碳化硅襯底的電學性能決定了下游芯片功能與性能的優劣，為滿足不同芯片功能需求，需制備不同電學性能的碳化硅襯底。按照電學性能的不同，碳化硅襯底可分為兩類：高電阻率（電阻率≥105Ω·cm）的半絕緣型碳化硅襯底，以及低電阻率（電阻率區間為15~30mΩ·cm）的導電型碳化硅襯底。半絕緣型碳化硅襯底主要用于制造氮化鎵射頻器件，通過生長氮化鎵外延層制得碳化硅基氮化鎵外延片；導電型碳化硅襯底主要用于制造功率器件，需在導電型襯底上生長碳化硅外延層。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！誠邀您蒞臨參觀！靠技術騰飛，借展會布局，云集中外品牌的“中國?國際先進陶...

陶瓷注射成型技術作為一種新興的精密制造技術，有著其不可比擬的獨特優勢。成為國內外精密陶瓷零部件中具有優勢的先進制備技術。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。五展聯動孕育無限發展商機IACE CHINA 2025將與第17屆中國?國際粉末冶金及硬質合金展覽會（PM CHINA）、2025上海國際線圈、變壓器、電感、電機與磁性材料展覽會（MMIC CHINA)、2025上海國際增材制造應用技術展覽會（AM CHINA)和2025上海國際粉體加工與處理展覽會（POWDEX CHINA）同期同地舉辦。五展聯動，串聯相關產業鏈，吸引更多的觀眾群體，形...

注射成型過程中由于工藝參數控制不當，或者是喂料本身缺陷，以及模具設計不合理等因素，容易造成諸如欠注、斷裂、孔洞、變形、毛邊等各種缺陷。結合具體過程，對常見的注射缺陷進行分析，并加以控制，以提高生產率和喂料的利用率。1、欠注缺陷，指喂料在充模過程中不能充滿整個模腔。一般在剛開始注射時產生，可能是由喂料溫度或模具溫度過低、加料量不足、喂料粘度過大等因素引起的。通過增加預塑時間升高喂料溫度、升高模具溫度、加大進料量、升高注射溫度降低喂料粘度等措施可以消除此缺陷。2、斷裂缺陷斷裂。一般發生在脫模中，往往是脆斷。主要是因為模具溫度太低，或者是保壓和冷卻時間過長，使得坯體溫度大幅下降，引起的收縮太大使坯體...

隨著下游應用端的不斷拓展，碳化硅產能供不應求。從全球產能情況來看，近5年內全球碳化硅襯底產能嚴重不足。2023至2025年處于擴建產能爬坡期，預計2026年新產能大量釋放，但釋放后也只能滿足不足60%的市場需求。考慮未來再建產能的時間周期，包括評估、資本募集、建廠、訂購設備、產線爬坡等時間需求，更大產能需要在2030年后才能釋放。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！五展聯動；第17屆中國?國際粉末冶金及硬質合金展覽會（PM CHINA）、2025上海國際線圈、變壓器、電感、電機與磁性材料展覽會（MMIC CHINA)、2025上海國際增材制...

按化學成分可分為：氧化物陶瓷、氮化物陶瓷、碳化物陶瓷、硼化物陶瓷、硅化物陶瓷、復合瓷、金屬陶瓷和纖維增強陶瓷等3.1.1氧化物陶瓷(A2O3、ZrO2、MgO等)3.1.2氮化物陶瓷(Si3N4TN、BN等)3.1.3碳化物陶瓷(SiC、BC、WC等)3.1.4硼化物陶瓷(TB2、ZrB2等)3.1.5硅化物陶瓷、復合瓷、金屬陶瓷和纖維增強陶瓷等。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！五展聯動；第17屆中國?國際粉末冶金及硬質合金展覽會（PM CHINA）、2025上海國際線圈、變壓器、電感、電機與磁性材料展覽會（MMIC CHINA)、20...

隨著下游應用端的不斷拓展，碳化硅產能供不應求。從全球產能情況來看，近5年內全球碳化硅襯底產能嚴重不足。2023至2025年處于擴建產能爬坡期，預計2026年新產能大量釋放，但釋放后也只能滿足不足60%的市場需求。考慮未來再建產能的時間周期，包括評估、資本募集、建廠、訂購設備、產線爬坡等時間需求，更大產能需要在2030年后才能釋放。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！五展聯動；第17屆中國?國際粉末冶金及硬質合金展覽會（PM CHINA）、2025上海國際線圈、變壓器、電感、電機與磁性材料展覽會（MMIC CHINA)、2025上海國際增材制...

碳化硅芯片驗證周期長，批量生產難度大。碳化硅主驅芯片可靠性驗證要求極高，需7-8年才能實現從設計到量產。國外廠商技術和產量的優勢，并通過車企驗證，基本壟斷了碳化硅主驅芯片供應端。國內企業尚處于可靠性驗證起始階段，未實現批量供應。國產主驅芯片需克服可靠性驗證和批量化生產兩大難關，確保大規模供應的同時保證產品品質穩定是行業性難題。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！五展聯動；第17屆中國?國際粉末冶金及硬質合金展覽會（PM CHINA）、2025上海國際線圈、變壓器、電感、電機與磁性材料展覽會（MMIC CHINA)、2025上海國際增材制造應...

傳統硅器件主要采用高溫擴散摻雜，但鋁、硼和氮在SiC中擴散系數低，需極高溫度，會惡化器件性能。因此，離子注入工藝成為SiC摻雜的優先選擇。為實現離子注入區域摻雜濃度均勻，常采用多步離子注入，通過調節注入能量和劑量，控zhi摻雜濃度和深度。離子注入設備是SiC產線難度較高的設備，全球設備廠商少、交期長，國產化率低于10%，是我國碳化硅晶圓線建設的較大瓶頸。國際主流廠商包括美國亞舍立（Axcelis）及應用材料（收購瓦里安），日本愛發科及日清公司，國內廠商主要有中國電科48所（爍科中科信），中車思銳（收購IBS）和凱世通也在介入。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上...

相比硅器件，SiC MOSFET在耐壓、導通電阻、開關頻率等方面具有較好的優勢。耐壓方面，SiC MOSFET在6500V時仍能保持高性能，而硅基MOSFET上限通常在650V左右。在開關頻率超過1kHz時，硅基IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）損耗較高，而SiC MOSFET開關損耗相比可降低多達80%，整體功率損耗降低66%。導通電阻方面，SiC MOSFET芯片面積則更小，如在900V導通電阻下，硅基MOSFET芯片尺寸比SiC MOSFET大35倍。SiC MOSFET還具有高性能體二極管，可減少器件數量和占位面積。SiC MOSFET的工作結溫和熱穩定性更高，可達200℃或更高，適用于汽...

在電動汽車主驅逆變器中，SiC MOSFET相比硅基IGBT具有明顯優勢，如功率轉換效率高、逆變器線圈和電容小型化、降低電機鐵損、束線輕量化和節省安裝空間等。雖然碳化硅器件價格較高，但其優勢可降低整車系統成本。2018年，特斯拉在Model 3中首ci將硅基 IGBT替換為SiC器件，大幅提升汽車逆變器效率，越來越多的車廠如比亞迪、蔚來、小鵬、保時捷等正在轉向在電驅中使用碳化硅MOSFET器件。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！五展聯動；第17屆中國?國際粉末冶金及硬質合金展覽會、2025上海國際線圈、變壓器、電感、電機與磁性材料展覽會、...

將氧氯化鋯、硝酸釔、硝酸鋁按比例配置成溶液，氨水為沉淀劑，采用共沉淀法制備出釔穩定氧化鋯粉體，加入一定比例的PVA，水為介質，濕法球磨，烘干、造粒，得到可成型的釔穩定氧化鋯粉(Y-ZrO2)。在8.3MPa壓力下干壓，然后在不同壓力下冷等靜壓成型，將制得的生坯在不同溫度下燒結，并保溫不同時間，研究等靜壓壓力、燒結溫度、保溫時間對陶瓷密度、抗彎強度、硬度和斷裂韌性的影響。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。五展聯動孕育無限發展商機IACE CHINA 2025將與第17屆中國?國際粉末冶金及硬質合金展覽會（PM CHINA）、2025上海國際...

將氧氯化鋯、硝酸釔、硝酸鋁按比例配置成溶液，氨水為沉淀劑，采用共沉淀法制備出釔穩定氧化鋯粉體，加入一定比例的PVA，水為介質，濕法球磨，烘干、造粒，得到可成型的釔穩定氧化鋯粉(Y-ZrO2)。在8.3MPa壓力下干壓，然后在不同壓力下冷等靜壓成型，將制得的生坯在不同溫度下燒結，并保溫不同時間，研究等靜壓壓力、燒結溫度、保溫時間對陶瓷密度、抗彎強度、硬度和斷裂韌性的影響。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。五展聯動孕育無限發展商機IACE CHINA 2025將與第17屆中國?國際粉末冶金及硬質合金展覽會（PM CHINA）、2025上海國際...

碳化硅產業各鏈條都在互相交融、跨界。系統級廠商方面，比亞迪從整車制造跨到碳化硅產業前端的襯底環節，吉利則向后端做到碳化硅芯片制造；在供應鏈Tier1廠商層面，博世和華為同樣做到碳化硅芯片制造。高成本是制約碳化硅器件實現大規模商用及國產替代的主要因素，但碳化硅器件與傳統硅基器件的差價正在縮小。SiCSBD產品價格自2017年的4.1元/A降至2020年的1.58元/A，與硅基器件差價約為3.8倍。2019至2020年，1200V和1700V的SiCMOSFET的平均價格跌幅達30%-40%，有助于其提升市場滲透率。“中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館開幕！五展...

外延生長技術是碳化硅器件的關鍵環節，外延質量對器件性能影響很大，碳化硅襯底無法直接制作器件，優質外延工藝可改進微管（Micropipe）、多型、劃痕、層錯、貫穿螺型位錯（TSD）、貫穿刃型位錯（TED）和基平面位錯（BPD）等襯底缺陷，減少外延生長缺陷，同時精確控zhi摻雜濃度，提升均勻性和器件良率。不同外延層厚度對應不同耐壓等級的器件規格。通常，1μm的外延層對應100V左右的耐壓；耐壓在600V左右時，需要6μm左右的外延層；耐壓高于10000V時，外延層厚度需在100μm以上。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！展會展覽面積將超過50...

在電動汽車主驅逆變器中，SiC MOSFET相比硅基IGBT具有明顯優勢，如功率轉換效率高、逆變器線圈和電容小型化、降低電機鐵損、束線輕量化和節省安裝空間等。雖然碳化硅器件價格較高，但其優勢可降低整車系統成本。2018年，特斯拉在Model 3中首ci將硅基 IGBT替換為SiC器件，大幅提升汽車逆變器效率，越來越多的車廠如比亞迪、蔚來、小鵬、保時捷等正在轉向在電驅中使用碳化硅MOSFET器件。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！五展聯動；第17屆中國?國際粉末冶金及硬質合金展覽會、2025上海國際線圈、變壓器、電感、電機與磁性材料展覽會、...

碳化硅主驅芯片可靠性驗證要求極高，需7-8年才能實現從設計到量產。國外廠商技術和產量的優勢，并通過車企驗證，基本壟斷了碳化硅主驅芯片供應端。國內企業尚處于可靠性驗證起始階段，未實現批量供應。國產主驅芯片需克服可靠性驗證和批量化生產兩大難關，確保大規模供應的同時保證產品品質穩定是行業性難題。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。五展聯動；第17屆中國?國際粉末冶金及硬質合金展覽會（PM CHINA）、2025上海國際線圈、變壓器、電感、電機與磁性材料展覽會（MMIC CHINA)、2025上海國際增材制造應用技術展覽會（AM CHINA)和20...

在半導體制造領域，增大晶片尺寸是提高半導體產品競爭力的關鍵途徑。對于同一規格的芯片，隨著晶圓尺寸增加，邊緣管芯（Die）數量占比縮小，晶圓利用率大幅增加。按晶圓面積測算，一片8英寸碳化硅外延晶片的晶圓面積是6英寸晶圓面積的1.8倍，一片8英寸碳化硅外延晶片的晶圓面積則是4英寸晶圓面積的近4.3倍。根據Wolfspeed測算，一片8英寸碳化硅晶片可以產出845顆32mm2的芯片，是6英寸碳化硅外延晶片產出的近2倍；邊緣管芯占比下降到7%，大幅度提高晶圓利用率，將進一步降低碳化硅芯片單位成本。展會展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個，國內外觀眾預計將達到70,0...

AlN有兩個非常重要的性能值得注意：一個是高的熱導率，一個是與Si相匹配的膨脹系數。缺點是即使在表面有非常薄的氧化層也會對熱導率產生影響，只有對材料和工藝進行嚴格控制才能制造出一致性較好的AlN基板。AlN生產技術國內像斯利通這樣能大規模生產的少之又少，相對于Al2O3，AlN價格相對偏高許多，這個也是制約其發展的小瓶頸。不過隨著經濟的提升，技術的升級，這種瓶頸終會消失。綜合以上原因，可以知道，氧化鋁陶瓷由于比較優越的綜合性能，在微電子、功率電子、混合微電子、功率模塊等領域還是處于主導地位而被大量運用。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。展...

碳化硅半導體屬于高度技術密集型行業，具有較高的技術、人才、資金、資源和認證壁壘，高度依賴于技術及生產經驗。受日益旺盛的需求影響，目前各路資本爭相投資，碳化硅產業成為熱門賽道。大量資本的涌入加劇了碳化硅的行業競爭。同時，全球碳化硅半導體行業市場集中度較高，市場份額主要被美國、歐洲、日本等國家和地區的企業占據，國內企業未來將面臨國際先進企業和國內新進入者的雙重競爭。若競爭過早進入白熱化，會對大批初創科技型碳化硅企業的成長造成致命打擊。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！展會展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個...

按化學成分可分為：氧化物陶瓷、氮化物陶瓷、碳化物陶瓷、硼化物陶瓷、硅化物陶瓷、復合瓷、金屬陶瓷和纖維增強陶瓷等3.1.1氧化物陶瓷(A2O3、ZrO2、MgO等)3.1.2氮化物陶瓷(Si3N4TN、BN等)3.1.3碳化物陶瓷(SiC、BC、WC等)3.1.4硼化物陶瓷(TB2、ZrB2等)3.1.5硅化物陶瓷、復合瓷、金屬陶瓷和纖維增強陶瓷等。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！五展聯動；第17屆中國?國際粉末冶金及硬質合金展覽會（PM CHINA）、2025上海國際線圈、變壓器、電感、電機與磁性材料展覽會（MMIC CHINA)、20...

“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。五展聯動孕育無限發展商機IACE CHINA 2025將與第17屆中國?國際粉末冶金及硬質合金展覽會（PM CHINA）、2025上海國際線圈、變壓器、電感、電機與磁性材料展覽會（MMIC CHINA)、2025上海國際增材制造應用技術展覽會（AM CHINA)和2025上海國際粉體加工與處理展覽會（POWDEX CHINA）同期同地舉辦。五展聯動，串聯相關產業鏈，吸引更多的觀眾群體，形成既匯聚更多參展企業同臺競技，又滿足觀眾和買家多樣化需求的“一站式”商貿交流平臺。本屆展會（2025年）展覽面積將超過5...

國內碳化硅襯底產品以4英寸和6英寸為主，少數企業實現8英寸量產，與國際廠商仍有一定差距。我國碳化硅產業起步較晚，國內廠商與國外企業在碳化硅襯底產品上存在差距。國內以4英寸和6英寸為主，而國際廠商如Wolfspeed、意法半導體在2023年已能夠大批量穩定供應8英寸襯底。國內碳化硅襯底企業天岳先進2024年5月披露，公司8英寸導電型襯底產品已經實現批量交貨，將推動頭部客戶向8英寸轉型，但8英寸產品品質和良率與國際廠商還有一定差距。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！五展聯動；第17屆中國?國際粉末冶金及硬質合金展覽會（PMCHINA）、202...

“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。碳化硅作為第三代半導體的代表性材料之一，展現了突出的性能優勢，具有極高的產業價值，被當下業內稱為“黃金投資賽道”。我國“十四五”規劃已將碳化硅半導體納入重點支持領域，是國家戰略性需求的重要行業。我們通過對碳化硅產業鏈的基本情況及碳化硅襯底、外延、功率器件環節的價值分析，揭示碳化硅產業鏈的發展趨勢以及面臨的機遇與挑戰。五展聯動孕育無限發展商機IACECHINA2025將與第17屆中國?國際粉末冶金及硬質合金展覽會（PMCHINA）、2025上海國際線圈、變壓器、電感、電機與磁性材料展覽會（MMICCHINA...

碳化硅外延制作方法包括化學氣相沉積法（CVD）、分子束外延法（MBE）、液相外延法（LPE）、脈沖激光淀積和升華法（PLD）等。其中CVD法較為普及，該方法能精確控制生長條件，包括氣體源流量、溫度和壓力，從而精確控制外延層的厚度、摻雜濃度和類型，重復性良好，設備適中，為目前主流技術。液相外延法和分子束外延法雖理論上可行，但外延制作的質量、效率和成本均不如CVD法，不適合商業化應用。碳化硅外延設備的密閉性、氣壓、氣體通入時間、配比和沉積溫度均需精確控制。器件耐壓提升，厚度和摻雜濃度均勻性的控制難度增加；外延層厚度增加，控制均勻性和缺陷密度的難度增加。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于202...

我國碳化硅產業雖起步較晚，但近年來，在國家政策推動和地方積極產業布局下，我國逐步形成了覆蓋襯底、外延、器件等環節的完整的第三代半導體產業鏈，并形成了以京津冀、長三角、珠三角等區域的第三代半導體產業集群。其中，京津冀區域集中了清華大學、北京大學、中科院半導體所等相關科研院所，并擁有天科合達、同光晶體、泰科天潤、世紀金光等第三代半導體企業，初步形成較為完整的碳化硅產業鏈；長三角區域目前形成了以蘇州為中心的氮化鎵全產業鏈集群和以上海為中心的碳化硅功率半導體企業集群；珠三角區域作為國內集成電路產業資源集中地區，成立了多個研究基地，擁有包括東莞天域、東莞中鎵、亞迪半導體等在內的第三代半導體相關企業。“第...

氧化鋁陶瓷以Al2O3為主要成分,含有少量SiO2的陶瓷，又稱高鋁陶瓷。根據Al2O3含量不同分為75瓷(含75%Al2O3，又稱剛玉-莫來石瓷)、95瓷和99瓷，后兩者又稱剛玉瓷。氧化鋁陶瓷耐高溫性能好，可使用到1950℃。具有良好的電絕緣性能及耐磨性。微晶剛玉的硬度極高(僅次于金剛石)。氧化鋁陶瓷被用作耐火材料，如耐火磚、坩堝、熱偶套管，淬火鋼的切削刀具、金屬拔絲模，內燃機的火花塞，火箭、導彈的導流罩及軸承等。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！五展聯動；第17屆中國?國際粉末冶金及硬質合金展覽會（PMCHINA）、2025上海國際線圈...

碳化硅單晶材料按電學性能分導電型和半絕緣型，而導電型對應同質外延，半絕緣型對應異質外延。同質外延制成SBD（肖特基勢壘二極管）、MOSFET（縮寫為MOS，金屬氧化物半導體場效應晶體管）等功率器件，適用于電子電力領域如新能源汽車、軌道交通、智能電網、光伏發電等；在導電型SiC襯底上生長SiC外延層可制得SiC外延片，用于各類功率器件。異質外延制成HEMT（高電子遷徙率晶體管）等微波射頻器件，適用于高頻、高溫環境如5G通訊、雷達、國?防jun工等領域；在半絕緣型SiC襯底上生長GaN外延層可制得SiC基GaN外延片用于GaN射頻器件。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-1...

傳統硅器件主要采用高溫擴散摻雜，但鋁、硼和氮在SiC中擴散系數低，需極高溫度，會惡化器件性能。因此，離子注入工藝成為SiC摻雜的優先選擇。為實現離子注入區域摻雜濃度均勻，常采用多步離子注入，通過調節注入能量和劑量，控zhi摻雜濃度和深度。離子注入設備是SiC產線難度較高的設備，全球設備廠商少、交期長，國產化率低于10%，是我國碳化硅晶圓線建設的較大瓶頸。國際主流廠商包括美國亞舍立（Axcelis）及應用材料（收購瓦里安），日本愛發科及日清公司，國內廠商主要有中國電科48所（爍科中科信），中車思銳（收購IBS）和凱世通也在介入。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上...

碳化硅下游應用場景眾多，包括新能源車、充電樁、光伏、儲能、軌道交通、智能電網、航空航天等，而下游的需求放量情況會影響碳化硅的市場規模體量，比如新能源車的產銷量、充電樁的配套數量、光伏的裝機量等。雖然碳化硅襯底和器件工藝逐漸成熟，價格有所下降，但碳化硅功率器件價格仍遠高于硅基器件。下游應用領域需平衡碳化硅器件高價格與性能優勢帶來的綜合成本，短期內將限制碳化硅器件在功率器件領域的滲透率，大規模應用仍存挑戰。若下游存在放量不及預期的情況，將對上游碳化硅企業研發、生產造成不利影響。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！五展聯動，串聯相關產業鏈，吸引更...

陶瓷注射成型技術作為一種新興的精密制造技術，有著其不可比擬的獨特優勢。成為國內外精密陶瓷零部件中具有優勢的先進制備技術。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。五展聯動孕育無限發展商機IACE CHINA 2025將與第17屆中國?國際粉末冶金及硬質合金展覽會（PM CHINA）、2025上海國際線圈、變壓器、電感、電機與磁性材料展覽會（MMIC CHINA)、2025上海國際增材制造應用技術展覽會（AM CHINA)和2025上海國際粉體加工與處理展覽會（POWDEX CHINA）同期同地舉辦。五展聯動，串聯相關產業鏈，吸引更多的觀眾群體，形...