ADC/DAC電路：（4）隔離處理：隔離腔體應做開窗處理、方便焊接屏蔽殼，在屏蔽腔體上設計兩排開窗過孔屏蔽，過孔應相互錯開，同排過孔間距為150Mil。，在腔體的拐角處應設計3mm的金屬化固定孔，保證其固定屏蔽殼，隔離腔體內的器件與屏蔽殼的間距＞0.5mm。如圖6-1-2-4所示。腔體的周邊為密封的，接口的線要引入腔體里采用帶狀線的結構；而腔體內部不同模塊之間可以采用微帶線的結構，這樣內部的屏蔽腔采用開槽處理，開槽的寬度一般為3mm、微帶線走在中間。（5）布線原則1、首先參考射頻信號的處理原則。2、嚴格按照原理圖的順序進行ADC和DAC前端電路布線。3、空間允許的情況下，模擬信號采用包地處理，...

1VGA接口（1）VGA接口介紹VGA（VideoGraphicsArray）接口是顯卡上輸出模擬信號的接口，VGA接口是顯卡上應用為大范圍的接口類型，雖然液晶顯示器可以直接接收數字信號，但為了與VGA接口顯卡相匹配，也采用了VGA接口。一般VGA模擬信號在超過1280×1024分辨率以上的情況下就會出現明顯的失真、字跡模糊的現象，而此時DVI接口的畫面依舊清晰可見。DVI接口比較高可以提供8G/s的傳輸率，實現1920×1080的顯示要求。VGA插座共有15，除了2根NC信號、3根顯示數據總線和5個GND信號，比較重要的是3根RGB彩色分量信VGA號和2根掃描同步信號HSYNC和VSYNC針...

ADC/DAC電路：（2）模擬地與數字地處理：大多數ADC、DAC往往依據數據手冊和提供的參考設計進行地分割處理，通常情況是將PCB地層分為模擬地AGND和數字地DGND，然后將二者單點連接，（3）模擬電源和數字電源當電源入口只有統一的數字地和數字電源時，在電源入口處通過將數字地加磁珠或電感，將數字地拆分成成模擬地；同樣在電源入口處將數字電源通過磁珠或電感拆分成模擬電源。負載端所有的數字電源都通過入口處數字電源生成、模擬電源都通過經過磁珠或電感隔離后的模擬電源生成。如果在電源入口處（外部提供的電源）既有模擬地又有數字地、既有模擬電源又有數字電源，板子上所有的數字電源都用入口處的數字電源生成、模...

DDR模塊，DDRSDRAM全稱為DoubleDataRateSDRAM，中文名為“雙倍數據率SDRAM”，是在SDRAM的基礎上改進而來，人們習慣稱為DDR，DDR本質上不需要提高時鐘頻率就能加倍提高SDRAM的數據傳輸速率，它允許在時鐘的上升沿和下降沿讀取數據，因而其速度是標準SDRAM的兩倍。（1）DDRSDRAM管腳功能說明：圖6-1-5-1為512MDDR（8M×16bit×4Bank）的66-pinTSOP封裝圖和各引腳及功能簡述1、CK/CK#是DDR的全局時鐘，DDR的所有命令信號，地址信號都是以CK/CK#為時序參考的。2、CKE為時鐘使能信號，與SDRAM不同的是，在進行...

繪制各禁止布局、布線、限高、亮銅、挖空、銑切、開槽、厚度削邊區域大小，形狀與結構圖完全一致，所在層由各EDA軟件確定。對以上相應區域設置如下特性：禁布區設置禁止布局、禁止布線屬性；限高區域設置對應高度限制屬性；亮銅區域鋪相應網絡屬性銅皮和加SolderMask；板卡金屬導軌按結構圖要求鋪銅皮和加SolderMask，距導軌內沿2mm范圍內，禁止布線、打孔、放置器件。挖空、銑切、開槽區域周邊0.5mm范圍增加禁止布局、布線區域，客戶有特殊要求除外。DDR模塊中管腳功能說明。鄂州正規PCB設計批發ADC和DAC是數字信號和模擬信號的接口，在通信領域，射頻信號轉換為中頻信號，中頻信號經過ADC轉換成...

布線優化布線優化的步驟：連通性檢查→DRC檢查→STUB殘端走線及過孔檢查→跨分割走線檢查→走線串擾檢查→殘銅率檢查→走線角度檢查。（1）連通性檢查：整板連通性為100%，未連接網絡需確認并記錄《項目設計溝通記錄》中。（2）整板DRC檢查：對整板DRC進行檢查、修改、確認、記錄。（3）Stub殘端走線及過孔檢查：整板檢查Stub殘端走線及孤立過孔并刪除。（4）跨分割區域檢查：檢查所有分隔帶區域，并對在分隔帶上的阻抗線進行調整。（5）走線串擾檢查：所有相鄰層走線檢查并調整。（6）殘銅率檢查：對稱層需檢查殘銅率是否對稱并進行調整。（7）走線角度檢查：整板檢查直角、銳角走線。京曉科技與您分享PCB設...

電源模塊擺放電源模塊要遠離易受干擾的電路，如ADC、DAC、RF、時鐘等電路模塊，發熱量大的電源模塊，需要拉大與其它電路的距離，與其他模塊的器件保持3mm以上的距離。不同模塊的用法電源，靠近模塊擺放，負載為整板電源供電的模塊優先擺放在總電源輸入端。其它器件擺放（1）JTAG接口及外部接口芯片靠近板邊擺放，便于插拔,客戶有指定位置除外。（2）驅動電路靠近接口擺放。（3）測溫電路靠近發熱量大的電源模塊或功耗比較高的芯片擺放,擺放時確定正反面。（4）光耦、繼電器、隔離變壓器、共模電感等隔離器件的輸入輸出模塊分開擺放,隔離間距40Mil以上。（5）熱敏感元件（電解電容、晶振）遠離大功率的功能模塊、散熱...

DDR與SDRAM信號的不同之處，1、DDR的數據信號與地址\控制信號是參考不同的時鐘信號，數據信號參考DQS選通信號，地址\控制信號參考CK\CK#差分時鐘信號；而SDRAM信號的數據、地址、控制信號是參考同一個時鐘信號。2、數據信號參考的時鐘信號即DQS信號是上升沿和下降沿都有效，即DQS信號的上升沿和下降沿都可以觸發和鎖存數據，而SDRAM的時鐘信號只有在上升沿有效，相對而言DDR的數據速率翻倍。3、DDR的數據信號通常分成幾組，如每8位數據信號加一位選通信號DQS組成一組，同一組的數據信號參考相同組里的選通信號。4、為DDRSDRAM接口同步工作示意圖，數據信號與選通信號分成多組，同組...

整板布線，1）所有焊盤必須從中心出線,線路連接良好，（2）矩形焊盤出線與焊盤長邊成180度角或0度角出線，焊盤內部走線寬度必須小于焊盤寬度，BGA焊盤走線線寬不大于焊盤的1/2，走線方式，（3）所有拐角處45度走線，禁止出現銳角和直角走線，（4）走線到板邊的距離≥20Mil，距離參考平面的邊沿滿足3H原則，（5）電感、晶體、晶振所在器件面區域內不能有非地網絡外的走線和過孔。（6）光耦、變壓器、共模電感、繼電器等隔離器件本體投影區所有層禁止布線和鋪銅。（7）金屬殼體正下方器件面禁止有非地網絡過孔存在，非地網絡過孔距離殼體1mm以上。（8）不同地間或高低壓間需進行隔離。（9）差分線需嚴格按照工藝計...

等長線處理等長線處理的步驟：檢查規則設置→確定組內長線段→等長線處理→鎖定等長線。（1）檢查組內等長規則設置并確定組內基準線并鎖定。（2）單端蛇形線同網絡走線間距S≥3W，差分對蛇形線同網絡走線間距≥20Mil。（3）差分線對內等長優先在不匹配端做補償，其次在中間小凸起處理，且凸起高度＜1倍差分對內間距，長度＞3倍差分線寬，（4）差分線對內≤3.125G等長誤差≤5mil，＞3.125G等長誤差≤2mil。（5）DDR同組等長：DATA≤800M按±25mil，DATA＞800M按±5mil；ADDR按±100mil；DDR2的DQS和CLK按±500mil；QDR按±25mil；客戶有要求或...

存儲模塊介紹：存儲器分類在我們的設計用到的存儲器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等，其中DDR系列用的是多的，其DDR-DDR4的詳細參數如下：DDR采用TSSOP封裝技術，而DDR2和DDR3內存均采用FBGA封裝技術。TSSOP封裝的外形尺寸較大，呈長方形，其優點是成本低、工藝要求不高，缺點是傳導效果差，容易受干擾，散熱不理想，而FBGA內存顆粒精致小巧，體積大約只有DDR內存顆粒的三分之一，有效地縮短信號傳輸距離，在抗干擾、散熱等方面更有優勢，而DDR4采用3DS(3-DimensionalStack)三維堆疊技術來增大單顆芯片容量，封裝外形則與DDR2、DDR3差別不大。...

布線優化布線優化的步驟：連通性檢查→DRC檢查→STUB殘端走線及過孔檢查→跨分割走線檢查→走線串擾檢查→殘銅率檢查→走線角度檢查。（1）連通性檢查：整板連通性為100%，未連接網絡需確認并記錄《項目設計溝通記錄》中。（2）整板DRC檢查：對整板DRC進行檢查、修改、確認、記錄。（3）Stub殘端走線及過孔檢查：整板檢查Stub殘端走線及孤立過孔并刪除。（4）跨分割區域檢查：檢查所有分隔帶區域，并對在分隔帶上的阻抗線進行調整。（5）走線串擾檢查：所有相鄰層走線檢查并調整。（6）殘銅率檢查：對稱層需檢查殘銅率是否對稱并進行調整。（7）走線角度檢查：整板檢查直角、銳角走線。PCB布局布線設計規則。...

SDRAM時鐘源同步和外同步1、源同步：是指時鐘與數據同時在兩個芯片之間間傳輸，不需要外部時鐘源來給SDRAM提供時鐘，CLK由SDRAM控制芯片（如CPU）輸出，數據總線、地址總線、控制總線信號由CLK來觸發和鎖存，CLK必須與數據總線、地址總線、控制總線信號滿足一定的時序匹配關系才能保證SDRAM正常工作，即CLK必須與數據總線、地址總線、控制總線信號在PCB上滿足一定的傳輸線長度匹配。2、外同步：由外部時鐘給系統提供參考時鐘，數據從發送到接收需要兩個時鐘，一個鎖存發送數據，一個鎖存接收數據，在一個時鐘周期內完成，對于SDRAM及其控制芯片，參考時鐘CLK1、CLK2由外部時鐘驅動產生，此...

SDRAM模塊SDRAM介紹：SDRAM是SynchronousDynamicRandomAccessMemory（同步動態隨機存儲器）的簡稱，是使用很的一種存儲器，一般應用在200MHz以下，常用在33MHz、90MHz、100MHz、125MHz、133MHz等。其中同步是指時鐘頻率與SDRAM控制器如CPU前端其時鐘頻率與CPU前端總線的系統時鐘頻率相同，并且內部命令的發送和數據的傳輸都以它為準；動態是指存儲陣列需要不斷刷新來保證數據不丟失；隨機是指數據不是線性一次存儲，而是自由指定地址進行數據的讀寫。為了配合SDRAM控制芯片的總線位寬，必須配合適當數量的SDRAM芯片顆粒，如32位的...

布線，PCBLAYOUT在此階段的所有布線必須符合《PCBLayout業務資料及要求》、《PCBLayout工藝參數》、《PCB加工工藝要求說明書》對整板布線約束的要求。同時也應該符合客戶對過孔工藝、小線寬線距等的特殊要求，無法滿足時需和客戶客戶溝通并記錄到《設計中心溝通記錄》郵件通知客戶確認。布線的流程步驟如下：關鍵信號布線→整板布線→ICT測試點添加→電源、地處理→等長線處理→布線優化，關鍵信號布線關鍵信號布線的順序：射頻信號→中頻、低頻信號→時鐘信號→高速信號。關鍵信號的布線應該遵循如下基本原則：★優先選擇參考平面是地平面的信號層走線?！镆勒詹季智闆r短布線?！镒呔€間距單端線必須滿足3W以...

規則設置子流程：層疊設置→物理規則設置→間距規則設置→差分線規則設置→特殊區域規則設置→時序規則設置◆層疊設置：根據《PCB加工工藝要求說明書》上的層疊信息，在PCB上進行對應的規則設置?！粑锢硪巹t設置（1）所有阻抗線線寬滿足《PCB加工工藝要求說明書》中的阻抗信息，非阻抗線外層6Mil,內層5Mil。（2）電源/地線：線寬>=15Mil。（3）整板過孔種類≤2,且過孔孔環≥4Mil，Via直徑與《PCBLayout工藝參數》一致，板厚孔徑比滿足制造工廠或客戶要求，過孔設置按《PCBLayout工藝參數》要求。◆間距規則設置：根據《PCBLayout工藝參數》中的間距要求設置間距規則，阻抗線距...

ADC/DAC電路：（4）隔離處理：隔離腔體應做開窗處理、方便焊接屏蔽殼，在屏蔽腔體上設計兩排開窗過孔屏蔽，過孔應相互錯開，同排過孔間距為150Mil。，在腔體的拐角處應設計3mm的金屬化固定孔，保證其固定屏蔽殼，隔離腔體內的器件與屏蔽殼的間距＞0.5mm。如圖6-1-2-4所示。腔體的周邊為密封的，接口的線要引入腔體里采用帶狀線的結構；而腔體內部不同模塊之間可以采用微帶線的結構，這樣內部的屏蔽腔采用開槽處理，開槽的寬度一般為3mm、微帶線走在中間。（5）布線原則1、首先參考射頻信號的處理原則。2、嚴格按照原理圖的順序進行ADC和DAC前端電路布線。3、空間允許的情況下，模擬信號采用包地處理，...

結構繪制結構繪制子流程如下：繪制單板板框→繪制結構特殊區域及拼板→放置固定結構件。1.1.1繪制單板板框（1）將結構圖直接導入PCB文件且測量尺寸，確認結構圖形中結構尺寸單位為mm，顯示比例為1：1等大。（2）設計文件中，單位為mm，則精度為小數點后4位；單位為Mil，則精度為小數點后2位，兩種單位之間轉換至多一次，特殊要求記錄到《項目設計溝通記錄》中。（3）導入結構圖形并命名。（4）導入的結構圖形層命名方式為DXF_日期+版本，舉例：DXF_1031A1，線寬為0Mil。（5）結構圖形導入后應在EDA設計軟件視界正中，若偏移在一角，應整體移動結構圖形，使之位于正中。（6）根據結構圖形，繪制外...

添加特殊字符（1）靠近器件管腳擺放網絡名，擺放要求同器件字符，（2）板名、版本絲印：放置在PCB的元件面，水平放置，比元件位號絲印大（常規絲印字符寬度10Mil，高度80Mil）；扣板正反面都需要有板名絲印，方便識別。添加特殊絲印（1）條碼：條碼位置應靠近PCB板名版本號，且長邊必須與傳送方向平行，區域內不能有焊盤直徑大于0.5mm的導通孔，如有導通孔則必須用綠油覆蓋。條碼位置必須符合以下要求，否則無法噴碼或貼標簽。1、預留區域為涂滿油墨的絲印區。2、尺寸為22.5mmX6.5mm。3、絲印區外20mm范圍內不能有高度超過25mm的元器件。2）其他絲?。核猩漕lPCB建議添加標準“RF”的絲印...

射頻、中頻電路（1）射頻電路★基本概念1、射頻：是電磁波按應用劃分的定義,專指具有一定波長可用于無線電通信的電磁波，射頻PCB可以定義為具有頻率在30MHz至6GHz范圍模擬信號的PCB。2、微帶線：是一種傳輸線類型。由平行而不相交的帶狀導體和接地平面構成。微帶線的結構如下圖中的圖1所示它是由導體條帶（在基片的一邊）和接地板（在基片的另一邊）所構成的傳輸線。微帶線是由介質基片，接地平板和導體條帶三部分組成。在微帶線中，電磁能量主要是集中在介質基片中傳播的，3、屏蔽罩：是無線設備中普遍采用的屏蔽措施。其工作原理如下：當在電磁發射源和需要保護的電路之間插入一高導電性金屬時，該金屬會反射和吸收部分輻...

存儲模塊介紹：存儲器分類在我們的設計用到的存儲器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等，其中DDR系列用的是多的，其DDR-DDR4的詳細參數如下：DDR采用TSSOP封裝技術，而DDR2和DDR3內存均采用FBGA封裝技術。TSSOP封裝的外形尺寸較大，呈長方形，其優點是成本低、工藝要求不高，缺點是傳導效果差，容易受干擾，散熱不理想，而FBGA內存顆粒精致小巧，體積大約只有DDR內存顆粒的三分之一，有效地縮短信號傳輸距離，在抗干擾、散熱等方面更有優勢，而DDR4采用3DS(3-DimensionalStack)三維堆疊技術來增大單顆芯片容量，封裝外形則與DDR2、DDR3差別不大。...

生成Gerber文件（1）生成Gerber文件：根據各EDA軟件操作，生成Gerber文件。（2）檢查Gerber文件：檢查Gerber文件步驟：種類→數量→格式→時間。Gerber文件種類及數量：各層線路、絲印層、阻焊層、鋼網層、鉆孔表、IPC網表必須齊全且不能重復。盲埋孔板或背鉆板輸出的鉆孔文件個數與孔的類型有關，有多少種盲埋孔或背鉆孔，就會對應有多少個鉆孔文件，要注意核實確認。Gerber文件格式：Mentor、Allegro、AD、Pads依據各EDA設計軟件操作手冊生成。所有Gerber文件生成時間要求保持在連續5分鐘以內。 IPC網表自檢將Gerber文件導入CAM350軟件進行I...

DDR的PCB布局、布線要求4、對于DDR的地址及控制信號，如果掛兩片DDR顆粒時拓撲建議采用對稱的Y型結構，分支端靠近信號的接收端，串聯電阻靠近驅動端放置（5mm以內），并聯電阻靠近接收端放置（5mm以內），布局布線要保證所有地址、控制信號拓撲結構的一致性及長度上的匹配。地址、控制、時鐘線（遠端分支結構）的等長范圍為≤200Mil。5、對于地址、控制信號的參考差分時鐘信號CK\CK#的拓撲結構，布局時串聯電阻靠近驅動端放置，并聯電阻靠近接收端放置，布線時要考慮差分線對內的平行布線及等長(≤5Mil)要求。6、DDR的IO供電電源是2.5V，對于控制芯片及DDR芯片，為每個IO2.5V電源管腳...

整板扇出（1）對板上已處理的表層線和過孔按照規則進行相應的調整。（2）格點優先選用25Mil的，其次采用5Mil格點，過孔扇出在格點上，相同器件過孔走線采用復制方式，保證過孔上下左右對齊、常見分立器件的扇出形式（3）8MIL過孔中心間距35MIL以上，10MIL過孔中心間距40MIL以上，以免將平面層隔斷；差分過孔間距一般為30Mil（或過孔邊緣距為8Mil）。（4）芯片電源管腳先過電容再打過孔（5）所有電源/地管腳就近打孔，高速差分過孔附近30-50Mil內加回流地孔，模塊內通過表層線直連，無法連接的打過孔處理。（6）電源輸出過孔打在輸出濾波電容之后，電源輸入過孔扇出在輸入濾波電容之前，過孔...

模塊劃分（1）布局格點設置為50Mil。（2）以主芯片為中心的劃分準則,把該芯片相關阻容等分立器件放在同一模塊中。（3）原理圖中單獨出現的分立器件，要放到對應芯片的模塊中，無法確認的，需要與客戶溝通,然后再放到對應的模塊中。（4）接口電路如有結構要求按結構要求，無結構要求則一般放置板邊。主芯片放置并扇出（1）設置默認線寬、間距和過孔：線寬：表層設置為5Mil；間距：通用線到線5Mil、線到孔（外焊盤）5Mil、線到焊盤5Mil、線到銅5Mil、孔到焊盤5Mil、孔到銅5Mil；過孔：選擇VIA8_F、VIA10_F、VIA10等；（2）格點設置為25Mil，將芯片按照中心抓取放在格點上。（3）...

繪制各禁止布局、布線、限高、亮銅、挖空、銑切、開槽、厚度削邊區域大小，形狀與結構圖完全一致，所在層由各EDA軟件確定。對以上相應區域設置如下特性：禁布區設置禁止布局、禁止布線屬性；限高區域設置對應高度限制屬性；亮銅區域鋪相應網絡屬性銅皮和加SolderMask；板卡金屬導軌按結構圖要求鋪銅皮和加SolderMask，距導軌內沿2mm范圍內，禁止布線、打孔、放置器件。挖空、銑切、開槽區域周邊0.5mm范圍增加禁止布局、布線區域，客戶有特殊要求除外。如何梳理PCB設計布局模塊框圖？襄陽哪里的PCB設計銷售電話添加特殊字符（1）靠近器件管腳擺放網絡名，擺放要求同器件字符，（2）板名、版本絲?。悍胖迷?..

電源電路放置優先處理開關電源模塊布局，并按器件資料要求設計。RLC放置（1）濾波電容放置濾波電容靠近管腳擺放（BGA、SOP、QFP等封裝的濾波電容放置），多與BGA電源或地的兩個管腳共用同一過孔。BGA封裝下放置濾波電容：BGA封裝過孔密集很難把所有濾波電容靠近管腳放置，優先把電源、地進行合并，且合并的管腳不能超過2個，充分利用空管腳，騰出空間，放置多的電容，可參考以下放置思路。1、1.0MM間距的BGA，濾波電容可換成圓焊盤或者8角焊盤：0402封裝的電容直接放在孔與孔之間；0603封裝的電容可以放在十字通道的中間；大于等于0805封裝的電容放在BGA四周。2、大于1.0間距的BGA，04...

工藝、層疊和阻抗信息確認（1）與客戶確認阻抗類型，常見阻抗類型如下：常規阻抗：單端50歐姆，差分100歐姆。特殊阻抗：射頻線單端50歐姆、75歐姆隔層參考，USB接口差分90歐姆，RS485串口差分120歐姆。（2）傳遞《PCBLayout業務資料及要求》中的工藝要求、層疊排布信息和阻抗要求至工藝工程師，由工藝工程師生成《PCB加工工藝要求說明書》，基于以下幾點進行說明：信號層夾在電源層和地層之間時,信號層靠近地層。差分間距≤2倍線寬。相鄰信號層間距拉大。阻抗線所在的層號。（3）檢查《PCB加工工藝要求說明書》信息是否有遺漏，錯誤，核對無誤后再與客戶進行確認。PCB設計的基礎流程是什么？鄂州高...

整板布線，1）所有焊盤必須從中心出線,線路連接良好，（2）矩形焊盤出線與焊盤長邊成180度角或0度角出線，焊盤內部走線寬度必須小于焊盤寬度，BGA焊盤走線線寬不大于焊盤的1/2，走線方式，（3）所有拐角處45度走線，禁止出現銳角和直角走線，（4）走線到板邊的距離≥20Mil，距離參考平面的邊沿滿足3H原則，（5）電感、晶體、晶振所在器件面區域內不能有非地網絡外的走線和過孔。（6）光耦、變壓器、共模電感、繼電器等隔離器件本體投影區所有層禁止布線和鋪銅。（7）金屬殼體正下方器件面禁止有非地網絡過孔存在，非地網絡過孔距離殼體1mm以上。（8）不同地間或高低壓間需進行隔離。（9）差分線需嚴格按照工藝計...

SDRAM各管腳功能說明：1、CLK是由系統時鐘驅動的，SDRAM所有的輸入信號都是在CLK的上升沿采樣，CLK還用于觸發內部計數器和輸出寄存器；2、CKE為時鐘使能信號，高電平時時鐘有效，低電平時時鐘無效，CKE為低電平時SDRAM處于預充電斷電模式和自刷新模式。此時包括CLK在內的所有輸入Buffer都被禁用，以降低功耗，CKE可以直接接高電平。3、CS#為片選信號，低電平有效，當CS#為高時器件內部所有的命令信號都被屏蔽，同時，CS#也是命令信號的一部分。4、RAS#、CAS#、WE#分別為行選擇、列選擇、寫使能信號，低電平有效，這三個信號與CS#一起組合定義輸入的命令。5、DQML，D...