納米銀膏——創新科技帶領行業革新 隨著電子科學技術的迅速發展，電子元器件向高功率、小型化發展. 在封裝領域，隨著功率半導體的興起，尤其是第三代半導體材料如 SiC和 GaN出現，功率器件具有高擊穿電壓、高飽和載流子遷移率、高熱穩定性、高熱導率和高溫服役場合等特點；因此對封裝材料提出了低溫連接、高溫服役、優良的熱疲勞抗性、高導電導熱性的要求； 納米銀膏采用納米級銀顆粒或納米級與微米級銀顆粒混合形式，同時添加有機成分組成。其內部的銀顆粒粒徑較小使得燒結過程不經過液相線，燒結溫度<250℃遠低于金屬銀的熔點（Tm=961℃ ） ，可以實現其低溫連接、高溫服役，因此得到了國內外比較廣關注； 南京芯興電子科技有限公司專注于半導體先進封裝材料研發生產，并成功推出納米銀膏產品，具有低溫燒結（200℃-250℃），高溫服役（>500℃）,高導熱率（>220W）；高粘接強度（>70MPa）,SiC、GaN 三代半導體功率器件，大功率激光器、MOSFET及IGBT 器件，電網的逆變轉換器，新能源汽車電源模塊，半導體集成電路，光電器件以及其它需要高導熱、高導電的領域納米銀膏的熱膨脹系數較低，可以有效降低器件在封裝中的應力集中現象，提高其可靠性。重慶低溫固化納米銀膏現貨
無壓納米銀膏是一種高性能的封裝材料，廣泛應用于功率半導體器件。根據配方的不同，可以分為有壓銀膏和無壓銀膏。下面將介紹無壓納米銀膏的施工工藝： 第一步是清洗：在施工前，需要清洗器件表面，確保其干凈。 第二步是印刷/點膠：根據工藝要求，將納米銀膏均勻涂覆在基板表面。可以使用絲網印刷或點膠的方式進行。 第三步是貼片：將涂覆了銀膏的基板放入貼片機中，進行貼片。根據工藝要求，設置好貼片壓力、溫度和時間等參數。 第四步是烘烤：將貼片好的器件放入烘箱進行烘烤。根據工藝要求，設置好適當的溫度和時間。 無壓納米銀膏可以兼容錫膏的點膠和印刷工藝及設備。同時，由于其具有低溫燒結、高溫服役和高導熱導電等特性，正逐步應用于大功率LED、半導體激光器、光電耦合器、泵浦源等功率器件上。福建高導熱納米銀膏封裝材料納米銀膏燒結的工藝參數主要包括燒結壓力、燒結溫度、燒結時間、升溫速率和燒結氣氛。
隨著對照明亮度和光通量要求的不斷提高，LED逐漸朝著高輸入功率密度和多芯片集成方向發展，以實現更高亮度的光輸出。然而，常用的LED芯片存在電光轉換損耗，導致部分輸入電功率轉化為熱功率。尤其是在多芯片集成時，LED產生的熱量更多且更集中，導致LED結溫迅速升高，嚴重影響LED器件的發光性能和長期可靠性。因此，散熱問題成為大功率LED封裝的關鍵技術難題。 為了解決這一問題，納米銀膏應運而生。納米銀膏的基本成分是納米級的銀顆粒。相較于傳統的封裝材料，納米銀膏具有更強的導熱和導電性能。它能夠有效提高LED器件的性能和可靠性。作為先進的電子封裝材料，納米銀膏正發揮著越來越重要的作用。
納米銀膏是一種半導體封裝材料，隨著第三代半導體材料如SiC和GaN的出現，功率器件的功率越來越大，對散熱要求也越來越高。因此，封裝材料需要具備高溫服役能力、優良的熱疲勞抗性以及高導熱導電性能。作為納米銀膏的行家，我將從技術創新的角度介紹它在半導體行業的應用優勢。首先，納米銀膏采用了一種納米制備技術，使得銀顆粒達到納米級別，并具有更穩定的物理和化學性能。這種制備方法不僅提高了納米銀膏的穩定性，還使其具備更優異的性能。其次，納米銀膏具有優異的導熱導電性能，這對于提升器件的性能和使用壽命起到關鍵作用。銀具有良好的導熱導電性，因此納米銀膏能夠有效地傳導熱量，提高器件的散熱效果，從而保證器件的穩定性和可靠性。此外，納米銀膏具有低溫燒結、高溫服役、高粘接強度和高可靠性等優勢，相較于傳統的錫基焊料和金錫焊料，具備更大的優勢。這些特性使得納米銀膏在半導體行業中得到廣泛應用，并能夠滿足高溫環境下的封裝需求。總之，納米銀膏作為一種半導體封裝材料，在技術創新方面具有明顯的優勢。其納米制備技術、優異的導熱導電性能以及低溫燒結、高溫服役、高粘接強度和高可靠性等特點，使其成為半導體行業中重要的材料之一。納米銀膏高導熱性能，這有利于解決激光器由于熱量產生而引發的波長紅移、功率降低、閾值電流增大等問題。
納米銀膏在SIC/GaN功率器件上的應用背景是由于功率器件的快速發展和廣泛應用。這些器件的設計和制造趨向于高頻開關速率、高功率密度和高結溫等方向發展。尤其是第三代半導體材料SiC/GaN的出現，相對于傳統的Si基材料，具有高結溫、低導通電阻、高臨界擊穿場強和高開關頻率等性能優勢。 在常規封裝的功率開關器件中，芯片底部的互連通常采用釬焊工藝。然而，考慮到無鉛化的要求，所選擇的焊料熔點都低于250℃，例如常用的SnAgCu系和SnSb系焊料。因此，這些焊料無法充分發揮SiC/GaN芯片的高耐溫性能。此外，焊料在界面處容易產生脆硬的金屬間化合物，給產品的可靠性帶來了新的挑戰。 目前，納米銀燒結技術是一種有效的解決方案。銀具有高熔點（961℃），將其作為連接材料可以極大提高器件封裝結構的溫度耐受性。而納米銀的燒結溫度卻低于250℃，使用遠低于熔點的燒結溫度就能得到較為致密的組織結構。燒結后的銀層具有高耐熱溫度和連接強度，同時具有良好的導熱和導電性能。納米銀膏因其低溫燒結，高導熱導電特性，可應用在半導體激光器封裝。重慶無壓納米銀膏封裝材料
納米銀膏特別適合作為高溫SiC器件等寬禁帶半導體功率模塊的芯片互連界面材料。重慶低溫固化納米銀膏現貨
隨著科技的進步，以SiC、GaN為主的寬禁帶半導體材料具有高 擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密 度、高遷移率、可承受大功率等特點，非常適合 制作應用于高頻、高壓、高溫等應用場合的功率模 塊，且有助于電力電子系統的效率和功率密度的提升。功率密度的提高及器件小型化等因素使熱量的 及時導出成為保證功率器件性能及可靠性的關鍵。作為界面散熱的關鍵通道，功率模塊封裝結構中連 接層的高溫可靠性和散熱能力尤為重要，納米銀膏逐漸展現出其的優勢。 納米銀燒結技術是一種利用納米銀膏在較低的溫度下，加壓或不加壓實現的耐高溫封裝連接技術，燒結溫度遠低于塊狀銀的熔點。納米銀膏中 有機成分在燒結過程中分解揮發，形成銀連接層。納米銀燒結接頭可以滿足第三代半導體功率模塊封裝互連低溫連接、高溫服役的要求，在功率器件制造過程中已有大量應用 總的來說，納米銀膏作為一種創新的電子互連材料，在導熱導電性能、高可靠性等方面都有優勢。這些優勢使得納米銀膏成為未來電子產業發展的重要趨勢，推動功率器件向更高功率、更高性能、更高可靠性方向發展。重慶低溫固化納米銀膏現貨