氮化鎵鍵合機原理

真空系統：9x10-2mbar（標準）和9x10-3mbar（渦輪泵選件） 清潔站 清潔方式：沖洗（標準），超音速噴嘴，超音速面積傳感器，噴嘴，刷子（可選） 腔室：由PP或PFA制成（可選） 清潔介質：去離子水（標準），NH4OH和H2O2（ZUI大）。2％濃度（可選） 旋轉卡盤：真空卡盤（標準）和邊緣處理卡盤（選件），由不含金屬離子的清潔材料制成 旋轉：ZUI高3000rpm（5s） 清潔臂：蕞多5條介質線（1個超音速系統使用2條線） 可選功能 ISO3mini-environment（根據ISO14644） LowTemp?等離子活化室 紅外檢查站 以上資料由岱美儀器提供并做技術支持EVG鍵合機鍵合卡盤承載來自對準器對準的晶圓堆疊，用來執行隨后的鍵合過程。氮化鎵鍵合機原理

封裝技術對微機電系統 (micro-electro-mechanical system,MEMS) 器件尺寸及功能的影響巨大，已成為 MEMS技術發展和實用化的關鍵技術［1］。實現封裝的技術手段很多，其中較關鍵的工藝步驟就是鍵合工藝。隨著 MEMS 技術的發展，越來越多的器件封裝需要用到表面帶有微結構的硅片鍵合，然而MEMS器件封裝一般采用硅—硅直接鍵合( silicon directly bonding，SDB)  技術［2］。由于表面有微結構的硅片界面已經受到極大的損傷，其平整度和光滑度遠遠達不到SDB的要求，要進行復雜的拋光處理，這DADA加大了工藝的復雜性和降低了器件的成品率［3］。研究所鍵合機質保期多久EVG鍵合機頂部和底部晶片的獨li溫度控制補償了不同的熱膨脹系數，實現無應力鍵合和出色的溫度均勻性。

根據型號和加熱器尺寸，EVG500系列鍵合機可以用于碎片和50mm至300mm的晶圓。這些工具的靈活性非常適合中等批量生產、研發，并且可以通過簡單的方法進行大批量生產，因為鍵合程序可以轉移到EVGGEMINI大批量生產系統中。鍵合室配有通用鍵合蓋，可快速排空，快速加熱和冷卻。通過控制溫度，壓力，時間和氣體，允許進行大多數鍵合過程。也可以通過添加電源來執行陽極鍵合。對于UV固化黏合劑，可選的鍵合室蓋具有UV源。鍵合可在真空或受控氣體條件下進行。頂部和底部晶片的獨力溫度控制補償了不同的熱膨脹系數，從而實現無應力黏合和出色的溫度均勻性。在不需要重新配置硬件的情況下，可以在真空下執行SOI/SDB（硅的直接鍵合）預鍵合。

在鍵合過程中，將兩個組件的表面弄平并徹底清潔以確保它們之間的緊密接觸。然后它們被夾在兩個電極之間，加熱至752-932℃（華氏400-500攝氏度），和幾百到千伏的電勢被施加，使得負電極，這就是所謂的陰極，是在接觸在玻璃中，正極（陽極）與硅接觸。玻璃中帶正電的鈉離子變得可移動并向陰極移動，在與硅片的邊界附近留下少量的正電荷，然后通過靜電吸引將其保持在適當的位置。帶負電的氧氣來自玻璃的離子向陽極遷移，并在到達邊界時與硅反應，形成二氧化硅（SiO 2）。產生的化學鍵將兩個組件密封在一起。EVG的GEMINI系列是自動化生產晶圓鍵合系統。

EVG 晶圓鍵合機上的鍵合過程 支持全系列晶圓鍵合工藝對于當今和未來的器件制造是至關重要。鍵合方法的一般分類是有或沒有夾層的鍵合操作。雖然對于無夾層鍵合(直接鍵合，材料和表面特征利于鍵合，但為了與夾層結合，鍵合材料的沉積和組成決定了鍵合線的材質。 EVG 鍵合機軟件支持 基于Windows的圖形用戶界面的設計，注重用戶友好性，并可輕松引導操作員完成每個流程步驟。多語言支持，單個用戶帳戶設置和集成錯誤記錄/報告和恢復，可以簡化用戶的日常操作。所有EVG系統都可以遠程通信。因此，我們的服務包括通過安全連接，電話或電子郵件，對包括經過現場驗證的，實時遠程診斷和排除故障。EVG經驗豐富的工藝工程師隨時準備為您提供支持，這得益于我們分布于全球的支持結構，包括三大洲的潔凈室空間：歐洲 (HQ), 亞洲 (日本) 和北美 (美國).EVG鍵合機可以使用適合每個通用鍵合室的磚用卡盤來處理各種尺寸晶圓和鍵合工藝。江蘇鍵合機自動化測量

我們的服務包括通過安全的連接，電話或電子郵件，對包括現場驗證，進行實時遠程診斷和設備/工藝排除故障。氮化鎵鍵合機原理

EVG®850TB臨時鍵合機特征：開放式膠粘劑平臺；各種載體（硅，玻璃，藍寶石等）；適用于不同基板尺寸的橋接工具功能；提供多種裝載端口選項和組合；程序控制系統；實時監控和記錄所有相關過程參數；完全集成的SECS/GEM接口；可選的集成在線計量模塊，用于自動反饋回路；技術數據：晶圓直徑（基板尺寸）：蕞長300毫米，可能有超大的托架不同的基材/載體組合組態外套模塊帶有多個熱板的烘烤模塊通過光學或機械對準來對準模塊鍵合模塊：選件在線計量ID閱讀高形貌的晶圓處理翹曲的晶圓處理氮化鎵鍵合機原理

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