納米銀膏在封裝行業的應用非常比較廣，尤其是在功率半導體器件的封裝中。納米銀膏兼容錫膏的點膠、印刷工藝和設備，其工藝溫度低，連接強度高，燒結后為100%Ag，理論熔點達到961℃。因此，它可替代現有的高鉛焊料應用，且導熱性能優異，適用于SIC、IGBT、LED、射頻等功率元器件的封接。 在功率半導體器件封裝中，納米銀膏由于其低溫燒結、高溫服役、高導熱、導電性，高粘接強度及高可靠性的優勢，使得它在功率電子器件封裝領域具有廣闊的應用前景。納米銀膏是一款具有低溫燒結，高溫服役，高導熱導電，高粘接強度，低熱膨脹系數等優勢的封裝焊料。重慶無壓納米銀膏封裝材料
納米銀膏在SIC/GaN功率器件上應用背景 功率器件發展迅速并被比較廣運用，其設計與制造朝著高頻開關速率、高功率密度、高結溫等方向發展，尤其是第三代半導體SiC/GaN材料的出現，相對于傳統的Si基材料，第三代半導體有著高結溫 、低導通電阻、高臨界擊穿場強、高開關頻率等性能優勢。在常規封裝的功率開關器件中，芯片底部的互連一般采用釬焊工藝，考慮到無鉛化的要求，所選擇的焊料熔點都低于250 ℃，如常用的 SnAgCu 系和 SnSb 系焊料等，因此不能充分發揮SiC/GaN芯片的高耐溫性能。此外，焊料在界面處極易產生脆硬的金屬間化合物，給產品的可靠性帶來了新的挑戰。目前，納米銀燒結技術是一種有效解決方案，銀因其熔點高達961 ℃，將其作為連接材料能極大提高器件封裝結構的溫度耐受性，且納米銀的燒結溫度卻低于250℃，使用遠低于熔點的燒結溫度就能得到較為致密的組織結構，燒結后的銀層耐熱溫度高，連接強度高，導熱、導電性能良好安徽光伏逆變器用納米銀膏報價納米銀膏高導熱性能，這有利于解決激光器由于熱量產生而引發的波長紅移、功率降低、閾值電流增大等問題。
納米銀膏：高性能材料，物有所值 納米銀膏作為一種先進的材料，具有高導電、導熱等特性，在第三代半導體、、新能源等領域得到比較廣應用。作為納米銀膏材料的行家，我們深知這種材料的價值，并致力于為客戶提供品質高的產品和品質高的服務。 在定價策略上，我們始終堅持以客戶為中心，以產品的質量和價值為導向。我們的定價策略充分考慮了產品的研發成本、生產成本、品質保證以及市場競爭力等因素。同時，我們也深知客戶的實際需求和預算限制，因此我們會提供具有競爭力的價格，確保客戶能夠獲得物有所值的產品。 我們深知納米銀膏在各行各業的應用價值，因此我們注重產品的研發和品質保證。我們的專業團隊不斷進行技術創新和工藝改進，以提高產品的性能和可靠性。同時，我們也注重產品的成本控制，以確保我們能夠提供更具競爭力的價格。 我們相信，通過我們的努力和專業知識，我們可以為您提供品質高、高性能的納米銀膏材料，同時提供具有競爭力的價格。在購買我們的產品時，您不僅可以獲得品質高的產品，還可以獲得我們的專業咨詢和服務支持。我們期待與您合作，共同開創美好的未來！
納米銀膏——創新科技帶領行業革新 隨著電子科學技術的迅速發展，電子元器件向高功率、小型化發展. 在封裝領域，隨著功率半導體的興起，尤其是第三代半導體材料如 SiC和 GaN出現，功率器件具有高擊穿電壓、高飽和載流子遷移率、高熱穩定性、高熱導率和高溫服役場合等特點；因此對封裝材料提出了低溫連接、高溫服役、優良的熱疲勞抗性、高導電導熱性的要求； 納米銀膏采用納米級銀顆粒或納米級與微米級銀顆粒混合形式，同時添加有機成分組成。其內部的銀顆粒粒徑較小使得燒結過程不經過液相線，燒結溫度<250℃遠低于金屬銀的熔點（Tm=961℃ ） ，可以實現其低溫連接、高溫服役，因此得到了國內外比較廣關注； 南京芯興電子科技有限公司專注于半導體先進封裝材料研發生產，并成功推出納米銀膏產品，具有低溫燒結（200℃-250℃），高溫服役（>500℃）,高導熱率（>220W）；高粘接強度（>70MPa）,SiC、GaN 三代半導體功率器件，大功率激光器、MOSFET及IGBT 器件，電網的逆變轉換器，新能源汽車電源模塊，半導體集成電路，光電器件以及其它需要高導熱、高導電的領域納米銀膏可以更有效的提高大功率硅基IGBT模塊的工作環境溫度及使用壽命。
在當前的功率半導體封裝行業中，納米銀膏的應用已經成為了一種趨勢。那么，納米銀膏在半導體封裝上的優勢究竟有多大呢？讓我們通過數據來揭示這個問題。 首先，我們來看一下納米銀膏的導熱性能。根據實驗數據顯示，納米銀膏的熱導率（>200W）是傳統銀膠的10倍以上，這意味著使用納米銀膏的半導體器件在工作時，能夠更有效地將熱量傳導出去，從而降低了器件的工作溫度，提高了其穩定性和壽命。 其次，納米銀膏的導電性能也非常出色。實驗數據顯示，納米銀膏的電阻率（5E-6）是傳統銀膠的5倍以上。這意味著使用納米銀膏的半導體器件在工作時，能夠實現更高效的電能傳輸，從而提高了器件的工作效率。 再者，納米銀膏還具有高可靠性。實驗數據顯示，納米銀膏其性能衰減速度遠低于傳統銀膠。這意味著使用納米銀膏的半導體器件在長期服役時，能夠保持更好的性能，從而提高了器件的使用壽命。 綜上所述，納米銀膏在半導體封裝上的優勢是顯而易見的。它的導熱性能、導電性能、高可靠性遠超過傳統銀膠。因此，從提高器件的性能和可靠性，納米銀膏都是理想的選擇納米銀膏是一款耐高溫焊料。貴州光耦封裝用納米銀膏定制
納米銀膏不會產生熔點小于300℃的軟釬焊連接層中出現的典型疲勞效應，具有極高的可靠性。重慶無壓納米銀膏封裝材料
納米銀膏：縮短生產工藝流程，提高生產效率 納米銀膏材料不僅因其優異的導熱導電性能，在半導體領域擁有比較廣的應用，而且無壓納米銀膏可以適配現有的生產工藝和設備；納米銀膏工藝流程如下：點膠（點膠機）/印刷（絲網印刷機），貼片（貼片機），烘烤（烘箱/真空燒結爐），只需三步即可完成，無需添加新設備或者導入新工藝即可立即投入生產；納米銀膏不含助焊劑，所以固化后無需清洗，縮短工藝流程的同時避免二次污染，從而提高企業的生產效率，實現提效、降本、增產，提升企業產品的競爭力。重慶無壓納米銀膏封裝材料
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