-2規格湖北出口半導體放電管