基本結構芯片層面:IGBT模塊內部主要包含IGBT芯片和FWD芯片。IGBT芯片是部分,它由輸入級的MOSFET(金屬-氧化物-半導體場效應晶體管)和輸出級的雙極型晶體管(BJT)組成,結合了MOSFET的高輸入阻抗、低驅動功率和BJT的低導通壓降、大電流處理能力的優點。FWD芯片則主要用于提供反向電流通路,在電路中起到續流等作用,防止出現反向電壓損壞IGBT等情況。封裝層面:通常采用多層結構進行封裝。內層是芯片,通過金屬鍵合線將芯片的電極與封裝內部的引線框架連接起來,實現電氣連接。然后,使用絕緣材料將芯片和引線框架進行隔離,保證電氣絕緣性能。外部則是塑料或陶瓷等材質的外殼,起到保護內部芯片和引線框架的作用,同時也便于安裝和固定在電路板或其他設備上。斯達半導和士蘭微是國內IGBT行業的領銜企業。楊浦區變頻器igbt模塊
新能源領域:
電動汽車:IGBT模塊是電動汽車電機控制器、車載空調、充電樁等設備的重要元器件,負責將電池輸出的直流電轉換為交流電,驅動電機運轉,提升車輛性能和能效。
新能源發電:在光伏逆變器和風力發電變流器中,IGBT模塊將直流電轉換為符合電網要求的交流電,提高發電效率和電能質量。
儲能系統:IGBT模塊控制電池的充放電過程,保障儲能系統的穩定性和可靠性,提升新能源電力的消納能力。
軌道交通領域:IGBT模塊應用于電力機車、地鐵、輕軌等軌道交通車輛的牽引變流器和輔助電源系統中,實現電能的轉換和控制,為車輛提供動力和輔助電源,保障安全穩定運行。 楊浦區變頻器igbt模塊IGBT模塊提供多樣化的封裝選擇和電流規格,滿足不同應用需求。
變頻壓縮機驅動:冰箱的變頻壓縮機同樣依賴 IGBT 模塊進行驅動。冰箱在運行過程中,內部溫度會隨著開門次數、儲存物品等因素發生變化。IGBT 模塊可以根據冰箱內的實際溫度情況,靈活調整壓縮機的轉速。當冰箱內溫度波動較小時,壓縮機低速運行,降低能耗;當需要快速降溫時,壓縮機高速運轉,確保食品的保鮮效果。延長使用壽命:由于 IGBT 模塊實現了壓縮機的平穩運行,減少了壓縮機啟動和停止時的沖擊,降低了機械磨損,從而延長了壓縮機和冰箱的使用壽命。
按應用特性:
普通型 IGBT 模塊:包括多個 IGBT 芯片和反并聯二極管,適用于低電壓、低頻率的應用,如交流驅動器、直流電源等,能滿足一般的電力變換和控制需求。
高壓型 IGBT 模塊:具有較高的耐壓能力,用于高電壓、低頻率的應用,如高壓直流輸電、大型變頻器等,可承受數千伏甚至更高的電壓。
高速型 IGBT 模塊:采用特殊的結構和設計,適用于高頻率、高速開關的應用,如電源逆變器、空調壓縮機等,能夠在短時間內完成多次開關動作,開關頻率可達到幾十千赫茲甚至更高。
雙極性 IGBT 模塊:由兩個反向并聯的 IGBT 芯片組成,可用于交流電源、直流電源等雙向開關應用,能夠實現電流的雙向流動,常用于需要雙向功率傳輸的電路中,如電動汽車的充電和放電電路。
IGBT模塊內部搭建IGBT芯片單元的并串聯結構,改變電流方向和頻率。
結合MOSFET和BJT優點:IGBT是一種復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR(雙極功率晶體管)的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。
電壓型控制:輸入阻抗大,驅動功率小,控制電路簡單,開關損耗小,通斷速度快,工作頻率高,元件容量大。
IGBT模塊封裝過程中焊接技術影響運行時的傳熱性。標準一單元igbt模塊
IGBT模塊封裝對底板進行加工設計,提高熱循環能力。楊浦區變頻器igbt模塊
組成與結構:IGBT模塊通常由多個IGBT芯片、驅動電路、保護電路、散熱器、連接器等組成。通過內部的絕緣隔離結構,IGBT芯片與外界隔離,以防止外界的干擾和電磁干擾。同時,模塊內部的驅動電路和保護電路可以有效地控制和保護IGBT芯片,提高設備的可靠性和安全性。
特性與優勢:
低導通電阻與高開關速度:IGBT結合了MOSFET和BJT的特性,具有低導通電阻和高開關速度的優點,同時也具有BJT器件高電壓耐受性和電流承載能力強的特點,非常適合用于直流電壓600V及以上的變流系統。高集成度與模塊化:IGBT模塊采用IC驅動、各種驅動保護電路、高性能IGBT芯片和新型封裝技術,從復合功率模塊PIM發展到智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB、電力模塊IPEM,智能化、模塊化成為其發展熱點。高效節能與穩定可靠:IGBT模塊具有節能、安裝維修方便、散熱穩定等特點,能夠提高用電效率和質量,是能源變換與傳輸的主要器件,俗稱電力電子裝置的“CPU”。 楊浦區變頻器igbt模塊