PA）用量翻倍增長：PA是一部手機關鍵的器件之一，它直接決定了手機無線通信的距離、信號質量，甚至待機時間，是整個射頻系統中除基帶外重要的部分。手機里面PA的數量隨著2G、3G、4G、5G逐漸增加。以PA模組為例，4G多模多頻手機所需的PA芯片為5-7顆，預測5G手機內的PA芯片將達到16顆之多。5G手機功率放大器（PA）單機價值量有望達到：同時，PA的單價也有提高，2G手機用PA平均單價為，3G手機用PA上升到，而全模4G手機PA的消耗則高達，預計5G手機PA價值量達到。載波聚合與MassivieMIMO對PA的要求大幅增加。一般情況下，2G只需非常簡單的發射模塊，3G需要有3G的功率放大器，4G要求更多濾波器和雙工器載波器，載波聚合則需要有與前端配合的多工器，上行載波器的功率放大器又必須重新設計來滿足線性化的要求。5G無線通信前端將用到幾十甚至上百個通道，要求網絡設備或者器件供應商能夠提供全集成化的解決方案，這增加了產品設計的復雜度，無論對器件解決方案還是設備解決方案提供商都提出了很大技術挑戰。GaAs射頻器件仍將主導手機市場5G時代，GaAs材料適用于移動終端。GaAs材料的電子遷移率是Si的6倍，具有直接帶隙，故其器件相對Si器件具有高頻、高速的性能。由于功率放大器的源和負載都是50歐姆，輸入匹配電路和輸出匹配 電路主要是對一端是50歐姆。四川射頻功率放大器設備
第六電容的第二端連接第二開關的端，第二開關的第二端連接第五電阻的端，第五電阻的第二端連接第五電容的端，第五電容的第二端和第三電容的第二端連接第二電感的第二端；其中，第二開關，用于響應微處理器發出的第七控制信號使自身處于關斷狀態，以降低反饋深度，實現射頻功率放大器電路處于非負增益模式；還用于響應第八控制信號使自身處于導通狀態，以增加反饋深度，實現射頻功率放大器電路處于負增益模式。需要說明的是，假設射頻功率放大器電路在未加入反饋電路時的放大系數為a，反饋電路的反饋系數為f，則加入反饋電路后射頻功率放大器電路100的放大系數af＝a/(1+af)，隨著反饋電路中等效電阻阻值的降低，反饋系數f變大，反饋深度增加，放大系數af變小，有利于射頻功率放大器電路實現負增益模式。其中，第四電阻的阻值大于第五電阻的阻值。第二開關響應微處理器發出的第七控制信號使自身處于關斷狀態，以降低反饋深度，從而使射頻功率放大器電路實現非負增益模式；第二開關響應微處理器發出的第八控制信號使自身處于導通狀態，以增加反饋深度，從而使射頻功率放大器電路實現負增益模式。在一些實施例中，反饋電路還可如圖6所示。上海使用射頻功率放大器服務電話在射頻／微波 IC中一般用方形螺旋電感。
用于放大所述級間匹配電路輸出的信號；所述輸出匹配電路，用于使所述射頻功率放大器電路和后級電路之間阻抗匹配。本申請實施例中，通過射頻功率放大器電路中的可控衰減電路、反饋電路、驅動放大電路、功率放大電路等電路對輸入信號進行處理，實現射頻功率放大器電路的負增益模式與非負增益模式之間的切換，電路結構簡單，能有效的降低硬件成本。附圖說明圖1a為本發明實施例提供的相關技術中射頻功率放大器電路的組成結構示意圖；圖1b為本發明實施例提供的相關技術中射頻功率放大器電路的電路結構示意圖；圖2a為本發明實施例提供的射頻功率放大器電路的組成結構示意圖；圖2b為本發明實施例提供的射頻功率放大器電路的電路結構示意圖圖3為本發明實施例提供的可控衰減電路的示意圖；圖4為本發明實施例提供的可控衰減電路的示意圖；圖5a為本發明實施例提供的可控衰減電路和輸入匹配電路的示意圖；圖5b為本發明實施例提供的可控衰減電路和輸入匹配電路的示意圖；圖6為本發明實施例提供的反饋電路的示意圖；圖7為本發明實施例提供的偏置電路的示意圖；圖8為本發明實施例提供的可控衰減電路的等效示意圖；圖9為本發明實施例提供的可控衰減電路的的示意圖。
控制信號vgg通過電阻與開關連接，同時通過備用電阻與備用開關連接。備用電阻的參數與電阻的參數相同，二者都是作為上拉電阻給開關供電。備用開關的參數與開關的參數相同，開關和備用開關的寄生電阻皆為單開關的寄生電阻值ron的一半，因此雙開關的整體寄生電阻值與單開關的寄生電阻值相同。開關和備用開關的控制邏輯相同：非負增益模式下，開關和備用開關同時關斷；負增益模式下，開關和備用開關同時打開，不需要考慮電阻r1和備用電阻rn。其中，開關和備用開關均為n型mos管，其具體的類型可以是絕緣體上硅mos管，也可以是平面結構mos管。可見，在本申請實施例中，因為使用了疊管設計，將開關和備用開關疊加，使得mos管的耐壓能力和靜電釋放能力提升，相對于單mos管，能在大電流下更好的保護開關和備用開關，使其不被損壞。在一個可能的示例中，輸入匹配電路101包括第三電阻r3、電容c1和第二電感l2，第二電感的端連接第二電阻的第二端，第二電感的第二端連接電容的端，電容的第二端連接第三電阻的端。在圖9中，假設輸入端的輸入阻抗zin＝r0-jx0，可控衰減電路的等效阻抗為z20＝r20+jx20，輸入匹配電路的等效阻抗為z30＝r30+jx30，為了實現z20和zin的共軛匹配。功放中使用電感器一般有直線電感、折線電感、單環電感和螺旋電感等。
本發明實施例的技術方案具有以下有益效果：增加輔次級線圈可以在不影響初級線圈和主次級線圈的前提下增加輸入到輸出的能量耦合路徑，減小耦合系數k值較小對阻抗變換的影響。根據初級線圈和主次級線圈的k值等參數，選擇合適的輔次級線圈的大小和k值可以有效提高功率合成變壓器的阻抗變換工作頻率范圍，降低功率合成變壓器損耗。此外，將功率合成變壓器的主次級線圈和輔次級線圈以及匹配濾波電路協同設計，能夠進一步提高射頻功率放大器的寬帶阻抗變換和濾波性能。附圖說明圖1是本發明實施例中的一種射頻功率放大器的電路結構圖；圖2是本發明實施例中的另一種射頻功率放大器的電路結構圖；圖3是本發明實施例中的又一種射頻功率放大器的電路結構圖；圖4是本發明實施例中的再一種射頻功率放大器的電路結構圖；圖5是本發明實施例中的又一種射頻功率放大器的電路結構圖；圖6是本發明實施例中的再一種射頻功率放大器的電路結構圖；圖7是本發明實施例中的又一種射頻功率放大器的電路結構圖。具體實施方式如上所述，現有技術中，采用普通結構變壓器實現功率合成和阻抗變換的pa，只采用變壓器及其輸入輸出匹配電容。這種結構優點是結構相對簡單，缺點是難以實現寬帶功率放大器。功率放大器按照工作狀態分為線性放大和非線性放大兩種非線性放大器 效率比較高而線性放大器的效率比較低。重慶射頻功率放大器標準
隨著無線通信/雷達通信系統的發展對固態功率放大器提出了新 的要求：大功率輸出、高效率、高線性度、高頻率.四川射頻功率放大器設備
Microsemi的產品包括元器件和集成電路解決方案等，可通過改善性能和可靠性、優化電池、減小尺寸和保護電路而增強客戶的設計能力。Microsemi公司所服務的主要市場包括植入式醫療機構、防御/航空和衛星、筆記本電腦、監視器和液晶電視、汽車和移動通信等應用領域。Microsemi在發展過程中收購了多家公司，包括熟知的Actel，Zarlink，Vitesee。Microsemi的WiFiPA產品線型號較多，也多次出現在Atheros早期的參考設計中，近期的參考設計就很少出現了。MicrosemiWiFiFrontendModulePartNumberFreq(GHz)Vin(V)Iq(mA)PALNASwitchGainPout(dBM)Pout(dBM)GainNoiseIP3(dB)@3%EVM@(dB)(dB)(dBM)LX5541LL902719N/A1325NoLX5543LU822517N/AN/AN/AN/ASP3TLX5551LQ902618N/AN/AN/AN/ASPDTLX5552LU802617N/A25SPDTLX5553LU822517N/A135SP3TLX5586ALLSPDTLX5586HLLSPDTMicrosemiWiFi***/NFreqGainVinPout(dBM)Pout(dBM)Currentat(GHz)(dB)(V)@3%EVM@3%EVM(mA)LX5511LQ2620N/A170LX5514LL2820N/A145LX5535LQ32–522N/A275LX5518LQ32–526N/A390LX5530LQ528–523NA360LX5531LQ532–52523350如果沒記錯的話，LX5511+LX5530出現在AtherosAP96低功率版本參考設計中。四川射頻功率放大器設備
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