天津快恢復二極管MUR3040CTR

來源: 發布時間:2024-07-12

二極管質量的好壞取決于芯片工藝。目前,行業內使用的二極管芯片工藝主要有兩種:玻璃鈍化(GPP)和酸洗(OJ)。二極管的GPP工藝結構,其芯片P-N結是在鈍化玻璃的保護之下。玻璃是將玻璃粉采用800度左右的燒結熔化,冷卻后形成玻璃層。這玻璃層和芯片熔為一體,無法用機械的方法分開。而二極管的OJ工藝結構,其芯片P-N結是在涂膠的保護之下。采用涂膠保護結,然后在200度左右溫度進行固化,保護P-N結獲得電壓。OJ的保護膠是覆蓋在P-N結的表面。玻璃鈍化(GPP)和酸洗(OJ)特性對比玻璃鈍化(GPP)和酸洗(OJ)芯片工藝由于結構的不同,當有外力產生時,冷熱沖擊,OJ工藝結構的二極管,由于保護膠和硅片不貼合,會產生漏氣,導致器件出現一定比率的失效。GPP工藝結構的TVS二極管,可靠性很高,在150度的HTRB時,表現仍然很出色;而OJ工藝的產品能夠承受100度左右的HTRB。快恢復二極管常州市國潤電子有限公司 服務值得放心。天津快恢復二極管MUR3040CTR

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快恢復二極管(簡稱FRD)是一種具有開關特性好、反向恢復時間短特點的半導體二極管,主要應用于開關電源、PWM脈寬調制器、變頻器等電子電路中,作為高頻整流二極管、續流二極管或阻尼二極管使用。 快恢復二極管的內部結構與普通PN結二極管不同,它屬于PIN結型二極管,即在P型硅材料與N型硅材料中間增加了基區I,構成PIN硅片。因基區很薄,反向恢復電荷很小,所以快恢復二極管的反向恢復時間較短,正向壓降較低,反向擊穿電壓(耐壓值)較高。采用TO–220或TO–3P封裝的大功率快恢復二極管,有單管和雙管之分。雙管的管腳引出方式又分為共陽和共陰。

   20世紀80年代初,絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和功率M0S場效應管(P0WERM0SFET)的研制成功,并得到急劇發展和商業化,這不僅對電力電子逆變器向高頻化發展提供了堅實的器件基礎,同時,為用電設備高頻化(20kHz以上)和高頻設備固態化,為高效、節電、節材,實現機電體化,小型輕量化和智能化提供了重要的技術基礎。與此同時,給IGBT,功率MOSFET等高頻逆變裝置配套的、且不可缺少的FRED也得到了很快的發展。因為,隨著裝置工作開關頻率的提高,若沒有FRED給高頻逆變裝置的開關器件作續流、吸收、箝位、隔離輸出整流器和輸入整流器。那么IGBT、功率MOSFET、IGCT等開關器件就不能發揮它們的功能和獨特作用,這是由于FRED的關斷特性參數(反向恢復時間trr、反向恢復電荷Qrr,反向峰值電流IRM)的作用所致,合適參數的FRED與高頻開關器件的協調工作。使高頻逆變電路內因開關器件換相所引起的過電壓尖峰,高頻干擾電壓以及EMI降低,使開關器件的功能得到充分發揮,FRED模塊現已批量在大功率開關電源、高頻逆變電焊機、高頻逆變開關型電鍍電源、高頻快速充電器以及高頻調速裝置等場合使用,結果非常令人滿意。本文將簡要介紹該FRED模塊的工藝結構,技術參數。快恢復二極管 ,就選常州市國潤電子有限公司,用戶的信賴之選,有需求可以來電咨詢!

   應用場合以及選用時應注意的問題等供廣大使用者參考。2.快恢復二極管模塊工藝結構和特點圖1超快恢復二極管模塊內部電路連接圖本模塊是由二個或二個以上的FRED芯片按一定的電路(見圖1)連成后共同封裝在一個PPS(加有40%的玻璃纖維)外殼內制成,模塊分絕緣型(模塊銅底板對各主要電極的絕緣耐壓Uiso≥)和非絕緣型二種,其特點(1)采用高、低溫氫(H2)、氮(N2)混合氣體保護的隧道爐和熱板爐二次焊接工藝,使焊接溫度、焊接時間和傳送帶速度之間有較好的匹配,并精確控制升溫速度、恒溫時同和冷卻速度,使焊層牢固,幾乎沒有空洞,從而降低了模塊熱阻、保證模塊出力,根據模塊電流的大小,采用直接焊接或鋁絲超聲鍵合等方法引出電極,用RTV橡膠、及組份彈性硅凝膠和環氧樹脂等三重保護,又加采用玻璃鈍化保護的、不同結構的進口FRED芯片,使模塊防潮、防震,工作穩定。(2)銅底板預彎技術:模塊采用了高導熱、高絕緣、機械強度高和易焊接,且熱膨脹系數很接近硅芯片的氮化鋁陶瓷覆銅板(ALNDBC板),使焊接后各材料內應力低,熱阻小,并避免了芯片因應力而破裂。為了解決銅底板與DBC板間的焊接問題,除采用銅銀合金外。并在焊接前對銅底板進行一定弧度的預彎。如圖2(a),焊后如圖2(b)。快恢復二極管 ,就選常州市國潤電子有限公司,讓您滿意,歡迎新老客戶來電!北京快恢復二極管MUR2040CT

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