控制信號vgg通過電阻與開關連接，同時通過備用電阻與備用開關連接。備用電阻的參數與電阻的參數相同，二者都是作為上拉電阻給開關供電。備用開關的參數與開關的參數相同，開關和備用開關的寄生電阻皆為單開關的寄生電阻值ron的一半，因此雙開關的整體寄生電阻值與單開關的寄生電阻值相同。開關和備用開關的控制邏輯相同：非負增益模式下，開關和備用開關同時關斷；負增益模式下，開關和備用開關同時打開，不需要考慮電阻r1和備用電阻rn。其中，開關和備用開關均為n型mos管，其具體的類型可以是絕緣體上硅mos管，也可以是平面結構mos管。可見，在本申請實施例中，因為使用了疊管設計，將開關和備用開關疊加，使得mos管的耐壓能力和靜電釋放能力提升，相對于單mos管，能在大電流下更好的保護開關和備用開關，使其不被損壞。在一個可能的示例中，輸入匹配電路101包括第三電阻r3、電容c1和第二電感l2，第二電感的端連接第二電阻的第二端，第二電感的第二端連接電容的端，電容的第二端連接第三電阻的端。在圖9中，假設輸入端的輸入阻抗zin＝r0-jx0，可控衰減電路的等效阻抗為z20＝r20+jx20，輸入匹配電路的等效阻抗為z30＝r30+jx30，為了實現z20和zin的共軛匹配。由于進行大功率放大設計，電路必然產生許多諧波，匹配電路還需要有濾 波功能。陜西定制開發射頻功率放大器電話多少
LDMOS增益曲線較平滑并且允許多載波射頻信號放大且失真較小。LDMOS管有一個低且無變化的互調電平到飽和區，不像雙極型晶體管那樣互調電平高且隨著功率電平的增加而變化，這種主要特性因此允許LDMOS晶體管執行高于雙極型晶體管的功率，且線性較好。LDMOS晶體管具有較好的溫度特性溫度系數是負數，因此可以防止熱耗散的影響。由于以上這些特點，LDMOS特別適用于UHF和較低的頻率，晶體管的源極與襯底底部相連并直接接地，消除了產生負反饋和降低增益的鍵合線的電感的影響，因此是一個非常穩定的放大器。LDMOS具有的高擊穿電壓和與其它器件相比的較低的成本使得LDMOS成為在900MHz和2GHz的高功率基站發射機中的優先。LDMOS晶體管也被應用于在80MHz到1GHz的頻率范圍內的許多EMC功率放大器中。在GHz輸出功率超過100W的LDMOS器件已經存在，半導體制造商正在開發頻率范圍更高的，可工作在GHz及以上的高功率LDMOS器件。砷化鎵金屬半導體場效應晶體管（GaAsMESFET）砷化鎵（galliumarsenide），化學式GaAs，是一種重要的半導體材料。屬于Ⅲ－Ⅴ族化合物半導體，具有高電子遷移率(是硅的5到6倍)，寬的禁帶寬度（硅是），噪聲低等特點，GaAs比同樣的Si元件更適合工作在高頻高功率的場合。遼寧低頻射頻功率放大器隨著無線通信/雷達通信系統的發展對固態功率放大器提出了新 的要求：大功率輸出、高效率、高線性度、高頻率.
本申請涉及射頻處理技術領域，具體涉及一種移動終端射頻功率放大器檢測方法及裝置。背景技術：通話是移動終端的為基本的功能之一，射頻功率放大器(rfpa)是發射系統中的主要部分，其重要性不言而喻。在發射機的前級電路中，調制振蕩電路所產生的射頻信號功率很小，需要經過一系列的放大(緩沖級、中間放大級、末級功率放大級)獲得足夠的射頻功率以后，才能饋送到天線上輻射出去。為了獲得足夠大的射頻輸出功率，必須采用射頻功率放大器。在調制器產生射頻信號后，射頻已調信號就由射頻放大器將它放大到足夠功率，經匹配網絡，再由天線發射出去。由于現有技術中的所支持的射頻頻段眾多，每個頻段所使用的射頻功率放大器配置可能有所差異，雖然由移動終端的軟件寫入了相關的配置指令，由于指令發出總是存在先后關系，在現有技術中往往需要在配置頻段時在所有射頻功率放大器啟動指令發出后再延遲一個時間(例如)認為已經配置完成，再進行下一步操作。例如，在第，此時需要向4個依次射頻功率放大器發出啟動指令，然后等待，開始下一步操作，但其實這個，很可能在。因此，現有技術存在缺陷，有待改進與發展。技術實現要素：本申請實施例提供一種移動終端射頻功率放大器檢測方法。
是為了便于描述本申請和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構造和操作，因此不能理解為對本申請的限制。此外，術語“”、“第二”、“第三”用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性。在本申請的描述中，需要說明的是，除非另有明確的規定和限定，術語“安裝”、“相連”、“連接”應做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是機械連接，也可以是電氣連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，還可以是兩個元件內部的連通，可以是無線連接，也可以是有線連接。對于本領域的普通技術人員而言，可以具體情況理解上述術語在本申請中的具體含義。此外，下面所描述的本申請不同實施方式中所涉及的技術特征只要彼此之間未構成就可以相互結合。請參考圖1，其示出了本申請實施例提供的一種高線性射頻功率放大器的結構示意圖。該高線性射頻功率放大器包括功率放大器、激勵放大器、匹配網絡和自適應動態偏置電路。自適應動態偏置電路用于根據輸入功率等級調節功率放大器的輸出柵極偏置電壓。功率放大器通過匹配網絡和激勵放大器連接射頻輸入端rfin。射頻功率放大器(RF PA)是發射系統中的主要部分。
橫坐標為輸出功率pout，曲線41對應自適應動態偏置電路提供給共柵放大器的柵極偏置電壓，曲線42對應自適應動態偏置電路提供給共源放大器的柵極偏置電壓。圖5示例性地示出了本申請實施例提供的高線性射頻功率放大器對應的imd3(thirdorderintermodulation，三階互調)曲線圖51，以及現有的射頻功率放大器對應的imd3曲線圖52，根據曲線51和曲線52，可以看出本申請實施例提供的高線性射頻功率放大器的imd3得到了提高(增幅為△imd3)，橫坐標為輸出功率pout。顯然，上述實施例是為清楚地說明所作的舉例，而并非對實施方式的限定。對于所屬領域的普通技術人員來說，在上述說明的基礎上還可以做出其它不同形式的變化或變動。這里無需也無法對所有的實施方式予以窮舉。而由此所引伸出的顯而易見的變化或變動仍處于本申請創造的保護范圍之中。AM失真，它與晶體管是否工作于飽和區密切相關。浙江射頻功率放大器咨詢報價
匹配電路是放大器設計中關鍵一環，可以說放大設計主要是匹配設計。陜西定制開發射頻功率放大器電話多少
且串聯電感的個數比到地電容的個數多1。在具體實施中，當lc匹配電路為兩階匹配濾波電路時，參照圖4，給出了本發明實施例中的再一種射頻功率放大器的電路結構圖。圖4中，lc匹配濾波電路包括第四電感l4以及第四電容c4，其中：第四電感l4的端與主次級線圈121的第二端耦接，第四電感l4的第二端與射頻功率放大器的輸出端output耦接；第四電容c4的端與第四電感l4的第二端耦接，第四電容c4的第二端接地。參照圖5，給出了本發明實施例中的又一種射頻功率放大器的電路結構圖。與圖4相比，圖5中，lc匹配濾波電路還包括第五電感l5以及第六電感l6，其中：第五電感l5串聯在第四電容c4的第二端與地之間，第六電感l6串聯在第四電容c4的端與射頻功率放大器的輸出端output之間。參照圖6，給出了本發明實施例中的再一種射頻功率放大器的電路結構圖。與圖5相比，lc匹配濾波電路還可以包括第五電容c5、第七電感l7以及第八電感l8，其中：第五電容c5的端與第六電感l6的第二端耦接，第五電容c5的第二端與第七電感l7的端耦接；第七電感l7的端與第五電容c5的第二端耦接，第七電感l7的第二端接地；第八電感l8的端與第五電容c5的端耦接，第八電感l8的第二端與射頻功率放大器的輸出端output耦接。陜西定制開發射頻功率放大器電話多少
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