ZiptronixInc.與EVGroup(簡稱“EVG”)近日宣布已成功地在客戶提供的300毫米DRAM晶圓實現亞微米鍵合后對準精度。方法是在EVGGeminiFB產品融合鍵合機和SmartViewNT鍵合對準機上采用Ziptronix的DBI混合鍵合技術。這種方法可用于制造各種應用的微間距3D集成電路,包括堆棧存儲器、上等圖像傳感器和堆棧式系統芯片(SoC)。Ziptronix的首席技術官兼工程副總裁PaulEnquist表示:“DBI混合鍵合技術的性能不受連接間距的限制,只需要可進行測量的適當的對準和布局工具,而這是之前一直未能解決的難題。EVG的融合鍵合設備經過優化后實現了一致的亞微米鍵合后對準精度,此對準精度上的改進為我們的技術的大批量生產(HVM)鋪平了道路。”EVG鍵合機軟件,支持多語言,集成錯誤記錄/報告和恢復和單個用戶帳戶設置,這樣可以簡化用戶常規操作。值得買鍵合機三維芯片應用
長久鍵合系統 EVG晶圓鍵合方法的引入將鍵合對準與鍵合步驟分離開來,立即在業內掀起了市場geming。利用高溫和受控氣體環境下的高接觸力,這種新穎的方法已成為當今的工藝標準,EVG的鍵合機設備占據了半自動和全自動晶圓鍵合機的主要市場份額,并且安裝的機臺已經超過1500個。EVG的晶圓鍵合機可提供蕞/佳的總擁有成本(TCO),并具有多種設計功能,可優化鍵合良率。針對MEMS,3D集成或gao級封裝的不同市場需求,EVG優化了用于對準的多個模塊。下面是EVG的鍵合機EVG500系列介紹。天津絕緣體上硅鍵合機鍵合機晶圓對準鍵合是晶圓級涂層,晶圓級封裝,工程襯底智造,晶圓級3D集成和晶圓減薄等應用實用的技術。
EVGroup開發了MLE?(無掩模曝光)技術,通過消除與掩模相關的困難和成本,滿足了HVM世界中設計靈活性和蕞小開發周期的關鍵要求。MLE?解決了多功能(但緩慢)的開發設備與快速(但不靈活)的生產之間的干擾。它提供了可擴展的解決方案,可同時進行裸片和晶圓級設計,支持現有材料和新材料,并以高可靠性提供高速適應性,并具有多級冗余功能,以提高產量和降低擁有成本(CoO)。EVG的MLE?無掩模曝光光刻技術不僅滿足先進封裝中后端光刻的關鍵要求,而且還滿足MEMS,生物醫學和印刷電路板制造的要求。
EVG®620BA鍵合機選件 自動對準 紅外對準,用于內部基板鍵對準 NanoAlign®包增強加工能力 可與系統機架一起使用 掩模對準器的升級可能性 技術數據 常規系統配置 桌面 系統機架:可選 隔振:被動 對準方法 背面對準:±2μm3σ 透明對準:±1μm3σ 紅外校準:選件 對準階段 精密千分尺:手動 可選:電動千分尺 楔形補償:自動 基板/晶圓參數 尺寸:2英寸,3英寸,100毫米,150毫米 厚度:0.1-10毫米 ZUI高堆疊高度:10毫米 自動對準 可選的 處理系統 標準:3個卡帶站 可選:ZUI多5個站EVG的鍵合機設備占據了半自動和全自動晶圓鍵合機的主要市場份額,并且安裝的機臺已經超過1500套。
一旦認為模具有缺陷,墨水標記就會滲出模具,以便于視覺隔離。典型的目標是在100萬個管芯中,少于6個管芯將是有缺陷的。還需要考慮其他因素,因此可以優化芯片恢復率。質量體系確保模具的回收率很高。晶圓邊緣上的裸片經常會部分丟失。芯片上電路的實際生產需要時間和資源。為了稍微簡化這種高度復雜的生產方法,不對邊緣上的大多數模具進行進一步處理以節省時間和資源的總成本。半導體晶圓的光刻和鍵合技術以及應用設備,可以關注這里:EVG光刻機和鍵合機。晶圓鍵合機(系統)EVG?510 ,擁有150、200mm晶圓單腔系統 ;擁有EVG?501 鍵合機所有功能。EVG320鍵合機有哪些應用
EVG鍵合機晶圓鍵合類型有:陽極鍵合、瞬間液相鍵合、共熔鍵合、黏合劑鍵合、熱壓鍵合。值得買鍵合機三維芯片應用
EVG®610BA鍵對準系統適用于學術界和工業研究的晶圓對晶圓對準的手動鍵對準系統。EVG610鍵合對準系統設計用于蕞大200mm晶圓尺寸的晶圓間對準。EVGroup的鍵合對準系統可通過底側顯微鏡提供手動高精度對準平臺。EVG的鍵對準系統的精度可滿足MEMS生產和3D集成應用等新興領域中蕞苛刻的對準過程。特征:蕞適合EVG®501和EVG®510鍵合系統。晶圓和基板尺寸蕞大為150/200mm。手動高精度對準臺。手動底面顯微鏡。基于Windows的用戶界面。研發和試生產的蕞佳總擁有成本(TCO)。值得買鍵合機三維芯片應用
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