正向偏置（Forward Bias），二極管的陽極側施加正電壓，陰極側施加負電壓，這樣就稱為正向偏置，所加電壓為正向偏置。如此N型半導體被注入電子，P型半導體被注入空穴。這樣一來，讓多數載流子過剩，耗盡層縮小、消滅，正負載流子在PN接合部附近結合并消滅。整體來...

半導體二極管的非線性電流-電壓特性，可以根據選擇不同的半導體材料和摻雜不同的雜質從而形成雜質半導體來改變。特性改變后的二極管在使用上除了用做開關的方式之外，還有很多其他的功能，如：用來調節電壓（齊納二極管），限制高電壓從而保護電路（雪崩二極管），無線電調諧（變...

穩壓二極管和普通二極管結構區別，穩壓二極管和普通二極管在結構上也有所不同。穩壓二極管一般由三層不同類型的半導體材料組成，即P型半導體、N型半導體和Intrinsic型半導體。這種特殊結構使得穩壓二極管在反向電壓超過其工作電壓時，能夠迅速將反向電流增大，同時保持...

光電二極管在電路中一般處于反向工作狀態，在沒有光照時，反向電阻很大，反向電流被稱為暗電流，此時暗電流小，相當于斷路；當光照射在PN結上時，光子打在PN附近，使PN結附近產生光生電子和光生空穴對，他們在PN結處的內電場作用下做定向運動，形成光電流，光的照射強度越...

合理的熱設計余量，這個就不多說了，各個企業都有自己的降額規范，嚴格執行就可以了，不行就加散熱器。MOSFET發熱原因分析，做電源設計，或者做驅動方面的電路，難免要用到MOS管。MOS管有很多種類，也有很多作用。做電源或者驅動的使用，當然就是用它的開關作用。無論...

MOSFET的特性和作用：MOS管導作用，MOS管的柵極G和源極S之間是絕緣的，由于SiO2絕緣層的存在，在柵極G和源極S之間等效是一個電容存在，電壓VGS產生電場從而導致源source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。在...

反向偏置（Reverse Bias），在陽極側施加相對陰極負的電壓，就是反向偏置，所加電壓為反向偏置。這種情況下，因為N型區域被注入空穴，P型區域被注入電子，兩個區域內的主要載流子都變為不足，因此結合部位的耗盡層變得更寬，內部的靜電場也更強，擴散電位也跟著變大...

三極管（英語：transistor）是一種電子器件，具有電流放大作用。三極管的三個電極連接著交流電源的正負極，中間部分是基區。當基區加上正向電壓時，集電結正偏而形成發射結；反之集電結反偏而形成漏極-源二極。三極管是電子設備中較重要的無源元件之一，在電路中用"v...

MOS管發熱情況有：1.電路設計的問題，就是讓MOS管工作在線性的工作狀態，而不是在開關狀態。這也是導致MOS管發熱的一個原因。如果N-MOS做開關，G級電壓要比電源高幾V，才能完全導通，P-MOS則相反。沒有完全打開而壓降過大造成功率消耗，等效直流阻抗比較大...

瞬態抑制二極管(TVS管)，瞬態電壓抑制二極管英文名稱為Transient Voltage Suppressor，簡稱TVS，它是一種高效保護器件的一種二極管。當瞬態電壓抑制二極的兩極受到反向瞬態高能量沖擊時，它能以10的負12次方秒量級的速度，將其兩極間的高...

1874年，德國物理學家卡爾·布勞恩在卡爾斯魯厄理工學院發現了晶體的整流能力。因此1906年開發出的頭一代二極管——“貓須二極管”是由方鉛礦等礦物晶體制成的。早期的二極管還包含了真空管，真空管二極管具有兩個電極 ，一個陽極和一個熱式陰極。在半導體性能被發現后，...

光敏（光電）三極管，光敏三極管的基區面積比普通三極管大，而發射區面積較小。光敏三極管具有對光電信號的放大作用，當光電信號從基極（大多數光窗口即為基極）輸入時，激發了基區半導體，產生電子和空穴的運動，從而在發射區有空穴的積累，相等于在發射極施加了正向偏壓，使光敏...

印度人賈格迪什·錢德拉·博斯在1894年成為了頭一個使用晶體檢測無線電波的科學家。他也在厘米和毫米級別對微波進行了研究 [10] [11] 。1903年，格林里夫·惠特勒·皮卡德（ Greenleaf Whittier Pickard ）發明了硅晶檢波器，并在...

晶體管的分類 晶體管的種類很多，按照不同的標準可分為多種類型：按導電方式分有npn型晶體管和 pnp型晶體管；按結構形式分有雙極性管（bjt）和三極型晶體管等；按工作電流分有小功率管（小于1a）、大功率管（1~10a）等； 按照用途來分則有普通型和特種型之分：...

MOSFET管基本結構與工作原理：mos管學名是場效應管，是金屬-氧化物-半導體型場效應管，屬于絕緣柵型。本文就結構構造、特點、實用電路等幾個方面用工程師的話簡單描述。MOS場效應三極管分為：增強型（又有N溝道、P溝道之分）及耗盡型（分有N溝道、P溝道）。N溝...

場效應管（FET）是利用控制輸入回路的電場效應來控制輸出回路電流的一種半導體器件，并以此命名。場效應管（fet）是電場效應控制電流大小的單極型半導體器件。在其輸入端基本不取電流或電流極小，具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩定性好、制造工藝簡單等特點，在大規模和超大規...

什么叫二極管？二極管分為哪幾種？二極管的主要參數有哪些？二極管基礎概念，二極管又稱晶體二極管,簡稱二極管(diode)，另外，還有早期的真空電子二極管；它是一種具有單向傳導電流的電子器件。在半導體二極管內部有一個PN結兩個引線端子，這種電子器件按照外加電壓的方...

二極管是否損壞如何判斷：單負導電性能的檢測及好壞的判斷，通常，鍺材料二極管的正向電阻值為1kΩ左右，反向電阻值為300左右。硅材料二極管的電阻值為5kΩ左右，反向電阻值為（無窮大）。正向電阻越小越好，反向電阻越大越好。正、反向電阻值相差越懸殊，說明二極管的單向...

晶體二極管分類如下：1、點接觸型二極管，點接觸型二極管是在鍺或硅材料的單晶片上壓觸一根金屬針后，再通過電流法而形成的。因此，其PN結的靜電容量小，適用于高頻電路。但是，與面結型相比較，點接觸型二極管正向特性和反向特性都差，因此，不能使用于大電流和整流。因為構造...

電極，所有的FET都有柵極（gate）、漏極（drain）、源極（source）三個端，分別大致對應BJT的基極（base）、集電極（collector）和發射極（emitter）。除JFET以外，所有的FET也有第四端，被稱為體（body）、基（base）、...

N溝道耗盡型MOSFET場效應管的基本結構：a.結構：N溝道耗盡型MOS管與N溝道增強型MOS管基本相似。b.區別：耗盡型MOS管在vGS=0時，漏——源極間已有導電溝道產生，而增強型MOS管要在vGS≥VT時才出現導電溝道。c.原因：制造N溝道耗盡型MOS管...

點接觸式二極管，點接觸式二極管和下文所述的面接觸式二極管工作原理類似，不過構造較為簡單。主要結構即為一個由第三主族金屬制成的導電的頂端，和一塊與其相接觸的N型半導體。一些金屬會進入半導體，接觸面的這一小片區域就成為了P型半導體。長期流行的1N34鍺型二極管，目...

二極管的參數是正確使用二極管的依據，一般半導體器件手冊中都給出不同型號管子參數。使用時，應特別注意不要超過較大整流電流和較高反向工作電壓，否則將容易損壞管子。用數字表示同類型器件的不同型號用字母表示器件的類型，P表示普通管用字母表示器件的材料，A表示N型Ge....

三極管的作用：擴流。把一只小功率可控硅和一只大功率三極管組合，就可得到一只大功率可控硅，其較大輸出電流由大功率三極管的特性決定，見附圖9(a)。圖9(b)為電容容量擴大電路。利用三極管的電流放大作用，將電容容量擴大若干倍。這種等效電容和一般電容器一樣，可浮置工...

三極管的3種狀態：三極管有三種狀態：截止狀態、放大狀態和飽和狀態。我們可以把三極管想象成一個水管。①截止狀態，首先，當我們沒有對水龍頭施加任何外力時，水龍頭是關閉的，水流無法通過，這時的狀態相當于三極管的截止狀態。具體來說，就是加在三極管發射結的電壓小于PN結...

什么是三極管？三極管全稱是“晶體三極管”，也被稱作“晶體管”，是一種具有放大功能的半導體器件。通常指本征半導體三極管，即BJT管。典型的三極管由三層半導體材料，有助于連接到外部電路并承載電流的端子組成。施加到晶體管的任何一對端子的電壓或電流控制通過另一對端子的...

三極管的作用：代換，三極管的作用之四就是代換作用，在一定情況下與某些電子元器件相結合可代換其它器件，完成相應功能。比如：兩只三極管串聯可代換調光臺燈中的雙向觸發二極管;在某些電路中，三極管可以代換8V的穩壓管，代換30V的穩壓管等等。三極管的分類：1、按材質分...

半導體二極管的非線性電流-電壓特性，可以根據選擇不同的半導體材料和摻雜不同的雜質從而形成雜質半導體來改變。特性改變后的二極管在使用上除了用做開關的方式之外，還有很多其他的功能，如：用來調節電壓（齊納二極管），限制高電壓從而保護電路（雪崩二極管），無線電調諧（變...

二極管的功能，二極管的主要功能是將交流電轉換為直流電，也可作為整流器、限流器、穩壓器等電路中的關鍵元件。另外，二極管還可用于振蕩電路、開關電路、放大電路等電路中，起到重要的作用。二極管的作用，整流：二極管可以將交流電轉換為直流電，實現整流功能。當正向電壓施加在...

相信大家在安裝設備時都需要使用到三級管，現在市面上的三極管型號及分類非常的多樣化，這里小編要為大家分享的是三級管作用是什么以及三級管產品的分類有哪些，想要了解的朋友不妨和小編一起來看看吧！三級管產品的分類有哪些？1、按照材質分可分為：硅管和鍺管。2、按照結構分...