導帶中的電子和價帶中的空穴合稱電子 - 空穴對,均能自由移動,即載流子,它們在外電場作用下產生定向運動而形成宏觀電流,分別稱為電子導電和空穴導電。這種由于電子-空穴對的產生而形成的混合型導電稱為本征導電。導帶中的電子會落入空穴,電子-空穴對消失,稱為復合。復合時釋放出的能量變成電磁輻射(發光)或晶格的熱振動能量(發熱)。在一定溫度下,電子 - 空穴對的產生和復合同時存在并達到動態平衡,此時半導體具有一定的載流子密度,從而具有一定的電阻率。溫度升高時,將產生更多的電子 - 空穴對,載流子密度增加,電阻率減小。無晶格缺陷的純凈半導體的電阻率較大,實際應用不多。以后有相關的業務金蝶找他...
中國半導體器件型號命名方法半導體器件型號由五部分(場效應器件、半導體特殊器件、復合管、PIN型管、激光器件的型號命名只有第三、四、五部分)組成。 五個部分意義如下: ***部分:用數字表示半導體器件有效電極數目。2-二極管、3-三極管 第二部分:用漢語拼音字母表示半導體器件的材料和極性。表示二極管時:A-N型鍺材料、B-P型鍺材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三極管時:A-PNP型鍺材料、B-NPN型鍺材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。 第三部分:用漢語拼音字母表示半導體器件的類型。P-普通管、V-微波管、W-穩壓管、C-參量管、Z-整流管、L-...
本征半導體:不含雜質且無晶格缺陷的半導體稱為本征半導體。在極低溫度下,半導體的價帶是滿帶,受到熱激發后,價帶中的部分電子會越過禁帶進入能量較高的空帶,空帶中存在電子后成為導帶,價帶中缺少一個電子后形成一個帶正電的空位,稱為空穴。空穴導電并不是實際運動,而是一種等效。電子導電時等電量的空穴會沿其反方向運動。它們在外電場作用下產生定向運動而形成宏觀電流,分別稱為電子導電和空穴導電。 這種由于電子-空穴對的產生而形成的混合型導電稱為本征導電。導帶中的電子會落入空穴,電子-空穴對消失,稱為復合。復合時釋放出的能量變成電磁輻射(發光)或晶格的熱振動能量(發熱)。 在一定溫度下,電子-空穴...
半導體的分類,按照其制造技術可以分為:集成電路器件,分立器件、光電半導體、邏輯IC、模擬IC、儲存器等大類,一般來說這些還會被分成小類。此外還有以應用領域、設計方法等進行分類,雖然不常用,但還是按照IC、LSI、VLSI(超大LSI)及其規模進行分類的方法。此外,還有按照其所處理的信號,可以分成模擬、數字、模擬數字混成及功能進行分類的方法。 電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負的電阻溫度系數的物質。半導體室溫時電阻率約在10E-5~10E7歐·米之間,溫度升高時電阻率指數則減小。半導體材料很多,按化學成分可分為元素半導體和化合物半導體兩大類。 半導體器件行業風...
將純半導體單晶熔化成半導體,并緩慢擠壓生長成棒狀?;貧w型它是從含有少量施主雜質和受主雜質的溶液中擠出來的,如果擠出速度快,則生長出P型半導體,如果慢則生長出N型半導體。因為基極區較厚,高頻特性較差。戈隆擴散當在擠壓過程中添加到溶解半導體中的雜質發生變化時,根據晶體的位置,P型或N型半導體會生長。通過這種方法,可以生產二極管的PN和用于二極管的PNP(或NPN),制作了一個晶體管。 端子電極形成在同一平面上,縮短了電流路徑,具有良好的高頻特性。而且由于它可以通過微細加工和應用照相技術排列許多元件來制造,因此可以精確地大量生產,利用這一特點,發明了單片集成電路。 半導體器件行業的...
半導體材料的質量系數不能夠根據需要得到進一步的提升,這就必然會對半導體制冷技術的應用造成影響。其二,對冷端散熱系統和熱端散熱系統進行優化設計,但是在技術上沒有升級,依然處于理論階段,沒有在應用中更好地發揮作用,這就導致半導體制冷技術不能夠根據應用需要予以提升。其三,半導體制冷技術對于其他領域以及相關領域的應用存在局限性,所以,半導體制冷技術使用很少,對于半導體制冷技術的研究沒有從應用的角度出發,就難以在技術上擴展。其四,市場經濟環境中,科學技術的發展,半導體制冷技術要獲得發展,需要考慮多方面的問題。重視半導體制冷技術的應用,還要考慮各種影響因素,使得該技術更好地發揮作用。祝愿...
半導體 -----指常溫下導電性能介于導體與絕緣體之間的材料。半導體在集成電路、消費電子、通信系統、光伏發電、照明、大功率電源轉換等領域都有應用,如二極管就是采用半導體制作的器件。無論從科技或是經濟發展的角度來看,半導體的重要性都是非常巨大的。大部分的電子產品,如計算機、移動電話或是數字錄音機當中的**單元都和半導體有著極為密切的關聯。常見的半導體材料有硅、鍺、砷化鎵等,硅是各種半導體材料應用中相當有有影響力的一種。 分類及性能: 元素半導體。元素半導體是指單一元素構成的半導體,其中對硅、硒的研究比較早。它是由相同元素組成的具有半導體特性的固體材料,容易受到微量雜質和外界條件的...
光電探測器光電探測器的功能是把微弱的光信號轉換成電信號,然后經過放大器將電信號放大,從而達到檢測光信號的目的。光敏電阻是**早發展的一種光電探測器。它利用了半導體受光照后電阻變小的效應。此外,光電二極管、光電池都可以用作光電探測元件。十分微弱的光信號,可以用雪崩光電二極管來探測。它是把一個PN結偏置在接近雪崩的偏壓下,微弱光信號所激發的少量載流子通過接近雪崩的強場區,由于碰撞電離而數量倍增,因而得到一個較大的電信號。除了光電探測器外,還有與它類似的用半導體制成的粒子探測器。 走進半導體器件的世界,感受無錫微原電子科技的獨特魅力!崇明區通用半導體器件 ...
展望未來,無錫微原電子科技有限公司將繼續堅持以技術創新為**,加大研發投入,推動產品和服務的升級換代。公司計劃在未來幾年內,重點發展以下幾個方向: 一是持續優化現有產品線,提高產品的競爭力。通過對材料、設計、工藝等方面的深入研究,提升產品的性能和可靠性,滿足市場對***半導體器件的需求。 二是拓展新的應用領域,開拓市場空間。隨著智能穿戴設備、智能家居、新能源汽車等領域的快速發展,公司將針對這些新興市場推出專門的解決方案,以抓住行業發展的新機遇。 三是加強國際合作,提升品牌影響力。通過參與國際展會、技術交流會等活動,加強與國際同行的溝通與合作,提升公司...
這一切背后的動力都是半導體芯片。如果按照舊有方式將晶體管、電阻和電容分別安裝在電路板上,那么不僅個人電腦和移動通信不會出現,連基因組研究、計算機輔助設計和制造等新科技更不可能問世。有關**指出,摩爾法則已不僅*是針對芯片技術的法則;不久的將來,它有可能擴展到無線技術、光學技術、傳感器技術等領域,成為人們在未知領域探索和創新的指導思想。 毫無疑問,摩爾法則對整個世界意義深遠。不過,隨著晶體管電路逐漸接近性能極限,這一法則將會走到盡頭。摩爾法則何時失效?**們對此眾說紛紜。早在1995年在芝加哥舉行信息技術國際研討會上,美國科學家和工程師杰克·基爾比表示,5納...
場效應晶體管場效應晶體管依靠一塊薄層半導體受橫向電場影響而改變其電阻(簡稱場效應),使具有放大信號的功能。這薄層半導體的兩端接兩個電極稱為源和漏。 控制橫向電場的電極稱為柵。根據柵的結構,場效應晶體管可以分為三種: ①結型場效應管(用PN結構成柵極); ②MOS場效應管(用金屬-氧化物-半導體構成柵極,見金屬-絕緣體-半導體系統); ③MES場效應管(用金屬與半導體接觸構成柵極);其中MOS場效應管使用*****。尤其在大規模集成電路的發展中,MOS大規模集成電路具有特殊的優越性。MES場效應管一般用在GaAs微波晶體管上。在MOS器件的基礎上,...
設備按照終端數量可以分為二端設備、三端設備和多端設備。目前***使用的固態器件包括晶體管、場效應晶體管(FET)、晶閘管(SCR)、二極管(整流器)和發光二極管(LED)。半導體器件可以用作單獨的組件,也可以用作集成多個器件的集成電路,這些器件可以在單個基板上以相同的制造工藝制造。 三端設備: 晶體管結型晶體管達林頓晶體管場效應晶體管 (FET)絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)單結晶體管光電晶體管靜態感應晶體管(SI 晶體管)晶閘管(SCR)門極可關斷晶閘管(GTO)雙向可控硅開關集成門極換流晶閘管 (IGCT)光觸發晶閘管(LTT)靜態感應晶閘管(SI晶閘管)。 在當地...
將純半導體單晶熔化成半導體,并緩慢擠壓生長成棒狀。回歸型它是從含有少量施主雜質和受主雜質的溶液中擠出來的,如果擠出速度快,則生長出P型半導體,如果慢則生長出N型半導體。因為基極區較厚,高頻特性較差。戈隆擴散當在擠壓過程中添加到溶解半導體中的雜質發生變化時,根據晶體的位置,P型或N型半導體會生長。通過這種方法,可以生產二極管的PN和用于二極管的PNP(或NPN),制作了一個晶體管。 端子電極形成在同一平面上,縮短了電流路徑,具有良好的高頻特性。而且由于它可以通過微細加工和應用照相技術排列許多元件來制造,因此可以精確地大量生產,利用這一特點,發明了單片集成電路。 半導體器件行業的...
在業務發展方面,無錫微原電子科技有限公司采取多元化的市場策略,不僅鞏固和擴大了國內市場的份額,還積極拓展海外市場。通過與國際**企業的合作,公司的產品和服務已經遍布亞洲、歐洲、美洲等多個地區,實現了品牌的國際化。展望未來,無錫微原電子科技有限公司將繼續堅持以技術創新為**,加大研發投入,推動產品和服務的升級換代。 公司計劃在未來幾年內,重點發展以下幾個方向: 一是持續優化現有產品線,提高產品的競爭力。通過對材料、設計、工藝等方面的深入研究,提升產品的性能和可靠性,滿足市場對***半導體器件的需求。 二是拓展新的應用領域,開拓市場空間。隨著智能穿戴設備、...
無論從科技或是經濟發展的角度來看,半導體的重要性都是非常巨大的。大部分的電子產品,如計算機、移動電話或是數字錄音機當中的**單元都和半導體有著極為密切的關聯。常見的半導體材料有硅、鍺、砷化鎵等,硅是各種半導體材料應用中相當有有影響力的一種。 物質存在的形式多種多樣,固體、液體、氣體、等離子體等等。我們通常把導電性和導電導熱性差或不好的材料,如金剛石、人工晶體、琥珀、陶瓷等等,稱為絕緣體。而把導電、導熱都比較好的金屬如金、銀、銅、鐵、錫、鋁等稱為導體。可以簡單的把介于導體和絕緣體之間的材料稱為半導體。與導體和絕緣體相比,半導體材料的發現是**晚的,直到20世紀30年代,當材料的...
元素半導體。元素半導體是指單一元素構成的半導體,其中對硅、硒的研究比較早。它是由相同元素組成的具有半導體特性的固體材料,容易受到微量雜質和外界條件的影響而發生變化。目前,只有硅、鍺性能好,運用的比較廣,硒在電子照明和光電領域中應用。硅在半導體工業中運用的多,這主要受到二氧化硅的影響,能夠在器件制作上形成掩膜,能夠提高半導體器件的穩定性,利于自動化工業生產。 無機合成物半導體。無機合成物主要是通過單一元素構成半導體材料,當然也有多種元素構成的半導體材料,主要的半導體性質有I族與V、VI、VII族;II族與IV、V、VI、VII族;III族與V、VI族;IV族與IV、VI族;V族與VI...
雙極型晶體管它是由兩個PN結構成,其中一個PN結稱為發射結,另一個稱為集電結。兩個結之間的一薄層半導體材料稱為基區。接在發射結一端和集電結一端的兩個電極分別稱為發射極和集電極。接在基區上的電極稱為基極。在應用時,發射結處于正向偏置,集電極處于反向偏置。通過發射結的電流使大量的少數載流子注入到基區里,這些少數載流子靠擴散遷移到集電結而形成集電極電流,只有極少量的少數載流子在基區內復合而形成基極電流。集電極電流與基極電流之比稱為共發射極電流放大系數。在共發射極電路中,微小的基極電流變化可以控制很大的集電極電流變化,這就是雙極型晶體管的電流放大效應。雙極型晶體管可分為NPN型和PNP型兩...
鍺和硅是**常用的元素半導體;化合物半導體包括Ⅲ-Ⅴ族化合物(砷化鎵、磷化鎵等)、Ⅱ-Ⅵ族化合物(硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物),以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物組成的固溶體(鎵鋁砷、鎵砷磷等)。除上述晶態半導體外,還有非晶態的玻璃半導體、有機半導體等。半導體:意指半導體收音機,因收音機中的晶體管由半導體材料制成而得名。本征半導體不含雜質且無晶格缺陷的半導體稱為本征半導體。在極低溫度下,半導體的價帶是滿帶(見能帶理論),受到熱激發后,價帶中的部分電子會越過禁帶進入能量較高的空帶,空帶中存在電子后成為導帶,價帶中缺少一個電子后形成一個帶正電的空位,稱為空穴。...
半導體材料的質量系數不能夠根據需要得到進一步的提升,這就必然會對半導體制冷技術的應用造成影響。其二,對冷端散熱系統和熱端散熱系統進行優化設計,但是在技術上沒有升級,依然處于理論階段,沒有在應用中更好地發揮作用,這就導致半導體制冷技術不能夠根據應用需要予以提升。其三,半導體制冷技術對于其他領域以及相關領域的應用存在局限性,所以,半導體制冷技術使用很少,對于半導體制冷技術的研究沒有從應用的角度出發,就難以在技術上擴展。其四,市場經濟環境中,科學技術的發展,半導體制冷技術要獲得發展,需要考慮多方面的問題。重視半導體制冷技術的應用,還要考慮各種影響因素,使得該技術更好地發揮作用。走進...
半導體 -----指常溫下導電性能介于導體與絕緣體之間的材料。半導體在集成電路、消費電子、通信系統、光伏發電、照明、大功率電源轉換等領域都有應用,如二極管就是采用半導體制作的器件。無論從科技或是經濟發展的角度來看,半導體的重要性都是非常巨大的。大部分的電子產品,如計算機、移動電話或是數字錄音機當中的**單元都和半導體有著極為密切的關聯。常見的半導體材料有硅、鍺、砷化鎵等,硅是各種半導體材料應用中相當有有影響力的一種。 分類及性能: 元素半導體。元素半導體是指單一元素構成的半導體,其中對硅、硒的研究比較早。它是由相同元素組成的具有半導體特性的固體材料,容易受到微量雜質和外界條件的...
大多數半導體使用單晶硅,但使用的其他材料包括鍺、砷化鎵(GaAs)、砷化鎵、氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)。半導體材料的導電率是由晶體結構中引起自由電子過剩和缺乏的雜質決定的,一般是通過多數載流子(N型半導體中的電子,P型半導體中的空穴)來負責的,但是,各種半導體,例如晶體管為了在器件中工作,需要少數載流子(N型半導體中的空穴和P型半導體中的電子)。半導體的整流效應(*在一個方向上通過電流的特性)**初是在方鉛礦晶體中發現的。早期的無線電接收器(礦石無線電)是在方鉛礦晶體的表面上發現的,上面涂有稱為“貓須”的鉛存儲工具。據說,使用了稱為“”的細金屬線的輕微接觸。無錫微原電子科技...