IPP是ESD保護二極管本身損壞之前可以分流的峰值脈沖電流。電壓低于工作峰值反向電壓時,ESD保護二極管阻抗非常高。(即使施加工作峰值反向電壓,也只有小于規定漏電流的電流流過。)設計師可以用這個參數作為指導,確保其高于被保護信號線的最大工作電壓。CT是在指定反向電壓和頻率下施加小信號時,二極管端子上的等效電容??傠娙菔嵌O管的結電容與其封裝的寄生電容之和。結電容隨反向電壓的增加而減少。動態電阻是指ESD保護二極管隨著反向電壓的增加反向擊穿時,VBR與VC之間VF–IF 曲線的電流斜率。下面描述的動態電阻和鉗位電壓表示ESD保護二極管的ESD性能。ESD 保護二極管可以在靜電放電瞬間迅速導通,將靜電電流引導到地,從而保護電子設備中的敏感元件。安徽新型ESD保護二極管SR05D3BL
***比較大額定值指任何條件下,即使瞬間也不得超過的比較高值。如果施加的應力超過規定的額定值,器件可能會長久損壞。不得超過任何***比較大額定值。因此,應注意電源電壓波動、電子器件電氣特性變化、電路調整過程中應力可能高于比較大額定值、環境溫度變化、輸入信號波動等情況。應考慮的主要額定值包括ESD保護二極管的ESD容限、峰值脈沖功率、結溫和存儲溫度。這些參數相互關聯,不能單獨考慮。它們還取決于外部電路條件。盡管***比較大額定值通常規定的環境溫度(Ta)為25°C,但有些規定參數溫度條件不同。南京定制ESD保護二極管SR12D3BL近期價格低漏電流:即使施加工作峰值反向電壓,也只有小于規定漏電流的電流流過,確保電路的穩定性。
低動態電阻(RDYN)低鉗位電壓(VC)和***峰值電壓ESD保護二極管吸收不同極性ESD脈沖工作原理 ,ESD保護二極管兩端電壓接近反向擊穿電壓(VBR)時,漏電流增加。電壓接近VBR時,漏電流可能使保護信號線的波形失真。反向電流(IR)隨反向電壓(VR)成指數增長。選擇VRWM高于被保護信號線振幅的ESD保護二極管非常重要。二極管在正常工作期間不導通。此時,pn結交界面形成耗盡層,耗盡層在電氣上起電容的作用。因此,除非在考慮被保護信號線頻率的基礎上,正確選擇ESD保護二極管,否則信號質量會下降。
反向擊穿電壓是ESD保護二極管在規定條件下(通常定義為1mA,盡管因器件而異)開始傳導規定量電流時的電壓。VBR**初是為齊納二極管定義的參數。VBR定義為ESD保護二極管導通電壓。反向電流是ESD保護二極管在規定電壓下反向偏置時,反向流動的漏電流。對于ESD保護二極管,IR按工作峰值反向電壓(VRWM)定義。鉗位電壓是ESD保護二極管指定峰值脈沖電流條件下比較大鉗制電壓。VC通常在多個峰值脈沖電流點測量。如第6節(圖6.1)所示,峰值脈沖電流使用8/20μs波形。動態電阻和鉗位電壓**ESD保護二極管的ESD性能。采用低電容二極管,可以很好地降低靜電放電的電壓峰值。
由于ESD保護二極管反向連接,正常工作時,其兩端電壓低于反向擊穿電壓(VBR)。因此,ESD保護二極管正常工作時不導通。此時,pn結形成耗盡層,二極管起電容器作用。選擇ESD保護二極管時,以下三個注意事項適用于正常工作狀態:ESD保護二極管反向擊穿電壓(VBR)是否充分高于被保護信號線的振幅(最大電壓)ESD保護二極管總電容(CT)相對于受保護信號線的頻率是否足低,信號極性(即信號電壓是否像模擬信號一樣跨GND電位),當靜電放電(ESD)進入系統時,ESD保護二極管要么導通,要么反向擊穿。單向ESD保護二極管通過正ESD電擊時反向擊穿,負ESD電擊時導通吸收ESD能量。瞬態電壓抑制二極管(TVS):能夠在極短的時間內導通,吸收高能量的靜電脈沖。南京常規ESD保護二極管SR12D3BL怎么樣
ESD保護二極管需要具備極快的響應時間,通常要求在納秒(ns)級別內對靜電事件作出反應。安徽新型ESD保護二極管SR05D3BL
低電容二極管1和二極管2(電容分別為C1和C2)和高電容二極管3(電容為C3)。二極管1和二極管2的pn結面積 小,反向擊穿電壓(VBR)高,而二極管3的pn結面積大,并且有足夠大的反向擊穿電壓(VBR)。加到陽極的ESD電流沿正向流過二極管1,加到陰極的ESD電流沿正向流過二極管2,然后反向流過二極管3,因為二極管3的VBR低于二極管1。通常,二極管反向ESD能量耐受性低于正向。由于二極管1和二極管2的pn結面積較小,因此它們的反向ESD能量耐受性更差。然而,ESD保護二極管配置如圖3.5(a)所示時,ESD電流不會反向流過二極管1和二極管2。因此,這個電路整體上提高了ESD抗擾度。圖3.5(b)顯示這個ESD保護二極管的等效電容電路。低電容二極管2和高電容二極管3串聯,可以減小組合電容。此外,由于該電路VBR由二極管3的VBR決定,因此可以根據被保護的信號線調整二極管3的VBR,從而提高ESD抗擾度。安徽新型ESD保護二極管SR05D3BL